Tach auch, kann mir jemand sagen, wann man MOS Barrier Schottky den normalen Schottkys den Vorrang geben sollte? Ich nehme mal diese beiden Typen zur Hand https://www.vishay.com/docs/89006/v10p10.pdf https://www.vishay.com/docs/89000/ss10ph10.pdf Beide sind von Ihren Parametern her gleich, haben den selben Einsatzzweck, Selbes Gehäuse und sind vom selben Hersteller - unterscheiden sich nur geringfügig von ihrer Flussspannung und ihrer Avalanchefestigkeit (die ist bei std. Schottky anders als ich dachte scheinbar gravierend geringer). Dennoch haben dennoch ihre parallele Daseinsberechtigung... Aber warum? Macht irgend etwas dem anderen den Gar aus? Ist etwas Robuster/Langlebiger?
Schau dir die Reverse Ströme über Temperatur an.
Beworben werden sie als low Vf Schottky, dafür sperren sie etwas langsamer dafür aber besser.
MaWin schrieb: > dafür sperren sie etwas > langsamer dafür aber besser. Die gezeigte zumindest nicht, die MOS Barrier Schottky hat da wesentlich schlechtere Werte. "Trench MOS Barrier Schottky (TMBS) rectifier: A Schottky rectifier with higher than parallel plane breakdown voltage A new rectifier structure, called Trench MOS Barrier Schottky (TMBS) rectifier, is proposed and demonstrated by modeling and fabrication to have excellent characteristics. Two-dimensional numerical simulations have demonstrated coupling between the charge in the N− drift region and the metal on the trench sidewalls resulting in an improved electric field distribution. For epitaxial layer doping of 1 × 1017cm−3, simulations show that break-down voltages of three times the plane parallel breakdown can be achieved with low leakage current. The measured on-state voltage drops for the devices fabricated using 0.5 μm technology at 60 and 300 A/cm2 were 0.2 and 0.28 V, respectively. Due to smaller drift region resistances, TMBS rectifiers can be operated at large current densities (∼ 300 A/cm2) resulting in small evice sizes." (http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/003811019400166D;https://doi.org/10.1016/0038-1101(94)00166-D) Scheint so, als lassen sich damit Dioden mit ähnlichen Werten, billiger herstellen....?
Frager schrieb: > Dennoch haben dennoch ihre parallele Daseinsberechtigung... Haben sie die wirklich noch? Ich setze Schottky-Dioden jedenfalls nicht mehr ein. Für die Gleichrichtung und Regelung hoher Ströme nimmt man besser MOSFETs. Viele Schaltregler-ICs (z.B. XR76208) haben auch den Low-Side-FET integriert oder stellen dafür die Ansteuerung bereit. Für einen 24V/5A Gleichrichter habe ich den Ansteuer-IC TEA1795T benutzt. Die SMD-FETs (PSMN016-100YS) werden nichtmal handwarm. Und für hohe Spannungen gibt es ja schnelle SI-Dioden, z.B. setze ich die STTH108 bei 350V/50kHz ein.
Peter D. schrieb: > Ich setze Schottky-Dioden jedenfalls nicht mehr ein. Kannst Du das begründen, die Dinger sind doch überall in Mode?
Manfred schrieb: > Kannst Du das begründen, die Dinger sind doch überall in Mode? Die brennen mir zu oft durch. Sie können sich leicht aufschaukeln, da der Sperrstrom sehr hoch ist und mit der Temperatur exponentiell steigt. Z.B. für die MBR40250 werden 30mA bei 125°C angegeben, das sind bei 250V schon 7,5W Abwärme in Sperrichtung. Bei hohen Spannungen ist also eine schnelle Si-Diode eindeutig im Vorteil. Und bei kleinen Spannungen ist ein geschalteter MOSFET das Optimum. Der MOSFET mag vielleicht teurer sein, aber dafür spart man den Kühlkörper mit Montageaufwand ein. Wie schon gesagt, viele moderne Schaltregler arbeiten mit MOSFETs anstelle der Schottky-Diode.
Peter D. schrieb: > Die brennen mir zu oft durch. Sie können sich leicht aufschaukeln, da > der Sperrstrom sehr hoch ist und mit der Temperatur exponentiell steigt. Danke!
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