Hallo, ich glaube, es zu wissen, bräuchte aber mal ein paar andere Meinungen... Es geht um den Netzanschluß auf einer Leiterplatte für ÜK3 und da um den Isolationsabstand L1 - N. Die Schaltung ist folgendermaßen aufgebaut: 1 Netzanschlußklemme 2 Leiterplattensicherung 2A 3 Filterkondensator C1 4 EMV-Drossel 5 Filterkondensator C2 6 Varistor 7 Lade-NTC 8 Gleichrichter 9 Schaltnetzteil Am Netzanschluß muss Basisisolation eingehalten werden, im Schaltnetzteil reicht dann Funktionsisolation, denn Überspannungen wären hier eh fatal. Meine Frage ist nun, wo genau der Übergang von Basisisolation zu Funktionsisolation stattfindet. Ich vermute, dass nach VDE der Übergang an der Sicherung stattfindet, denn wenn es hinter der Sicherung zu einem Überschlag kommt, knallt die Sicherung durch und alles ist gut. Aus Qualitätsgründen möchte man einen Überschlag verhindern, deshalb wird man im eigenen Interesse bis zur EMV-Drossel oder bis zum Lade-NTC Basisisolation einhalten. Aber spätestens am Gleichrichter sind Überspannung durch die Kapazität des SNT-Kondensators begrenzt, so dass Überspannungen nicht mehr zu erwarten sind. Wie seht ihr das, bin ich da mit meiner Einschätzung richtig??? [ _ ] richtig so [ _ ] nein, ist anders, nehmlich :)
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Bernie B. schrieb: > [ _ ] nein, ist anders, nähmlich ... Wer nämlich, ziemlich oder dämlich mit 'H' schreibt, der ist nämlich ziemlich dämlich!
Route 6. schrieb: > Bernie B. schrieb: >> [ _ ] nein, ist anders, nähmlich ... > > Wer nämlich, ziemlich oder dämlich mit 'H' schreibt, der ist nämlich > ziemlich dämlich! ooops - da bin ich doch immer so stolz auf meine Rechtschreibung! Habs geändert, so bleibts jetzt :) (Abgesehen davon, ich habs mit 'h' und nicht mit 'H' geschrieben. Das wäre ja wirklich däHmlich gewesen)
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Route 6. schrieb: > ziemlich dämlich ist z.B., wegen eines einfachen Rechtschreibfehlers rumzumosern. (Wäre der sinnverfälschend o.ä., könnte man diskutieren, ob eine Korrektur - kein pseudo-kreatives mehrfach-Umlaut-mlich-Gebilde - gut wäre.) Daß der Beitrag zum Thema nichts enthält, ist ein weiterer Kritikpunkt. Und ja, zu versuchen, Dir so etwas zukünftig ausreden, ist mir wert, dafür ebenfalls einen nicht themenbezogenen Beitrag dazuzusetzen. (Ich habe zum Thema nichts beizutragen und hätte nichts geschrieben.) Solche Spitzfindigkeiten haben nämlich schon so manchen Thread in die völlig falsche Richtung gelenkt. Bitte - beherrsche Dich doch.
Hallo Bernie! Schon mal Anschauungsunterricht genommen? Ich schon. Also, auf dem Flohmarkt Schaltnetzteile aller Art erworben, nur um sie auseinander zu nehmen, und zu schauen, wie man das macht. Meine Beobachtung: Meistens (!) sind die Abstände zwischen den Leiterbahnen bis zum Gleichrichter deutlich grösser, oft bis zum Siebelko. Richtig eng wird`s dann am Schalttransistor, aber gerade da tritt die höchste Spannung auf, manchmal mit fatalen Folgen...
> Bernie B. schrieb: > ich glaube, es zu wissen, bräuchte aber mal ein paar andere Meinungen... > Es geht um den Netzanschluß auf einer Leiterplatte für ÜK3 und da um den > Isolationsabstand L1 - N. Die Mindestanstände für Funktionsisolierung stehen in VDE-Normen. Auszüge davon findest man auch im Internet, z.B. hier: https://www.electronicprint.eu/files/rund%20um%20die%20leiterplatte/spannungsfestigkeit.pdf > Die Schaltung ist folgendermaßen aufgebaut: > 1 Netzanschlußklemme > 2 Leiterplattensicherung 2A > 3 Filterkondensator C1 > 4 EMV-Drossel > 5 Filterkondensator C2 > 6 Varistor > 7 Lade-NTC > 8 Gleichrichter > 9 Schaltnetzteil > Am Netzanschluß muss Basisisolation eingehalten werden, Ich meine, der Begriff Basisisolierung hat nix mit Zuverlässigkeit des Gerätes zu tun, sondern mit Schutz vor berührbaren Teilen, welche gefährliche Spannung führen. Das Anschlusskabel hat in der Regel deshalb mind. eine doppelte Basisisolierung. Was danach kommt, hängt von der Schutzklasse ab. https://de.wikipedia.org/wiki/Schutzklasse_(Elektrotechnik) > im Schaltnetzteil reicht dann Funktionsisolation, > denn Überspannungen wären hier eh fatal. In einem qualitätiv hochwertigen Schaltnetzteil werden Halbleiter verbaut, deren Spannungsfestigkeit weit höher als die übliche Nennspannung ist (z.B. 800V...1000V, statt nur 400...600V). Der Varistor begrenzt zwar die Spannung, aber der altert auch. Wenn dann aber ein Überschlag zwischen den Pins die Spannung so begrenzt, dass der Halbleiter nicht durchschlägt, kann ein knapp dimensionierter Abstand evtl. sogar eine Schutzfunktion haben. > Meine Frage ist nun, wo genau der Übergang von Basisisolation zu > Funktionsisolation stattfindet. Das eine ist eine Frage der Sicherheit zwischen gefährlichen Stromkreisen und berührbaren Teilen, das andere ist ein rein funktionelles Problem. > Ich vermute, dass nach VDE der Übergang an der Sicherung stattfindet, > denn wenn es hinter der Sicherung zu einem Überschlag kommt, > knallt die Sicherung durch und alles ist gut. Kommt immer auf die Randbedingungen an. Zu einer EMV-Prüfung gehört auch die Surge (Prüfung auf Blitzlagfestikeit). > Aus Qualitätsgründen möchte man einen Überschlag verhindern, > deshalb wird man im eigenen Interesse bis zur EMV-Drossel oder bis > zum Lade-NTC Basisisolation einhalten. siehe oben. Gruß Öletronika
U. M. schrieb: > In einem qualitätiv hochwertigen Schaltnetzteil werden Halbleiter > verbaut, deren Spannungsfestigkeit weit höher als die übliche > Nennspannung ist > (z.B. 800V...1000V, statt nur 400...600V). Ich kenne das so, daß man bei mit PFC für eine Zwischenkreis von ca. 380-420VDC (Spannungs-)gespeisten Brückenschaltungen sowohl in der PFC als auch den Brücken-Zweigen jeweils mit Spannungsfestigkeiten von 600-650VDC arbeitet. (Unabhängig ob IGBT oder FET.) (Wegen der geregelten Zwischenkreis-Spannung sieht man auch mal (durchaus noch) FETs mit Spannungsfestigkeit von 500VDC, wo dies möglich ist - aber spätestens seit die Hersteller von SJ-FETs praktisch nur noch 600-max.900VDC-FETs herstellen, immer weniger.) Für Topologien mit höheren auftretenden Spannungen hingegen werden gerne (auch, wenn die Spannung > DC-Link bei einem noch funktionierenden "Lossless Snubber" nicht/ nicht in vollem Ausmaß auftritt) dementsprechend höher sperrende Transistoren verwendet. Natürlich ist diese Sicherheitsmarge bei einigen "höherwertigen" Konstruktionen höher, aber 1000V-Si-FETs wird man selten finden. (Für den Großteil d. Topologien vom Großteil d. Entwickler als unnötig eingestuft <---> wie gesagt SJ 600-900VDC ... bedingt sich gegenseitig.) Für einen Single-Stage-PFC-Flyback könnten je nach Relation ÜV/Tastgrad, also angenommen, bei hohem Tastgrad, 800 oder besser 900VDC vonnöten sein. (Obwohl es Flybacks gibt, die mit einem 650V-Schalter (und zwar "recht gut") auskommen - bei niedrigem max. Duty-Cycle, und/oder dem richtigen Snubber.) 400/450VDC-FETs, die früher sehr oft eingesetzt wurden (einfach gleichgerichtete Netzspannung, ca. 320-325VDC), sind seit der Entstehung der 75W-PFC-Grenze weder für die PFC-Stufe selbst, noch für die ca. 400V im DC-Link, noch ausreichend. (Deshalb sank und sinkt ihre Einsatzhäufigkeit <---> sie wurden für SJ-FETs nie berücksichtigt.) Ich wollte das nur richtigstellen bzw. konkretisieren, damit weder nach "schlechten" Netzteilen mit 400V-FETs, noch nach "super-guten" mit 1000V-Schaltern, ohne große Chancen, fündig zu werden, gesucht wird. Und auch feststellen sowie belegen, daß 600V Sperrspannung - gerade mit PFC davor (und auch innerhalb selbiger), und/also vor allem bei Halb- und Vollbrücken, Leistungen >(>)75W - nicht "schlecht", sondern gang und gäbe sind. Selbstverständlich kann man sich bei Eigenbauten/Einzelstücken/"Spezialanfertigungen" ... mehr gönnen. Aber die Industrie macht es meines Wissens genau so, und praktisch unabhängig vom Preis, ebenfalls meines Wissens. Bitte um Korrektur, falls jemand abweichende Informationen hat. In dem Fall bitte ich um aussagekräftige Dokumente/Links, wenn möglich.
U. M. schrieb: > Ich meine, der Begriff Basisisolierung hat nix mit Zuverlässigkeit des > Gerätes zu tun, sondern mit Schutz vor berührbaren Teilen, welche > gefährliche Spannung führen. Ist m.E. nicht ganz korrekt. Basisisolation ist der "... grundlegende Schutz ..." (EN60664-1) und ist für Netzstromkreise auch dort vorgeschrieben, wo nix berührbares in der Nähe ist. Bei berührbaren Teile kommt dann zusätzliche, verstärkte oder doppelte Isolation ins Spiel. Deshalb auch die doppelte Isolation von Anschlußkabeln. > In einem qualitätiv hochwertigen Schaltnetzteil werden Halbleiter > verbaut, deren Spannungsfestigkeit weit höher als die übliche > Nennspannung ist > (z.B. 800V...1000V, statt nur 400...600V). Die hohe Spannungsfestigkeit wird weniger wegen "hochwertig" verbaut, sondern vielmehr wegen der Rückarbeitsspannung des Trafos. Abgesehen von einer gewissen Spannungsreserve versucht man, die Spannungsfestigkeit so gering wie möglich auszuwählen. Nicht wegen den Kosten, sondern weil Halbleiter mit geringeren Sperrspannungen weniger Verluste aufweisen. >> Meine Frage ist nun, wo genau der Übergang von Basisisolation zu >> Funktionsisolation stattfindet. > Das eine ist eine Frage der Sicherheit zwischen gefährlichen > Stromkreisen und berührbaren Teilen, das andere ist ein rein > funktionelles Problem. Sicherheit ist bei berührbaren Teilen gefragt, da reicht aber Basisisolation nicht aus. Bei meiner Frage geht es aber genau um die Basisisolation zwischen L1 und N. Am Netzeingang meiner Leiterplatte ist bei geschlossenem Gehäuse weit und breit nix Berührbares, deshalb auch keine verstärkte Isolation. Wenn dazwischen der Funke überspringt, dann rummst es ein bisschen und die vorgeschaltete Sicherung fliegt raus, das ist aber für Leib und Leben nicht gefährlich. Mein Verständnis ist, das Netzstromkreis IMMER mindestens Basisisolation erfordern. Wenn berührbare Teile in der Nähe sind, dann Basisisolation plus zusätzlicher Schutz (z.B. verstärkte, doppelte Isolation oder PE-Kontakt). Wenn nix Berührbares und keine Isolation zu unmittelbaren Netzstromkreisen oder anderen Stromkreisen erforderlich ist, dann ist Funktionsisolation ausreichend.
Hallo, > Bernie B. schrieb: > U. M. schrieb: >> Ich meine, der Begriff Basisisolierung hat nix mit Zuverlässigkeit des >> Gerätes zu tun, sondern mit Schutz vor berührbaren Teilen, welche >> gefährliche Spannung führen. > Ist m.E. nicht ganz korrekt. > Basisisolation ist der "... grundlegende Schutz ..." (EN60664-1) > und ist für Netzstromkreise auch dort vorgeschrieben, > wo nix berührbares in der Nähe ist. mir liegt hier zu Hause keine VDE-Norm vor, deshalb kann ich jetzt auch nicht ganz genau sagen, wie die Brgriffe definiert sind. Allerdings wird der Begriff "Basisisolierung" auch in Verbindung mit der "Schutzklasse I" genannt. https://de.wikipedia.org/wiki/Schutzklasse_(Elektrotechnik)#Schutzklasse_I_.2F_Schutzleiter Auch in Verbindung mit dem Begriff "Fingersicherheit" ist Basisisolierung quasi der Mindeststandard. Ich meine deshalb, dass in allen Fällen, wo es nicht um die Berührbarket geht, die Funktionsisolierung der richtige Beriff sein sollte. Dafür gibt es aber auch Tabellenwerte in den VDE-Normen. > Bei berührbaren Teile kommt dann zusätzliche, verstärkte oder doppelte > Isolation ins Spiel. Deshalb auch die doppelte Isolation von > Anschlußkabeln. Nicht bei "Schutzklasse I" zwingend. >> In einem qualitätiv hochwertigen Schaltnetzteil werden Halbleiter >> verbaut, deren Spannungsfestigkeit weit höher als die übliche >> Nennspannung ist >> (z.B. 800V...1000V, statt nur 400...600V). > Die hohe Spannungsfestigkeit wird weniger wegen "hochwertig" verbaut, > sondern vielmehr wegen der Rückarbeitsspannung des Trafos. > Abgesehen von einer gewissen Spannungsreserve versucht man, die > Spannungsfestigkeit so gering wie möglich auszuwählen. > Nicht wegen den Kosten, sondern weil Halbleiter mit geringeren > Sperrspannungen weniger Verluste aufweisen. Ja, dem kann ich nicht direkt widersprechen. Ich denke, irgend wo zwischendrin liegt das Optimum. Ich würde keine Halbleiter auswählen, die nur sehr knapp über der Nennspannung liegen. Andere Aspekte spielen natürlich auch eine Rolle. > Sicherheit ist bei berührbaren Teilen gefragt, da reicht aber > Basisisolation nicht aus. Das hängt, wie schon geschrieben, von dem Schutzkonzept ab. > Am Netzeingang meiner Leiterplatte ist bei geschlossenem Gehäuse weit > und breit nix Berührbares, deshalb auch keine verstärkte Isolation. Dann geht es IMHO auch nur um Funktionsisolierung. Gruß Öletronika
Nach meinem Verständnis darfst Du ab dem Varistor auf ÜK1 zurück. Der sorgt ja dafür das die Prüfschärfe von ÜK1 nicht überschritten werden kann. Das hilft schon einiges, ab da sind dann eh die Kriechstrecken dominant. viel Erfolg hauspapa
U. M. schrieb: > ist bei geschlossenem Gehäuse weit und breit nix Berührbares, deshalb auch >keine verstärkte Isolation. Genau dieses geschlossene Gehäuse IST deine verstärkte Isolation. Hast Du mit der Formulierung "weit und breit" gut getroffen. (Oder wenn aus Metall geerdet, SK1 und Basisisolation)
hauspapa schrieb: > U. M. schrieb: >> ist bei geschlossenem Gehäuse weit und breit nix Berührbares, deshalb auch >>keine verstärkte Isolation. > > Genau dieses geschlossene Gehäuse IST deine verstärkte Isolation. Hast > Du mit der Formulierung "weit und breit" gut getroffen. > (Oder wenn aus Metall geerdet, SK1 und Basisisolation) Richtig, deshalb habe ich an der Stelle keine Probleme mit Schutz gegen gefährlichen Spannungen zu tun. Aber nach meinem Verständnis muss ich ja zwischen L1 und N dennoch Basisisolation einhalten, da es Netzstromkreis mit definierter Überspannungskategorie sind. Aber innerhalb vom SNT-Primärkreis hab ich immer noch nichts mit gefährlichen Spannungen tun, aber da ich 1. durch die Sicherung einen gewissen Schutz habe und 2. durch Varistor und SNT-Kondensator Überspannungen gefiltert sind. Ich bin aber immer noch nicht sicher, wo genau der Übergang zur Funktionsisolation ist. Ich vermute ja, dass der Übergang da ist, wo micht gewisse Impedanzen zum Netz trennen. Der Varistor alleine wird es nicht tun, denn so ein kleiner Varistor unmittelbar am Netzeingang wird bei energiereichen Impulsen eher zerstört werden als dass er nenneswert schützt. Deshalb sitzt der Varistor hinter der EMV-Drossel. So vermute ich ja auch, dass ich ab der EMV-Drossel Funktionsisolation machen darf. Oder ???? ( verstärkte Isolation brauche ich natürlich zum Sekundärkreis, da muss ich natürlich den vollen Schutz von ÜK3 zu SELV einhalten... )
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