Hallo! Ich suche ein IC wie den SPST ADG701 mit +-10pA Leckstrom. Aber ich hätte gerne noch weniger Leckstrom! Ich fürchte mit dem ADG701 habe ich schon das Ende der Fahnenstange erreicht. Oder hat jemand nen Tipp? Relais sind zu groß. Evtl. wäre MEMS eine Option? MfG, Yoschka
Da http://www.analog.com/en/products/switches-multiplexers/analog-switches-multiplexers.html such Dir was aus - geht runter bis 1p.
Hm, ich glaube ich muss einsehen, dass hier das Ende der Fahnenstange erreicht ist. Die Schalter mit <10pA haben einen für mich zu hohen Innenwiderstand. Bzw. passt der Aussteuerungsbereich nicht. Auf anderen EDA Boards wird geraten bei unter 10pA auf diskrete FETs zu setzen.
Yoschka schrieb: > Hm, ich glaube ich muss einsehen, dass hier das Ende der Fahnenstange > erreicht ist. Wenn man an DIESEM Punkt angelangt ist, sollte man seine Anforderungen hinterfragen... Wozu braucht man einen derart kleinen Leckstrom und zugleich einen kleinen Ron?
Wie muss man sich eine Platine vorstellen, deren Leckströme nochn weit unter diesen Werten liegen, damit der Chip Sinn macht? Oder ist der Chip gar nicht zum Benutzen gedacht, sondern nur Nippes? :-)
Yoschka schrieb: > Auf anderen EDA Boards wird geraten bei unter 10pA auf diskrete FETs zu > setzen. Welche dann auch nicht so weit runter spezifiziert sind. Oder kennst du da welche? Ich hätte gerne Transistoren und FETs welche garantiert kleiner 100nA haben auch noch bei 85°C. Bis jetzt bin ich nicht fündig geworden obwohl meine Anforderung 10.000 mal harmloser ist. Auch wenn manche Transistoren typisch in der pA Gegend liegen, kenne ich keinen Hersteller, der dir das garantiert. Vor allem auch weil das keiner in der Massenfertigung auch messen will - zu hohe Prüfzeiten/kosten.
> welche garantiert kleiner 100nA haben
Schonmal SM103/SM104 (RFT) probiert?
Denen wuerde ich das glatt zutrauen, da echte MOS.
Haben aber leider ein Plastegehaeuse.
Die sollten allerdings beim Kauf noch die originale
Loetbruecke drin haben...
Yoschka schrieb: > Die Schalter mit <10pA haben einen für mich zu hohen Innenwiderstand. > Bzw. passt der Aussteuerungsbereich nicht. Das passiert, wenn man sämtliche wichtigen Details geheim hält. Für die meisten Probleme gibt es auch andere Lösungswege. Z.B. könnte eine Schalteranordnung als T-Glied oder ein active guard die Sache entschärfen. Nur "+-10pA" in den Raum zu werfen, reicht da aber bei weitem nicht an Information. Wichtig ist vor allem, zu begründen, wie man auf diese Anforderungen gekommen ist. Ein Rechenfehler ist schnell passiert.
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Stefan S. schrieb: > Yoschka schrieb: >> Hm, ich glaube ich muss einsehen, dass hier das Ende der Fahnenstange >> erreicht ist. > > Wenn man an DIESEM Punkt angelangt ist, sollte man seine Anforderungen > hinterfragen... Wozu braucht man einen derart kleinen Leckstrom und > zugleich einen kleinen Ron? TIA mit Fotodiode. Das Gain soll umschaltbar sein. 100k und 10M. Bzgl. 100k brauche ich ein kleines Rdson. Ein Schalter mit 1k Rdson und 1pA Leakage ist hier schon zu hochohmig(bzw. dessen Drift). Bei 10M kriege ich Probleme mit den 10pA des ADG701.
Angehängte Dateien:
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Tia.png
6,7 KB
Yoschka schrieb: > TIA mit Fotodiode. > Das Gain soll umschaltbar sein. > 100k und 10M. Wer zwingt Dich, an der absolut ungeeignetsten Stelle zu schalten? Nimm nen 2. OPV und schalte dahinter um. Da geht der billigste Analogschalter.
> TIA mit Fotodiode. > Das Gain soll umschaltbar sein. Und warum machst du das nicht mindestens zweistufig? Damit sind dann alle (?) Probleme erschlagen und es wird von der Signalqualität (Rauschen) her vermutlich nicht mal schlechter, da du so die erste Stufe layouttechnisch optimieren kannst. Ich habe vor Urzeiten selbst mal so ein Design (mit)gemacht. Rf war 22M in der 1. Stufe und die Gainumschaltung dann in der 2. Stufe. Da waren zwei Hamamatsu S7510 Fotodioden drin mit einer Gesamtfläche von 132mm2!
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Bearbeitet durch User
Die Anforderungen sind ähm, ziemlich blöd. Die Basisverstärkung macht der TIA mit 100k, dann sollen mittels Schalter am TIA 3M1 wirken, 32fache Verstärkung. Dahinter ist ein PGA oder ein Inv. Verstärker(Umschaltbar) mit v= 2 4 8 16 32. Mit 32*32 könnte ich dann bis zu 1024 fach verstärken. Und das gibt wohl heftig Noise, wo man doch sagt möglichst viel in der ersten Stufe verstärken. Also wollte ich möglichst viel im TIA verstärken können. So bis 10M Ohm bekommt man noch gut driftarme(25ppm/°C) Widerstände.
Angehängte Dateien:
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TIA__um.png
3,8 KB
Die gezeigte 2 Stufenschaltung hat allerdings das höhere Rauschen des 100 K Widerstandes. Das kann in einigen Fällen gehen, aber nicht immer. Auch so kommt es darauf an wo man umschaltet und ggf. das Signal abgreift. Man kann z.B. das Signal direkt vom 100 K Widerstand abgreifen, so dass der On_widerstand praktisch nicht mehr stört (solange er unter 10 K bleibt). Der vom Leckstrom kritische Schalter sieht dann ggf. auch eine sehr kleine Spannung - < 10 pA Leckstrom bei einer Spannung im mV Bereich sind schon nicht mehr so schwierig. Das kriegt man ggf. mit einem 74HC4053 und 2 guten Dioden hin. Im Anhang eine Möglich Schaltung, gezeichnet mit JFETs als Schalter, geht aber auch mit CMOS (insbesondere J2-J5 dürften z.B. 2/3 eines 4053 sein).
> wie wäre es mit der alten Trickschaltung?
genau so sah unser Design vor 15 Jahren aus (zweite Stufe)! Das musste
damals nicht extrem rauscharm sein, aber die Gesamtverstärkung über 4
Stufen war astronomisch.
Coulomb schrieb: > Hi, > wie wäre es mit der alten Trickschaltung? > > Grüße Sehr interessant! Der erste Widerstand wird also nicht kurz geschlossen, sondern es wird ihm einer parallel geschaltet. Mal sehen was das bringt.
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