Forum: Analoge Elektronik und Schaltungstechnik N-MOSFET Vorwiderstand


von schüler (Gast)


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Kann mir jemand bei der Dimensionierung von Widerständen helfen?

Steuerspannung Ugs = 10V, was der Spannung an R1 entspricht.
Der Spannungsteiler ist Uges=Ur1+Ur2 => Ur1/Ur2 = R1/R2

Wie gross müssen die Widerstände schätzungsweise sein?

Muss man mit der max. Spitzenspannung rechnen? Also Uges = 325V oder 
Ueffektiv?

PWM mit ca. 4kHz
Aus dem Datenblatt für MOSFET:
 - Kapazität Total Gate = 80nC
 - Kapazität Gate to Source = 10nC

mit welchen Schritten würdet ihr vorgehen?

: Verschoben durch Moderator
von Matthias S. (Firma: matzetronics) (mschoeldgen)


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schüler schrieb:
> mit welchen Schritten würdet ihr vorgehen?

Ich würde erstmal überlegen, ob der Phototransistor im gesperrten 
Zustand 325V verträgt.

von Helmut L. (helmi1)


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schüler schrieb:
> Wie gross müssen die Widerstände schätzungsweise sein?

Deine Schaltung funktioniert nicht, du bekommst den N-MOS nie 
durchgeschaltet.

Der muss 10V zwischen Gate und Source haben. Wie kann er das wenn er 
komplett durch schalten soll.  Dann ist Source = Drain Spannung. Also 
muss dein Gate um 10V hoeher liegen als das Drain. Wie soll das gehen 
wenn du die Spannung fuer die Source am Drain abnimmst?

von Ingo Less (Gast)


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Lass es lieber, deine Schaltung wird dir sehr schnell um die Ohren 
fliegen!

von Wolfgang R. (Firma: www.wolfgangrobel.de) (mikemcbike)


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Für einen High Side Switch benötigst Du einen P-Kanal FET.

von Amateur (Gast)


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Ich schließe mich der allgemeinen Meinung an!
Alles was diese Schaltung machen wird ist: Unangenehm riechen. Aber das 
gibt sich sehr schnell wieder.

von Helmut L. (helmi1)


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Amateur schrieb:
> Alles was diese Schaltung machen wird ist: Unangenehm riechen.

Oder das haut auch den staerksten Transistor um....

von ArnoR (Gast)


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schüler schrieb:
> mit welchen Schritten würdet ihr vorgehen?

Ich würde erstmal die Schaltung so abändern und ergänzen das die auch 
funktioniert (siehe Anhang). Nun ergeben sich andere Fragen.

Die Last liegt in der Drainleitung des Mosfet. Die Z-Diode so wählen, 
dass die max. Ugs nicht erreicht wird, also 10...15V. Den Vorwiderstand 
so, dass etwas mehr als die Gateladung*Schaltfrequenz + Strom durch 
Ableitwiderstand des Mosfet durchgeht. Den Ableitwiderstand am Gate so, 
dass der Mosfet schnell genug sperrt. Die Kapazität so, dass die 
Spannungswelligkeit nicht so groß ist, z.B. 1V.

von Stefan F. (Gast)


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> Ich würde erstmal die Schaltung so abändern und ergänzen das die
> auch funktioniert (siehe Anhang).

Das ist lustig. Probier sie mal aus - mit Schutzhelm.

von Patrick J. (ho-bit-hun-ter)


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von Stefan F. (Gast)


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Diese Schaltung ignoriert Vorschriften zur Schutzisolation.

von ArnoR (Gast)


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Stefan U. schrieb:
> Das ist lustig. Probier sie mal aus - mit Schutzhelm.

Na dann kannst du sicher auch erklären wieso die dMn nicht funktioniert, 
oder?

von Stefan (Gast)


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"Diese Schaltung ignoriert Vorschriften zur Schutzisolation."
Die da wären?!
Was nützen solche sinnfreien Kommentare?!?!
Wenn man es wüsste würde man es tun..einfach zu sagen da wird was 
ignoriert hilft herzlich wenig weiter...

von ArnoR (Gast)


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Stefan U. schrieb:
> Diese Schaltung ignoriert Vorschriften zur Schutzisolation.

Du ziehst dich jetzt an den "Schutzleitersymbolen" hoch, oder was? TINA 
hat bloß kein anderes Massesymbol, ersetze die einfach durch einen 
Draht, ohne Verbindung zu PE.

von Matthias S. (Firma: matzetronics) (mschoeldgen)


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Das grundsätzliche Problem besteht immer noch. Sobald der MOSFet leitet, 
ist keine Ugs mehr da, die ihn offen hält. Er wird dann so halb leiten 
und ganz schön Leistung verbraten, je nach Last.

von Stefan F. (Gast)


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>> Diese Schaltung ignoriert Vorschriften zur Schutzisolation.
> Die da wären?!

Zwischen 230V Seite und der Ansteuerseite sind mindestens 5mm Freiraum 
nötig. Das Layout auf der verlinkten Seite hat an dieser Stelle jedoch 
eine horizontale Leiterbahn. Bei den beiden linken Optokopplern führt 
ausßerdem noch eine weitere Leiterschleife und dem Optokoppler hindurch, 
die da ebenfalls nicht hin gehört.

von Stefan F. (Gast)


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> Das grundsätzliche Problem besteht immer noch.
> Sobald der MOSFet leitet, ist keine Ugs mehr da, die ihn offen hält.

Nein, du hast wohl übersehen, dass er den Lastwiderstand woanders hin 
verschoben hat. Habe ich auch zuerst übersehen.

Stattdessen erzeugt er nun die Hilfsspannung für das Gate mit einem 
Widerstand und Zenerdiode. Die Spannung bleibt aufrecht erhalten, auch 
wenn der MOSFET einschaltet.


Ich habe oben einen Schreobfehler:

> führt ausßerdem noch eine weitere Leiterschleife
> und dem Optokoppler hindurch

Sollte heissen:

> führt außerdem noch eine weitere Leiterschleife
> unter dem Optokoppler hindurch

von ArnoR (Gast)


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Matthias S. schrieb:
> Das grundsätzliche Problem besteht immer noch. Sobald der MOSFet leitet,
> ist keine Ugs mehr da, die ihn offen hält.

Stimmt nicht. Der Kondensator liefert die Spannung. Weil die Last in der 
Drainleitung liegt, ist die Spannung am Gleichrichterausgang 
100Hz-Halbwellenspannung mit 325V Spitze, auch dann, wenn der Mosfet 
eingeschaltet ist.

von Stefan F. (Gast)


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>> Das ist lustig. Probier sie mal aus - mit Schutzhelm.
> Na dann kannst du sicher auch erklären wieso die dMn nicht
> funktioniert, oder?

Ich habe mich verguckt, sie könnte funktionieren.

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