Hallo, ich möchte einen PWM Signal ("Sinusförmig", 0-5V, 1KHz, may ~40mA) mit Hilfe eines N-Kanal Mosfet in Strom und Spannung (0-12V, max. ~10A) verstärken. Als Treiberstufe würde ich gerne Transistoren verwenden, keinen fertigen IC. Die erste Frage wäre, wie ich berechnen kann, welcher Strom nötig ist um bei gewählter Frequenz die Gatekapazität schnell genug zu leeren. (Eventuell mit passemder Schaltung) Da ich mit Fets nur begrenzt Erfahrung habe, wäre auch noch intressant WO ich das PWM Signal TP-Filtern muss, um am Ausgang annährend einen Sinus zu erhalten (Vor dem Treiber, Vor dem Gate, Ausgang). PS: Falsche Aussagen/Annahmen dürfen gerne richtig gestellt werden, lerne gerne dazu :) MfG. Christoph
Christoph schrieb: > ich möchte einen PWM Signal ("Sinusförmig", 0-5V, 1KHz, may ~40mA) mit > Hilfe eines N-Kanal Mosfet in Strom und Spannung (0-12V, max. ~10A) > verstärken. Schreib doch einfach mal dazu, WAS du damit ansteuern willst. Was soll mit den 0-12V betrieben werden? Denn eine PWM nimmt man normalerweise, um bei einer gegebenen Spannung einen einstellbaren Strom zu erzeugen. Und erst mit einer zusätzlichen Spule und etwas drumrum wird wieder eine Spannung daraus (Stichwort: Schaltregler). > Da ich mit Fets nur begrenzt Erfahrung habe, wäre auch noch intressant > WO ich das PWM Signal TP-Filtern muss, um am Ausgang annährend einen > Sinus zu erhalten (Vor dem Treiber, Vor dem Gate, Ausgang). Welche Frequenz soll denn dieser Sinus haben? Wieder 1kHz? Dann müsste deine PWM-Endstufe mit deutlich höherer Frequenz arbeiten. Sieh dir dazu einfach mal an, wie Class-D Audioendstufen funktionieren: https://de.wikipedia.org/wiki/Klasse-D-Verst%C3%A4rker
Am Ausgang soll sich eine Spule befinde, an der der Sinus anliegen soll. Frequenz des Sinus soll 50Hz sein. Im Endeffekt läufts auf die Leistungsstufe eines Wechselrichters hinaus. Mfg. Christoph
Christoph schrieb: > Am Ausgang soll sich eine Spule befinde, an der der Sinus anliegen > soll. > Frequenz des Sinus soll 50Hz sein. > Im Endeffekt läufts auf die Leistungsstufe eines Wechselrichters hinaus. > Im Endeffekt läuft es auf eine H Brücke hinaus, wenn es einphasig sein soll. https://en.wikipedia.org/wiki/H_bridge Deine Frage bezieht sich jetzt darauf, wie die Treiberstufe der einzelnen Transistoren aussehen soll, um das Gate der FETs schnell zu laden/entladen. Und du möchtest diese Treiberstufe gerne diskret aufbauen. Dazu kann man diesen Artikel als Referenz heranziehen: https://www.mikrocontroller.net/articles/Treiber Wobei ich ein IC empfehlen würde. Gruß,
Christoph schrieb: > WO ich das PWM Signal TP-Filtern muss Hinter der Endstufe, also am Ausgang. Die Endstufe arbeitet nur dann wirtschaftlich, wenn sie hart schaltet, ansonsten würde es in den MOSFet zu viele Verluste geben. Danach am Ausgang ein auf die Frequenz abgestimmtes LC Filter, welches den geplanten Strom verträgt. 1kHz PWM Rate ist sehr niedrig - da wird normalerweise etwas schneller getaktet.
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