Hallo, ich baue grad eine PWM Steuerung für ein DC Motor auf. Problem dabei ist ja wenn der Mosfet ausgeschaltet wird das durch die Motorwicklung Spannungsspitzen erzeugt werden und auch der Mosfet anfängt ein wenig zu schwingen. Spannungsspitzen mit einer Freilaufdiode beseitigen ist klar. Das Schwingen beim ausschalten des Mosfet mit einem Snubber Dämpfen ist auch klar. Was mich an dieser Sache interessiert oder mir noch nicht ganz klar ist, wie sieht das mit der Verlustleistung während des Ausschalten beim Mosfet aus? Ich hab mal eine Spannungsverlauf angehängt. Die Gelbe Linie ist direkt an Drain gemessen. Grün ist am Kondensator gemessen. Ist der Mosfet in dieser Zeit noch Leitend und hat dann ja auch eine sehr hohe Verlustleistung oder stellt das nur die Ladekurve am Kondensator dar während der Mosfet in Wirklichleit schon gesperrt ist? Mit einem Kleinerem Kondensator wird die Flanke Steiler aber auch das Überschwingen höher. Ich hoffe ihr versteht was ich meine :) Danke!
Du hast vergessen, den dazugehörigen Schaltplan zu zeigen. Beim Ein- und Ausschalten gibt es Phasen, wo der Transistor nur "halb" eingeschaltet ist. Da fließt ein hoher Strom während eine hohe Spannung anliegt, also hohe Verlustleistung. Bei geringen Ausgangsspannungen (bis ca 20V) bemüht man sich, diese Phase so kurz wie möglich zu halten. Doch wenn die Spannung hoch ist und der Transistor zu schnell aus geschaltet wird, kann der Spannungsteiler aus D-G Kapazität und G-S Kapazität dazu führen, daß die Spannung am Gate zu hoch wird und dieses zerstört. Einen Idealen Schalter gibt es leider noch nicht.
Ist jetzt nicht 100% der Schaltplan denke aber das sollte ausreichen. Hatte bisher noch kein 100%igen gezeichnet die Werte passen aber. Mir geht es ja im Prinzip genau darum ob der FET in dieser Zeit nur "halb" ausgeschaltet ist oder nicht. Weil ohne Snubber liegt die Fall Time gemessen bei 246nS. Wobei das ganze dann Natürlich Schwingt. Meine frage beeinflusst der Snubber die Falltime vom FET? Danke.
bei solchen Fragestellungen ist es grundsätzlich hilfreich, mit nem 2-Strahler Vgs gegen Vds aufzutragen. Das beantwortet dann schon mal die Fragen, wann der MOSFET leitet und wie schnell er geschaltet wird - was man der drain-Spannung allein nicht immer ansehen kann.
Hier nochmal das ausschalt verhalten mit 150nF anstatt 330nF wie im ersten Bild. Steilere Flanke aber auch Gut 1V mehr an Überschwingen.
Mark S. schrieb: > bei solchen Fragestellungen ist es grundsätzlich hilfreich, mit nem > 2-Strahler Vgs gegen Vds aufzutragen. Das beantwortet dann schon mal die > Fragen, wann der MOSFET leitet und wie schnell er geschaltet wird - was > man der drain-Spannung allein nicht immer ansehen kann. Das ist mir neu. Klingt aber nach meiner Problemlösung. Was ist das genau bzw. wie kann ich das machen? Oder meinst du die beiden Spannungen gleichzeitig mit einem Oszi messen? Grün ist Vgs, Gelb Vds. Danke
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Das hatte ich übersehen, ja das hast Du dann schon richtig gemacht. Der langsame Teil am Ende des Vds-Anstiegs korreliert demnach mit 0V gate Spannung. Also ist zu dieser Zeit der MOSFET bereist voll abgeschaltet und ich würde hier von einem nahezu verlustlosen Umladevorgang ausgehen.
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Fet, Diode und Kondensator müssen so nah wie möglich beieinander stehen und möglichst kurz verbunden sein (kleine aufgespannte Fläche des Strompfades). Die Diode muss nicht am Motor, sondern am "Störglied" sitzen, und das ist der FET. Sonst kommt die parasitäre Induktivität der Zuleitung zum Zug. Wenn der Aufbau sauber ist, kommt man in der Regel ohne Snubber aus.
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