Hallo, ich habe gerade irgendwie ein Brett vorm Kopf. In FET Datenblättern steigt Qgtotal linear mit Vgs (das Plateau ist jetzt mal egal). Das ist ja auch logisch, denn um einen Kondensator auf die doppelte Spannung aufzuladen, brauche ich auch die doppelte Ladung. 10nC ist wie 1 Sekunde lang 10nA 20nC ist wie 1 Sekunde lang 20nA Jetzt habe ich aber mal den Gate-Strom bei 4V und bei 12V gemessen und es fliesst exakt der gleiche Strom im uA Bereich. Ich schalte 10000 mal pro Sekunde. Eigentlich habe ich bei der doppelten Spannung auch den doppelten Strom erwartet. Immerhin gilt E=1/2CV². Hier muss ich einen ganz blöden Denkfehler haben. Kann jemand helfen?
@ Timmy (Gast) >10nC ist wie 1 Sekunde lang 10nA Oder eher 1A für 20ns >20nC ist wie 1 Sekunde lang 20nA >Jetzt habe ich aber mal den Gate-Strom bei 4V und bei 12V gemessen und >es fliesst exakt der gleiche Strom im uA Bereich. Ganz schön viel, normalerweise liegt der reale Gatestrom bei Raumtemperatur deutlich unter 1uA. >Ich schalte 10000 mal >pro Sekunde. Eigentlich habe ich bei der doppelten Spannung auch den >doppelten Strom erwartet. Immerhin gilt E=1/2CV². Was hat die Kondensatorenergie mit dem Strom zu tun? Und was hat der Leckstrom damit zu tun? Ein Gatetreiber läde x mal pro Sekunde das Gate auf und entlädt es auch wieder. Wenn man die Spannung verdoppelt, verdoppelt sich der MITTLERE Ladestrom. Dito bei doppelter Frequenz. I = Q * t = Q * 1/f
Nach deine Formel I=Q*1/f würde der Strom bei steigender Frequenz aber abnehmen. Meinst du nicht eher I=Qf? Dennoch bestätigst du mich damit, dass der mittlere Strom mit steigendem Vgs auch steigen müsste. Tut er aber nicht.
Ja, Strom ist immer noch Ladung pro Zeit, also I=Qf. Das einzige was ich mir denken kann, ist dass dein Messaufbau irgendwo falsch ist. Den müsstest du dann aber mal zeigen.
Ich möchte erstmal ein paar mehr Expertenmeinungen. Sollte der Strom wirklich steigen müssen, dann muss ich hier einen Fehler beim Messaufbau haben. Die Energie steigt ja auch an, da 4V*500uA=2mW und 12V*500uA=6mW ist. Aber kurz zum Aufbau: Der Gatetreiber wird mit einem 1mF Elko versorgt. Der Elko wird auf 12V aufgeladen, dann wird die Stromversorgung getrennt und die Spannung wird über Zeit gemessen. Die Spannung sinkt von 12V bis 4V fast linear ab.
Alternativ habe ich auch mit einem DMM direkt den Strom mit der uA-Range gemessen. Der Wert stimmt mit 5% Toleranz überein.
Der Gatetreiber hat ja auch einen Eigenverbrauch, den du berücksichtigen solltest. Welchen Typ von Gatetreiber und Mosfet verwendest du? Ist das Drain des Mosfets offen? Wenn nicht, wie sieht die angeschlossene Last aus, und mit welcher Spannung wird diese betrieben?
Ich habe jetzt mal direkt das Gate gemessen und feststellen dürfen, dass der Gatetreiber das Gate immer nur auf 3V auflädt. WARUM er das tut, weiss ich nicht. Habe auch verschiedene FETs probiert. Aber das erklärt schonmal den gleich bleibenden Stromverbrauch. Der Gate-Treiber ist der ZXGD3005E6.
Aha. Toll. Anscheinend ist bei diesem Gate-Treiber Vin=Vout. Also nur ein Impedanzwandler. Mist. :(
Timmy schrieb: > Aha. Toll. Anscheinend ist bei diesem Gate-Treiber Vin=Vout. Also > nur > ein Impedanzwandler. Mist. :( Bau dir nen Treiber mit Bipolartransistoren auf. Gegentaktstufe mit NPN oben und PNP unten und die Basen zusammen an nen weiteren NPN in Emitterschaltung. 3 Transistoren, 2 Widerstände. Der Gatestrom beim Aufladen lässt sich dann per Shunt in der Versorgungsleitung messen.
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