Mosfet kennlinie

[Mosi (Gast)]

Hallo allerseits,

der Mosfet arbeitet als Schalter im Sättigungsbereich. Wenn der Mosfet 
voll durch gesteuert ist, beträgt der Wert der  Drain-Source-Spannung im 
Idealfall null Volt. Wenn ich mir jedoch die Spannung in der Kennlinie 
anschaue, ist diese größer als null. Kann mir jemand den 
Sättigungsbereich erklären?

Schalter (Mosfet) "ON": Ugs>Uth
Schalter          "OFF":Ugs=0 V


Mfg

[hinz (Gast)]

Mosi schrieb:
> der Mosfet arbeitet als Schalter im Sättigungsbereich.

Das wäre ziemlich blöd.

Dir ist bekannt, dass der Sättigungsbereich beim MOSFET etwas völlig 
anderes ist als die Sättigung beim Bipolartransistor?

[Wolfgang (Gast)]

Mosi schrieb:
> Schalter (Mosfet) "ON": Ugs>Uth

Bei Ugs>Uth fängt er an zu leiten. Von "ON" ist das erstmal noch weit 
entfernt.

[Michael B. (laberkopp)]

Mosi schrieb:
> Kann mir jemand den Sättigungsbereich erklären?

Der Sättigungsbereich ist nicht der voll durchgeschaltete Bereich, 
sondern der Bereich in dem der Strom durch Sättigung des Kanals begrenzt 
wird, also der lineare Betrieb des MOSFET als gesteuerter Widerstand.

Voll durchgeschaltet ist er wenn die Kennlinie ganz links im 
Triodenbereich steil ansteigt.

[Stefan F. (Gast)]

> Kann mir jemand den Sättigungsbereich erklären?

Ich bin auch unsicher, ob das der richtige Begriff ist. Aber das 
Diagramm zeigt deutlich, was gemeint ist. Nämlich der Bereich rechts von 
schraffierten Zone.

Das ist der Bereich, in dem man den Transistor als Schalter betreiben 
möchte. In dieser Zone ist der Innenwiderstand möglichst gering.

[Wolfgang (Gast)]

Mosi schrieb:
> Wenn der Mosfet voll durch gesteuert ist, beträgt der Wert der
> Drain-Source-Spannung im Idealfall null Volt.

Diesen Idealfall gibt es aber nicht.

Ein realer MOSFET hat im "ON"-Zustand einen Kanalwiderstand (RDS_on) und 
folglich einen Spannungsabfall, der proportional zum Strom ist. In der 
(konstante) Steigung der Ausgangskennlinie im "Sättigungsbereich" siehst 
du den Kanalwiderstand.

[Wolfgang (Gast)]

Wolfgang schrieb:
> In der (konstante) Steigung der Ausgangskennlinie im "Sättigungsbereich"
> siehst du den Kanalwiderstand.

Sorry, das ist natürlich der Triodenbereich mit dem steilen Teil der 
Kennlinie.

[Thomas K. (ek13)]

Mosi schrieb:
> Hallo allerseits,
>
> der Mosfet arbeitet als Schalter im Sättigungsbereich. Wenn der Mosfet
> voll durch gesteuert ist, beträgt der Wert der  Drain-Source-Spannung im
> Idealfall null Volt.

Nein, dann müsste Rds on 0 Ohm sein;

 Wenn ich mir jedoch die Spannung in der Kennlinie
> anschaue, ist diese größer als null. Kann mir jemand den
> Sättigungsbereich erklären?

Im "Sättigungsbereich" wird der Mosfet überlastet, da ist das Maximum 
des Stromflusses durch DS erreicht. (Ist natürlich von der GS Spannung 
abhängig)



> Schalter (Mosfet) "ON": Ugs>Uth
> Schalter          "OFF":Ugs=0 V
>
> Mfg

[Werner H. (werner45)]

Der rechts vom Triodenbereich liegende Teil wird auch als 
Pentodenbereich bezeichnet (In Anlehnung an die -früher- gut bekannten 
Röhrenkennlinien).
Da ist nichts gesättigt, aber der (differentielle) Innenwiderstand ist 
sehr viel höher als im Triodenbereich. Das heißt, bei großer 
Spannungsänderung gibt es nur eine kleine Stromänderung. Der fließende 
Strom hängt fast nur von der Ugs ab.
Genaueres findet man in der Grundlagenliteratur wie Tietze-Schenk oder 
Art Of Electronics.
Ich empfehle, dort naqchzulesen.

Gruß   -   Werner

[Michael B. (laberkopp)]

Stefan U. schrieb:
> Das ist der Bereich, in dem man den Transistor als Schalter betreiben
> möchte.

Sicher niemals. Aber bei dem Kenntnisstand kein Wunder, daß die Foristen 
hier ihre liebe Not mit UGS(th) und dem erfolgreichen Durchschalten 
eines MOSFETs haben.

> In dieser Zone ist der Innenwiderstand möglichst gering.

Nö, dort ist der Strom ID möglichst gering, die Kurve zeigt nicht den 
Widerstand, sondern den Strom bei gegebener Spannug an.

[THOR (Gast)]

Michael B. schrieb:
> wird, also der lineare Betrieb des MOSFET als gesteuerter Widerstand.

Gesteuerte Stromquelle. Id ist (fast) nicht f(Uds).

[Stefan F. (Gast)]

> Aber bei dem Kenntnisstand kein Wunder,

jaja, der Laberkopp reisst mal wieder halbe Texte aus ihrem Zusammenhang 
um anschließend darüber zu pöbeln. Denst du, so einen Experten-Status zu 
erhalten?

So, und jetzt nochmal meine Aussage mit Kontext:

> Ich bin auch unsicher, ob das der richtige Begriff ist.
> ... der Bereich rechts von schraffierten Zone.
> Das ist der Bereich, in dem man den Transistor als Schalter
> betreiben möchte.

Und jetzt kommst du: "Sicher niemals."

Bitte erkläre, warum Du einen MOSFET als Schalter "sicher niemals" in 
diesem Bereich betreiben möchtest.

[Stefan F. (Gast)]

Stopp mal, ich nehme alles zurück!

Irgendwie hatte ich im Kopf, dass die Y-Achse=Ugs sei und die 
X-Achse=Ids

Aber das ist ja gar nicht der Fall! Jetzt kappiere ich auch die 
Irritation um das Wort "Sättigungsbereich".

> der Mosfet arbeitet als Schalter im Sättigungsbereich

Nein, als Schalter will man ihn außerhalb des Sättigungsbereiches 
halten.