Tach auch! Ich kenne die App Note von IR zu Floating Gate Treibern mit einem NE555. Jetzt kam mir aber die Idee, den NE555 weg zu lassen, da ich ja eh einen µC mit auf dem Board habe. Noch dazu haben die meisten HS/LS Halbbrückentreiber durchaus potente Push-Pull-Treiber mit dem ich die Ladungspumpe befeuern könnte. Jetzt aber zu meinen eigentlichen Fragen: - Lassen es gängige Treiber zu, die Highside unabhängig von der Lowside zu schalten? Lässt das deren interne Logik zu? In der ori. Appnote wurde eine spezieller Highside Treiber ohne Lowside-Treiber benutzt. - Würde das überhaupt so funktionieren? - Was wäre eine ideale PWM Frequenz und Duty für die Ladungspumpe? Wäre 100kHz und 50% Duty geeignet?
Angehängte Dateien:
-
IMG_20170319_111043.jpg
210 KB
:
Verschoben durch Moderator
Wumpus schrieb: > > Jetzt aber zu meinen eigentlichen Fragen: > - Lassen es gängige Treiber zu, die Highside unabhängig von der Lowside > zu schalten? Lässt das deren interne Logik zu? In der ori. Appnote wurde Angenommen du schaltet 100V auf deine Last. Der FET-Treiber müsste dann diese 100V auf seine Steuerspannung zusätzlich draufsetzen. Kurt
@Wumpus (Gast) >Halbbrückentreiber durchaus potente Push-Pull-Treiber mit dem ich die >Ladungspumpe befeuern könnte. Schon mal überlegt was passiert, wenn der Treiber von HIGH nach LOW bzw. von LOW nach HIGH schaltet? Welche Spannung liegt über deinem Pumpenkondensator an und was passiert damit? >- Lassen es gängige Treiber zu, die Highside unabhängig von der Lowside >zu schalten? Lässt das deren interne Logik zu? Ja, es gibt welche mit getrennter Ansteuerung. >- Würde das überhaupt so funktionieren? Jain. >- Was wäre eine ideale PWM Frequenz und Duty für die Ladungspumpe? Wäre >100kHz und 50% Duty geeignet? Prinzipiell ja, mit der Schaltung geht es aber eher nicht. Vielleicht kann man es aber hinfrickeln, wenn man den Kondensator sehr klein macht, so um die 100pF. Denn die Ladungspumpe muss ja nur die Leckströme des Treibers + MOSFET-Gate ausgleichen und das sind wenige Dutzend uA. Dann noch einen passenden Widerstand in Reihe zum Kondensator und es KÖNNTE funktionieren. Es fehlt aber noch die klassische Bootstrap-Diode, damit der Treiber beim Einschalten Strom kriegt.
:
Bearbeitet durch User
Kurt B. schrieb: > Angenommen du schaltet 100V auf deine Last. > Der FET-Treiber müsste dann diese 100V auf seine Steuerspannung > zusätzlich draufsetzen. Ich würde im bereich von 20-55Vdc schalten müssen. Viele der Treiber sind für 600Vdc ausgelegt. Wenn du auf die Spannungsfestigkeit eingehen wolltest, würde ich mir da weniger sorgen machen. Falk B. schrieb: > Schon mal überlegt was passiert, wenn der Treiber von HIGH nach LOW bzw. > von LOW nach HIGH schaltet? Ja. Ich glaube, ich weiß aber nicht auf was du mich hinweisen möchtest. > Welche Spannung liegt über deinem Pumpenkondensator an und was passiert > damit? Ich hätte da einen Kerko mit 250V genommen. Falk B. schrieb: > Ja, es gibt welche mit getrennter Ansteuerung. Gut, dann muss ich mir die Datenblätter der Kandidaten noch einmal genau ansehen! Falk B. schrieb: > Prinzipiell ja, mit der Schaltung geht es aber eher nicht. Vielleicht > kann man es aber hinfrickeln, wenn man den Kondensator sehr klein macht, > so um die 100pF. Denn die Ladungspumpe muss ja nur die Leckströme des > Treibers + MOSFET-Gate ausgleichen und das sind wenige Dutzend uA. Dann > noch einen passenden Widerstand in Reihe zum Kondensator und es KÖNNTE > funktionieren. Wunderbar! Dann sollte ich mal einen Demonstrator "frickeln" ;-)
Falk B. schrieb: > Es fehlt aber noch die klassische Bootstrap-Diode, damit > der Treiber beim Einschalten Strom kriegt. Meinst du eine Diode von +12V auf das VB Potential?
@Wumpus (Gast) >Ich würde im bereich von 20-55Vdc schalten müssen. Viele der Treiber >sind für 600Vdc ausgelegt. Wenn du auf die Spannungsfestigkeit eingehen >wolltest, würde ich mir da weniger sorgen machen. Das ist kein Problem. >> Schon mal überlegt was passiert, wenn der Treiber von HIGH nach LOW bzw. >> von LOW nach HIGH schaltet? >Ja. Und? > Ich glaube, ich weiß aber nicht auf was du mich hinweisen möchtest. Wenn der Treiber auf LOW steht ist dein Pumpenkondensator auf 12V geladen. Schaltet man nun auf HIGH, wird der schlagartig über die untere Diode auf die volle Ausgangsspannung gezogen. Da fließt VIEL Strom. Nahezu das Gleiche passiert beim Umschalten von HIGH auf LOW, da entlädt sich der Kondensator über die obere Diode in die High Side Versorgung. Zum Glück hast du dort eine Z-Diode, die begrenzt sie Spannung. Mit einem Längswiderstand zum Kondensator, der den Strom auf ca. 1A begrenzt sollte das gehen. >Ich hätte da einen Kerko mit 250V genommen. Ist OK. >Dann sollte ich mal einen Demonstrator "frickeln" ;-) Mach mal. >Meinst du eine Diode von +12V auf das VB Potential? Ja.
Es fehlt noch der Längswiderstand. R = U / I = 60V / 1A = 60 Ohm. Nimm 100 Ohm, das passt. Und das C so klein wie möglich!
Falk B. schrieb: > Es fehlt noch der Längswiderstand. > > R = U / I = 60V / 1A = 60 Ohm. Nimm 100 Ohm, das passt. Und das C so > klein wie möglich! Falk, Du bist Super! Vielen Dank!
Wenn man mal grob ausrechnet, wieviel Strom die Ladungspumpe bringt, kommt man in etwa auf.
1 | I = C * dU * f = 100pF * 12V * 100kHz = 120uA |
Das sollte reichen.
Wumpus schrieb: > Kurt B. schrieb: >> Angenommen du schaltet 100V auf deine Last. >> Der FET-Treiber müsste dann diese 100V auf seine Steuerspannung >> zusätzlich draufsetzen. > > Ich würde im bereich von 20-55Vdc schalten müssen. Viele der Treiber > sind für 600Vdc ausgelegt. Wenn du auf die Spannungsfestigkeit eingehen > wolltest, würde ich mir da weniger sorgen machen. > Darauf will ich nicht eingehen, sondern darauf dass du den Bezug für deine Gatespannung von Null auf 20-55V legst sobald der FET durchschaltet. Angenommen du hast 12V Gatesteuerspannung, diese wird dann zu einem Minuswert. Kurt
@ Kurt Bindl (kurt-b) >Darauf will ich nicht eingehen, sondern darauf dass du den Bezug für >deine Gatespannung von Null auf 20-55V legst sobald der FET >durchschaltet. Bezogen auf GND der Schaltung stimmt das, wobei es genauer Vhi + Vb ist. Aber der Source vom MOSFET kommt ja auch hoch, sodaß die real am MOSFET anliegende Gat-Source Spannung nur Vb ist. Kurt, geh mal davon aus, daß diese Treiber schon millionenfach sicher funktionieren. So wie der Rest der Physik in diesem Universum ;-)
Falk B. schrieb: > @ Kurt Bindl (kurt-b) > >>Darauf will ich nicht eingehen, sondern darauf dass du den Bezug für >>deine Gatespannung von Null auf 20-55V legst sobald der FET >>durchschaltet. > > Bezogen auf GND der Schaltung stimmt das, wobei es genauer Vhi + Vb ist. > Aber der Source vom MOSFET kommt ja auch hoch, sodaß die real am MOSFET > anliegende Gat-Source Spannung nur Vb ist. > > Kurt, geh mal davon aus, daß diese Treiber schon millionenfach sicher > funktionieren. So wie der Rest der Physik in diesem Universum ;-) Natürlich funktionieren sie, nur halt nicht in dieser Schaltung, da ist er hin sobald der FET durchschaltet. Kurt
@Kurt Bindl (kurt-b) >Natürlich funktionieren sie, nur halt nicht in dieser Schaltung, da ist >er hin sobald der FET durchschaltet. Red nicht von Dingen, von denen du keine Ahnung hast. Bleib in deinem Esoterik-Thread.
Wumpus schrieb: > - Lassen es gängige Treiber zu, die Highside unabhängig von der Lowside > zu schalten? Lässt das deren interne Logik zu? In der ori. Appnote wurde > eine spezieller Highside Treiber ohne Lowside-Treiber benutzt. Wumpus schrieb: > Gut, dann muss ich mir die Datenblätter der Kandidaten noch einmal genau > ansehen! Also, meistens (nicht zuverlässig immer) sollte die parametrische Suche bei den Distris sog. "Half-Bridge"-T. von "High-and-Low-Side"-T. differenziert bereitstellen. (Wobei HB im Normalfall mit voneinander abhängigen Ausgängen aufwartet, H&L dafür mit unabhängigen. Leider sind die nicht immer korrekt benannt/zugeordnet - aber meistens halt schon...) Das sollte Dir die Suche (potentiell) erleichtern. Bitte um weitere Beiträge zwecks Fortschritten/Machbarkeit. ^^
Falk B. schrieb: > Es fehlt noch der Längswiderstand. > > R = U / I = 60V / 1A = 60 Ohm. Nimm 100 Ohm, das passt. Und das C so > klein wie möglich! Moin moin, ich will den Widerstand definitiv nicht "wegdefinieren", aber macht es nicht ggf. Sinn, das PWM im Umschaltmoment des HS-FETs (Low -> High bzw. High -> Low) kurz zu pausieren? Das Cap im Zwischenkreis ist ja geladen und verlagert sein Potential - der sollte natürlich auch etwas größer sein. Denke so an min. 5-10x Gatekapazität, aber wie gesagt, minimal!
Thread beobachten
Seitenaufteilung abschaltenBitte melde dich an um einen Beitrag zu schreiben. Anmeldung ist kostenlos und dauert nur eine Minute.
Bestehender Account
Schon ein Account bei Google/GoogleMail? Keine Anmeldung erforderlich!
Mit Google-Account einloggen
Mit Google-Account einloggen
Noch kein Account? Hier anmelden.