FET Beschreibung hier in Beschreibung falsch?

[Ronny (Gast)]

Es gibt hier eine Beschreibung zum Thema FET. Da steht folgendes:


Beim N-Kanal FET muss die Gatespannung positiv gegenüber Source sein. 
Dabei wird der FET dann leitend, wenn die sogenannte "threshold voltage" 
(Schwellenspannung) erreicht wird. Eine typische Anwendung ist z. B. ein 
Low-Side Schalter: Source an GND, Drain an die Last, Ansteuerung des 
N-Kanal FETs mit 12V gleichbedeutend mit 12V ÜBER den Source = GND 
Potential.

Beim P-Kanal FET als HS-Schalter muss die Gatespannung 
negativer=niedriger als das Sourcepotential sein.Beispiel. Beispiel: 
Lastspannung = 400V d.h. Source an 400V, Last zwischen Drain und GND, 
Ansteuerung des P-Kanal FETs mit 388V, also 12V UNTER dem 
Sourcepotential.

Beim N-Kanal FET als HS-Schalter muss die Gatespannung positver=höher 
als das Sourcepotential sein. Beispiel: Lastspannung = 400V d.h. Last an 
400V, Drain an die Last, Source an GND, Ansteuerung des N-Kanal FETs mit 
412V, also 12V ÜBER dem Sourcepotential. In diesem Fall ist aber eine 
zusätzliche Spannungsquelle erforderlich, denn der FET wird mit einer 
Spannung über der Lastspannung eingeschaltet.


Ich bin da nicht wirklich sicher, aber ist der 3. Teil "N-FET als HS" 
nicht falsch?
Müsste es nicht heißen:
Source an 400V, Last zwischen Drain und Gnd. Ansteuerung mit 412V?

[hinz (Gast)]

Ronny schrieb:
> Ich bin da nicht wirklich sicher, aber ist der 3. Teil "N-FET als HS"
> nicht falsch?
> Müsste es nicht heißen:
> Source an 400V, Last zwischen Drain und Gnd. Ansteuerung mit 412V?

Nein.

[Ronny (Gast)]

Gibts da ne Erklärung auch?
Für mich unterscheidet sich der Anschluss davon nicht vom 1. Anschluss. 
Und da reichen doch 12V...

[Ronny (Gast)]

Außerdem heißt für mich High-Side dass Positiv geschaltet wird und die 
Last nach dem Schaltorgan kommt.
Wie die HS (BTS) in der KFZ-Technik, die ja auch + schalten

[Magnus M. (magnetus)]

Beim N-FET als HighSide Schalter liegt Source an der Last und Drain an 
der Versorgungsspannung. Die Last hängt  zwischen Source und GND. Um die 
Versogunsspannung sicher auf die Last zu schalten muss das Gate deutlich 
(Us++Uth) über der Sourcespannung liegen.

[Ronny (Gast)]

Somit stimmt die Beschreibung also NICHT. Wie ich es herauslese...

[Editor (Gast)]

Ronny schrieb:
> Somit stimmt die Beschreibung also NICHT. Wie ich es herauslese...

Stimmt doch alles, was hast du nur...

[Ronny (Gast)]

Sorry habs auch falsch geschrieben.
Also

Drain an 400V, Last zwischen Source und Gnd. Ansteuerung mit 412V?

[Ronny (Gast)]

Editor schrieb:
> Ronny schrieb:
> Somit stimmt die Beschreibung also NICHT. Wie ich es herauslese...
>
> Stimmt doch alles, was hast du nur...

Du schreibst:
"Last ZWISCHEN Source und Gnd"

Beschreibung sagt:
"Source AN Gnd"

???

[Editor (Gast)]

Ist doch schon geändert. Wollte nur anmerken daß du einen 
offensichtlichen Fehler auch selbständig korrigieren darfst, dafür isses 
ja ein Wiki.

[Ronny (Gast)]

Ah ok.
Ich bin hier nicht oft. Und sooo sicher bin ich mir da eben nicht. Bin 
was FET betrifft nicht so bewandert (sonst wärs mir ja nicht aufgefallen 
beim lesen) Und bevor ich was richtiges in Blödsinn ändere frag ich halt 
lieber...

Danke