Hey, habe hier einen IRF530N liegen und einen ESP8266. Der Versuch einen LED-Streifen über diese zu schalten scheitert - der Widerstand des Mosfets ist zu hoch. Nun meine Frage: Wo kann ich dies in dem Datenblatt finden: http://pdf.datasheetcatalog.com/datasheet/fairchild/IRF530N.pdf Es würde mir bei der Auswahl passender Mosfets helfen. Grüße, Franz
Franz schrieb: > Wo kann ich dies in dem Datenblatt finden: Continuous Drain Current, VGS @ 10V Er will 10V am Gate für sicheres Durchschalten. VGS(th) Gate Threshold Voltage 2.0 ––– 4.0 V VDS = VGS, ID = 250μA heisst: Unter 2 bis 4V ist er garantiert aus. Darüber kommt bis ca. 4 bis 8V der lineare Bereich.
Das kannt Du am Besten in dem Diagramm zur Transfercharakteristik sehen. Da sieht man, daß 3,3 Volt Ugs den Kollegen nicht sonderlich beeindrucken. -Feldkurat-
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@ Franz (Gast) >Es würde mir bei der Auswahl passender Mosfets helfen. https://www.mikrocontroller.net/articles/FET#Gate-Source_Threshold_Voltage
Feldkurat K. schrieb: > Das kannt Du am Besten in dem Diagramm zur Transfercharakteristik sehen. Nein. Natürlich nicht. Weil das ein "typical" Diagramm ist. Und je nach Exemplar des MOSFETs ist die Kurve um 1V nach links oder 1V nach rechts verschoben.
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Ah, vielen Dank! Diese 2..4V Gate-Threshold-Voltage hatte ich da tatsächlich falsch interpretiert. Das die Toleranzen/Unterschiede bei den Mosfets da sehr groß sind, ist ja etwas schade :D
Michael B. schrieb: > VGS(th) Gate Threshold Voltage 2.0 ––– 4.0 V VDS = VGS, ID = 250μA > > heisst: Unter 2 bis 4V ist er garantiert aus. > > Darüber kommt bis ca. 4 bis 8V der lineare Bereich. so ist das nicht korrekt... korrekt müßte man sagen, der MOSFET geht auf irgendwo zwischen 2V bis 4V, unter 2V ist er garantiert aus. bei 10V ist er garantiert voll auf. Also auf gar keinen Fall annehmen, daß er BIS 4V noch zu ist.
Michael B. schrieb: > Er will 10V am Gate für sicheres Durchschalten. Ne, nur für den niedrigen Rdson der auf der ersten Seite angegeben ist. Figure 8: 2V bei 33A ergibt 60mOhm. Michael B. schrieb: > Darüber kommt bis ca. 4 bis 8V der lineare Bereich. Auch nach 8V noch. Sofern der Strom gering genug ist, natürlich.
Michael B. schrieb: > Nein. > > Natürlich nicht. > > Weil das ein "typical" Diagramm ist. > > Und je nach Exemplar des MOSFETs ist die Kurve um 1V nach links oder 1V > nach rechts verschoben. Kannst Du nicht mal einen WIKI-Artikel verfassen: "Wie interpretiere ich die Kennlinien in einem Datenblatt kreativ?"
THOR schrieb: > Ne, nur für den niedrigen Rdson der auf der ersten Seite angegeben ist. > Figure 8: 2V bei 33A ergibt 60mOhm. Du solltest noch Drain-Source-Voltage ergänzen. Und vielleicht wäre es ganz nett, noch auf das »ergibt« einzugehen. Das ist nichts von außen aufgeprägtes (2V rein, 33A durch), sondern etwas dem Bauteil inhärentes (Quellwiderstand 0). An einem 48V-Netzteil mit 2-5A ist es dennoch ein veritabler Kurzschluss mit 0V, so der MOSFET durchgeschaltet ist. THOR schrieb: > Auch nach 8V noch. Sofern der Strom gering genug ist, natürlich. …den wer genau begrenzt? Das beschränkende Kriterium in Figure 8 ist die Gate-Source-Voltage, da bspw. 5V den Kanal nicht breit genug machen, folglich keine 60mOhm RDSon herrschen, sondern mehr. Deswegen steht in der Ecke rechts unten auch Pulse Duration 80µs und Duty Cycle 0,5% MAX. Bei mehr Drain-Source-Voltage steigt die Verlustleistung aufgrund Innenwiderstands (RDSon) so stark an, dass entweder das Substrat oder die Bonding-Drähte aufgeben. (Produkt aus Spannung und Strom oder Widerstand und Quadrat des Stromes…verrechnet mit Wärmewiderstand und abgeglichen mit Maximaltemperatur) Leider haben es die vielen MOSFET-Hersteller nicht geschafft, einheitliche Begriffe und Datenblätter für MOSFETs zu schaffen. Wenigstens haben die meisten etwas wie Figure 5: SOA – Safe Operating Area – aus der hervorgeht, dass bei 1-2V Drain-Source-Voltage 4-10A als sicher gelten, während Figure 8 bei 1V ganze 10A näherlegt. Immer den niedrigeren Wert nehmen.
Boris O. schrieb: > …den wer genau begrenzt? Der FET oder die Last. Dementsprechend 2 grundsätzlich unterschiedliche Betriebszustände.
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