Hallo Gemeinde, ich laboriere an einem kleinen Problem, das ich nicht wirklich in den Griff bekomme. Ich schalte mit einem BC327 einen MOSFET vom Typ IRLZ44N mit 80-100 kHz. Das ganze Gebilde funktioniert auch tadellos, allerdings wird der FET arg heiß. Das ist alles vermutlich noch innerhalb der Spezifikation, aber da die Schaltung in einer kleinen geschlossenen Dose sitzt, wird es da drin schon gut warm. Mit IR Thermometer und über Kontaktthermometer messe ich an dem FET ca. 80-90°C. Der FET sitzt auf einem geschlitzen U-Kühlkörper. Wenn ich jetzt einen gleichen FET parallel zum Ersten packe, wird das schaltungstechnisch funktionieren, da der FET als Schalter betrieben wird. Wie wird sich das temeraturmäßig auswirken? Klar, die Leistung und somit auch der Strom wird bleiben, aber werden die Einzelenen FET's weniger heiß? Kann man die beiden FET's übereinander packen und mit Leitpaste thermisch verbinden? Wie gesagt, mir geht es nur um die Reduzierung der Temperatur. Schaltungstechnisch ist alles im grünen Bereich. Gruß in die Welt. Uwe
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Grob betrachtet halbiert sich der Widerstand RDSon und somit auch die Verlustleistung. Allerdings solltest du mal den Schaltplan zeigen und ein paar konkrete Angaben zu Spannungen und Strömen machen. Denn wenn ein MOSFET im kHz Bereich geschaltet heißer als erwartet wird, liegt es meist an einer falschen Ansteuerung des Transistors.
Uwe K. schrieb: > Wie wird sich das temeraturmäßig auswirken? Halb so warm weil quasi die Parallelschaltung von 2 Widerständen. ABER: Vermutlich liegt dein problem ganz woanders, nämlich dort, wo du meinst, daß alles in Ordnung wäre, an EINEM BC327. Damit auch bloss niemand jemals auf diesen Grund kommen kann, lässt du in deinem Beitrag alle wesentliche Information raus, nämlich den tatsächlich fliessenden Strom, den der MOSFET schalten soll.
Die Gute Nachricht: Wegen des positiven Temperaturkoeffizienten des R_DS(on) gleicht sich die Stromverteilung aus: Durch den einen MOSFET fließt im Verhältnis weniger Strom, wenn er wärmer wird als der andere. Uwe K. schrieb: > Kann man die beiden FET's übereinander packen und mit Leitpaste > thermisch verbinden? Ist das den eine gute Idee? Dann würde der eine MOSFET seinen Widerstand erhöhen, weil der andere warm wird.
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> Ich schalte mit einem BC327 einen MOSFET vom Typ IRLZ44N mit 80-100 kHz. Diese Art von Ansteuerung wird der Grund für die hohe Verlustleistung im Mosfet sein. Ein BC327 schaltet den Mosfet viel zu langsam ein bzw. aus. Schau dir mal die Gate-Source-Spannung mit einem Oszilloskop an.
Was MaWin meinte: bei Ansteuerung mit nur einem Transistor wird der MOSFET in eine Richtung sehr langsam umgeschaltet, dabei entsteht die Verlustleistung. Hier wäre dann wohl anzusetzen. Vorschlag: zeig uns die derzeitige Ansteuerschaltung! mfG
Wenn du die Anzahl der Fets erhöhst, vermindert sich der RDSon entsprechend und damit auch die Verlustleistung über dem verringerten Gesamtwiderstand. Allerdings erhöht sich die Verlustleistung auf der Gateseite (höhere Gesamtladung) und falls der Gatetreiber keine Reserven hat, auch die Umladezeiten der Gates, was wiederum höhere Verlustleistung im Linearbetrieb bedeutet. Um das einschätzen zu können, benötigt man den Schaltplan, die Datenblätter, sowie ein Wenig Grundschulmathematik...
Oops meine Glaskugel zeigt nur dichten Nebel. Keine Ahnung welchen Strom Du schalten willst! Möglicherweise ist R42 auch zu groß. Oder zu klein oder... Wahrscheinlich ist der Transistor zu langsam. Die Gatekapazität zu groß. Aber vielleicht kann man ja raten, ist aber nicht so mein Ding.
Moin zusammen, erst einmal DANKE für die schnellen Antworten. Schön, dass ihr so auf dem BC327 rumgeritten seid. Ich hatte gestern Abend mal einen MOSFET-Treiber TC427 dazwischen geschaltet. Temperatur um 1/3 gesenkt!! Jetzt pegelt sich das bei 60°C ein, was mehr als OK ist. Die Flanken am Gate sind jetzt wirklich eckig und nicht mehr "sinusförmig" wie mit dem BC327. Die Zeit, wo der FET durch den linearen Bereich getrieben wurde, war wohl doch zu lang. Mir war zwar bewusst, dass zum Ansteuern eines FET's als Schalter viel Strom ins Gate zwecks Umladen der Kapazität erforderlich ist, habe das aber trotzdem unterschätzt. Nochmal DANKE ans Forum. Welchen FET-Driver würdet ihr empfehlen? Ich suche möglichst einen Typ, der sowohl in SMD also auch bedrahtet verfügbar ist.Beim TC ist das der Fall, aber gibt es da noch günstigere Alternativen? Vielleich auch nur eine 1-kanal Version? Gruß Uwe
Uwe K. schrieb: > Welchen FET-Driver würdet ihr empfehlen? Such selber: MOSFET-Übersicht: MOSFET-Treiber
Peter D. schrieb: > Für kleines Geld nimmt man gern eine Komplementärendstufe, z.B. > BC850/BC860. Hallo Peter, damit werde ich vermutlich wieder irgendeinen "faulen" Kompromiss eingehen. Ich werde definitiv einen echten MOSFET Treiber einsetzen. Nach einigen Recherchen habe ich mich für den MCP1416 von Microchip entschieden. Den gibt es zwar nur im SOT23-5 Gehäuse, aber das wird schon werden. Nochmals DANKE für eure Antworten. Salut Uwe
Uwe K. schrieb: > damit werde ich vermutlich wieder irgendeinen "faulen" Kompromiss > eingehen. Das wäre doch absolut kein "fauler Kompromiß", sondern ist gängige Praxis. Und manchmal, je nach Anwendung, die klügste Lösung. Laß Dich doch nicht von der simplen Tatsache, daß für die symmetrische und steile Ansteuerung eines MOSFET-Gates nun mal mindestens ein aktives Bauteil mehr erforderlich ist, von der (zumdst. vermutlich) bisherigen Vorliebe für "kosteneffiziente Konstruktion" abbringen... :) Denn darum ("sparen") allein geht es ja gar nicht. Es ist allgemein immer von Vorteil, eine Problematik völlig (bzw. zumindest nahezu völlig) zu durchschauen. Es gibt nämlich auch immer wieder mal Voraussetzungen/Umstände, die manche Lösungsansätze oder "Standardlösungen" ausschließen. Bis jetzt aber bist Du noch nicht näher auf eine geplante Verwendung, sowie mögliche "Nebenbedingungen", eingegangen - was aber ebenfalls bei einer Threaderstellung praktisch immer von Vorteil wäre...
Verzeihung, sollte heißen: "...auf weitere - oder gar alle - möglichen Nebenbedingungen eingegangen, ..."
Der BC850 kann doch auch nur 100 mA liefern, Das sollte der BC327 auch können. Mein Problem schien ja der geringe Strom ins Gate des FET's gewesen zu sein, wodurch der FET zu lange im linearen Bereich war, der dann warm machte. Jetzt mit dem FET-Treiber, der 1,5A schicken kann, ist alles in Butter und das Signal am Gate ist auch ein Rechteck und kein verunglückter Sinus. Danke nochmal für eure Hinweise. Problem gelöst. Gruß Uwe
Ich habe mir die technischen Daten Deines FET nicht reingezogen, aber wenn der nicht für den linearen Betrieb zugelassen ist, würde ich Ihn austauschen - je nach Betriebsdauer. Der lineare Betrieb eines nicht dafür zugelassenen FET bewirkt zwar nicht unbedingt dessen sofortigen Ausfall, aber oft Langzeitschäden.
Wie kommst du auf analog? Heute ist doch alles digital. Es ist ein stinknormaler LL-FET für 55V. Uwe K. schrieb: > Der BC850 kann doch auch nur 100 mA liefern, Das sollte der BC327 auch > können. Mein Problem schien ja der geringe Strom ins Gate des FET's > gewesen zu sein, Solange du die Schaltung nicht gezeigt hast, ist für uns nur Kaffeesatz. Wahrscheinlich hast du keine Ahnung von Transistoren. Vermutlich kann der Transistor bei einem Strom von 50mA und 5V den FET mit Rechteck ansteuern. Welchen Kollektorwiderstand hast du? Wie kommst du eigentlich auf den Transistor? Jeder MC-Ausgang kan den direkt schalten.
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