Gatespannung höher als Drain-Sourcespannung

[Guybrush (Gast)]

Hi,

ich bin mir gerade nicht mehr ganz sicher ob das geht, deswegen frage 
ich nochmal nach hier.

Ich habe eine 3,3Volt Schaltung. An dieser möchte ich nun eine Spannung 
gegen Ground ziehen und dafür soll ein Atmega auf 5V verwendet werden. 
Kann ich die 5V einfach auf das Gate geben und die 3,3V DS haben oder 
führt das zu Problemen.

Ich finde sonst auch keine THT MOSFETs die bei unter 3v schon 
durchschalten.

Grüße Guybrush

[Achim S. (Gast)]

Guybrush schrieb:
> Kann ich die 5V einfach auf das Gate geben und die 3,3V DS haben oder
> führt das zu Problemen.

Wenn der FET durchschaltet (also 5V an GS anliegen) geht das Drain 
ohnehin gegen 0V. Ob jenseits des "Arbeitswiderstands" dann 3,3V oder 
10V anliegen ist dem FET egal, davon sieht er nichts.

Und wenn der FET sperrt (0V an GS) ist es ihm auch egal, ob U_DS=3,3V 
ist oder 5V.

Du kannst es also ruhig so machen wie geplant.

[W.S. (Gast)]

Ansonsten eine Schutzdiode gegen Drain / VDD.