Hallo Zusammen, ich versuche einen Tiefsetzsteller zu simulieren. Unter Verwendung von Anfangswerten für die Eingangs- und Ausgangsseitige Spannung an den Pufferkondensatoren und unter Verwendung eines Drosselstroms von 12,5A lässt sich keine gescheite Simulation erzielen. Ich erhalte lediglich den Fehler das mein "time step too small" sei :-D mit dem Hinweis auf den Knoten 1, welcher das + Potential des eingangsseitigen Zwischenkreises darstellt. In einem anderen Thread habe ich etwas über die .options: .options Gmin=1E-9 .options Abstol=1E-9 .options Reltol=0.01 .options Chgtol=1E-12 erfahren und verwendet, aber auch das hat das Problem nicht beseitigt. Hat jmd. eine Idee wie man das Problem lösen kann? Vielen Dank schon einmal vorab. Chris
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Nachsimulieren kann ich das nicht, weil die Modelle für die FETs fehlen. In dem etwas kleinen Bild kann ich nicht erkennen, ob die Digitalbausteine irgendwie konfiguriert sind. Auf jeden Fall sollte für die ein realistisches Delay definiert sein. Es schadet auch nichts, für die Spulen und die Cs reale Modelle zu verwenden. Außerdem sehe ich links oben keine Spannungsquelle - da steht nur 400V dran, aber das ist nur ein Netzname.
Ohja, das ist richtig. Daher habe ich jetzt die HEMT (so Art MOSFET) dem Anhang beigefügt. Damit solltest du auch die Schaltung durchsimulieren können. An der Ansteuerschaltung liegt es meines Erachtens nicht, da ich sie separat getestet habe. Ich habe bei den AND und NOT Gatter/n Verzögerungs- und Anstiegszeiten definiert. Ja richtig, ich habe keine Spannungsquelle für den 400V Zwischenkreis vorgesehen, dafür habe ich aber eine äußerst große Zwischenkreiskapazität vorgesehen die die Spannung für die kurze Simulationszeitdauer konstant hält. Bei den Cs habe ich zumindest die ESL und ESRs definiert. Geiler wäre natürlich eine Art Look Up Tabelle mit den Daten des Herstellers. Geht sowas (mal am Rande nachgefragt). Aber schon mal danke, dass du dir die Zeit genommen hast und einen Blick darauf geworfen hast. Bis später Chris
Christian K. schrieb: > ie die > Spannung für die kurze Simulationszeitdauer konstant hält. Bei den Cs > habe ich zumindest die ESL und ESRs definiert. Ja, das reicht - es war nur im Plan nicht zu sehen. Ich vermute, es sind die Modelle der HEMT. Da wird ausgiebig drin gerechnet und da gibt es immer mal wieder Probleme mit den Modellen (z.B. auch die Infineon-Teile machen häufig Ärger). Leider sind mir die HEMT noch nie begegnet, sonst hätte ich eine Alternative vorgeschlagen, die sich ev. gutmütiger verhält. Und leider kann ich dir auch nicht mehr weiter helfen, vielleicht sieht Helmut Lenzen den Thread ...
Hi Christian, welchen Erkenntnissgewinn erhoffst du dir durch die Simulation, so dass du die Modelle der GaN Schalter benötigst? Momentan ist dein Tiefsetzsteller ziemlich ideal (keine parasitären Induktivitäten, Kapazitäten etc.). Da wird es erst spannend, wenn man versucht mit 100V/ns zu schalten. Point is: Die Realität wird sicherlich von der Simulation abweichen, wenn man einen realen Aufbau hat. Ergo würde ich mir den Ärger mit den GaN Modellen sparen. Gruß,
Mit den Einstellungen läuft es zumindest 100us. Ich musste dazu die zwei Ls in der Stromversorgung überbrücken bzw. herausnehmen. Außerdem fehlte die 400V Spannungsquelle.
Moin Alex, im Grunde ist das eine Schaltung die ich aufbauen werde. Mein Erkenntnisgrad soll zum einen sein, das ich via Simulation sehe ob die Dimensionierung der Zwischenkreiskapazitäten (das sind alles Kerkos, außer der Dicke ganz links und der Dicke ganz rechts) passt, wie ich sie berechnet habe oder ob ich nicht doch noch ein bisschen einsparen kann. Außerdem wollte ich mir anschauen wie stark die Spannungen an den HEMTs sind die durch die (eben doch vorhandenen) parasitären Induktivitäten (im Kommutierungskreis) auftreten. Eine Simulations vorab, halte ich für sinnvoll. Ich werd dann so nochmal ein bisschen herumtüfteln. Ohne Anfangswert des Stromes läuft die Simulation, nur leider dauert es ewig bis der eigentliche Arbeitspunkt von 12,5 A erreicht wird :-( @ Hilde: Auf das HEMT Modell möchte ich nicht verzichten und auch keine Alternative verwenden, da ich diese bei meiner Schaltung verwende. Trotzdem schon mal Danke euch beiden ! - vlt. ist ja noch jmd. hier der eine Idee hat? mfg Chris
Hallo Helmut, danke für deine Antwort. Doch anscheinend läuft die Simulation bei dir auch nur ohne Anfangswert des Stromes IL5, richtig? Ich möchte gerne erreichen, dass zu Beginn der Simulation bereits mein Arbeitspunkt vorliegt (IL=12,5A). Als Kommentar hast du noch den Befehl ".options oshunt=1e-16" notiert -> was hat das für eine Bewandtnis? Was hat es mit der Spannungsquelle inkl. Widerstand an dem vierten Anschluss der HEMTs (ich vermute mal dass das das Gehäuse sein wird) auf sich? Fragen über Fragen - entschuldigt, aber ich habe bisher so gut wie gar nicht mit ltspice gearbeitet. Danke nochmals für eure tolle Unterstützung! mfg Chris
HildeK schrieb: > vielleicht sieht > Helmut Lenzen den Thread ... Oh, eigentlich dachte ich an Helmut S. - verwechselt, sorry. Aber, er hat ihn ja gefunden :-)
Hallo Christian, hier noch ein Versuch um den eingeschwungenen Zustand möglichst schnell zu erhalten. Dazu muss die Höhe der Pulsspannungsquelle ganz rechst genau einegstellt werden. An den Gates hatte ich mal 100pF eingefügt. Vielleicht funktioniert die Simulation auch wieder ohne diese Cs. Die gehören natürlich nicht in den realen Aufbau. Außerdem habe den 10m Kondensator auf 1m reduziert. Hast du wirklich 10m(10000uF)? Die nicht überlappenden Gate-Pulse werden jetzt digital erzeugt. An den Konvergenz-Settings für LTspice habe ich fast nichts geändert. .options cshunt=1e-16 Diese Option addiert an jedem Knoten einen Kondensator nach Masse (Netz 0). Das hilft manchmal. Allerdings kann man damit ganz schnell ungewollt SPICE-Modelle nachteilig verändern. Diese Option gibt es in LTspice, aber nicht in jedem SPICE. Gruß Helmut
Habe es jetzt doch noch geschafft den Startstrom der Spule auf 12A zu setzen. Die Spannung am großen 1000u Kondensator muss dazu exakt an die Ausgangsspannung des eingeschwungenen Zustandes angepasst werden. Die zwei Extra-Dioden sind für die Konvergenz der Simulation notwendig.
Die 100uH Spule ausgangsseitig ist zu klein, mach die 470, der 1000uH. Und ja natuerlich braucht es die Dioden, die muessen ueber den Fet sein.
@ Helmut vielen lieben Dank. Ich habe es leider noch nicht geschafft mir alles im Detail anzuschauen. @Oh Doch: Zu den Dioden: Der GaN HEMT hat zwar keine intere Body Diode wie ein Si MOSFET aber das Verhalten bei negativer Drain Source Spannung ist jedoch das gleiche (im Falle bei Ugs = 0), nur das die Schwellspannung in Höhe der Thresholdspannung liegt! -> Dioden sind nicht erforderlich (im realen Aufbau sollte untere Schalter jedoch nach einer kurzen Totzeit wieder eingeschaltet werden, da ansonsten die Durchlassverluste zu hoch würden) Die 100uH sind so gewollt. Ich möchte einen Ripple von 10A zulassen, alles andere wäre im realen Aufbau Humbuck, da die Spule ansonsten zu groß und zu teuer werden würde. Ich melde mich nochmal wenn ich mir deine Veränderungen in Ruhe angeschaut habe. Aber vielen lieben Dank das du dir dafür so viel Zeit dafür genommen hast :-D Bis später Chris
Hello Again, nachdem es nun ein bisschen gedauert hat, habe ich mich wieder an die Schaltung rangesetzt. Ich muss gestehen, dass ich die Simulation nicht so hinbekommen habe, dass direkt zum Zeitpunkt t=0 der Arbeitspunkt erreicht ist. Ich habe mich daher für die Variante "Start external DC supply voltages at 0V" entschieden. Es dauert zwar jetzt länger bis mein Arbeitspunkt erreicht wird (nach 250us ist der AP erreicht), aber dafür erhalte ich nicht mehr andauernd nervige Fehlermeldungen. Ich bin auf den Hinweis in : "https://home.zhaw.ch/~hhrt/LTspice/LTspice_Einfuehrung.pdf" gestoßen, was ich, als Anfänger, für ein sehr hilfreiches Dokument halte. Anbei auch noch meine Schaltung, wie ich sie jetzt verwende. Nochmals danke an alle die sich einen KOpf gemacht haben und Zeit hinein investiert haben. Ciao und vlt. bis zum nächsten Thread Chris
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