Mosefet Source an VCC - Drain immer auf VCC Potential

[Wurstel (Gast)]

Hallo Forum,

Folgender Sachverhalt zu Mosfet als Schalter:

N-Kanal Mosfet mit Source an VCC (5 VDC).

Gate an VCC (0V Gate-Source) > Drain hat VCC Potential
Gate an GND (5 V Gate-Source) > Drain hat VCC Potential


Das verstehe ich nicht. Kann mir das jmd. erklären? Normalerweise sollte 
doch Drain bei 0V Gate-Source gesperrt sein und GND Potetial haben?

Wenn ich GND an Source lege, dann funktioniert das Schalten über die 
Gatespannung und ich habe am Drain je nach Gatespannung VCC oder GND 
Potential. Habe mehrere N-Kanal FETs ausprobiert - immer das Gleiche.

[Achim S. (Gast)]

Wurstel schrieb:
> Normalerweise sollte
> doch Drain bei 0V Gate-Source gesperrt sein und GND Potetial haben?

Der FET sollte dann sperren. Damit legt nicht mehr der FET das 
Drain-Potential fest, sondern der Rest der Schaltung. (aber GND wird es 
sicher nicht sein).

Denn wenn die Drain-Spannung beim nFET unterhalb der Source-Spannung 
liegt, beginnt die Substratdiode des MOSEFET zu leiten. Du wirst am 
Drain also nicht weniger als Vcc-0,7V sehen können, egal was du mit dem 
Gate machst.

[Wurstel (Gast)]

Wenn ich mit dem Voltmeter zwischen GND und Drain messe sollte ich ja 
GND Potential bekommen und 0 bzw. 5 V messen können (je nach 
Gatespannung), oder?

[karadur (Gast)]

Source gehört an GND.

Bei Source an VCC leitet die Bodydiode immer.

[Wurstel (Gast)]

bzw. 0,7 V

[karadur (Gast)]

Sonst P-Mosfet nehmen.

[Wurstel (Gast)]

Man, seid ihr schnell. Ok, dann werde ich Sourc immer an GND legen.

[Michael B. (laberkopp)]

Wurstel schrieb:
> Das verstehe ich nicht.

Warum nicht ?

Nie nachgelesen, wie ein MOSFET funktioniert ?

Warum benutzt du dann einen ?

Ein N-MOSFET mit Source an 5V wird immer Strom nach GND leiten, weil die 
eingebaute Diode immer leitet, egal ob UGS=0V (MOSFET sperrt) oder 
UGS=-5V (MOSFET sperrt noch besser). Die Diode ist sogar in den üblichen 
Datenblättern eingezeichnet, man kann sie also kaum übersehen, nur bei 
doppeläugiger Blindheit. Setzt man UGS auf +5V, also wenn S an VCC=+5V 
ist das Gate auf +10V, dann leitet der MOSFET an der eingebauten Diode 
vorbei, es werden also nicht mehr (je nach Strom ca.) 0.7V 
Spannungsabfall sondern knapp 0V Spannungsabfalle (=Verlust gegenüber 
den 5V) zur Last Richtung GND.

Wurstel schrieb:
> Wenn ich GND an Source lege, dann funktioniert das Schalten über die
> Gatespannung und ich habe am Drain je nach Gatespannung VCC oder GND
> Potential. Habe mehrere N-Kanal FETs ausprobiert - immer das Gleiche.

Kaum macht man's richtig, schon funktioniert's ?

Allerdings: Achte darauf, daß MOSFETs, die du mit nut 5V am Gate in 
Bezug zum Source ansteuerst, auch LogicLavel MOSFETs sind mit 
garantiertem RDS(on) Wert im Datenblatt bei einer UGS von (meist) 4.5V, 
nicht normale MOSFETs die nur ein Einschalten garantieren wenn UGS bei 
10V liegt.