Bei uns wurden Mosfets oberflächlich in einer Vorlesung angesprochen und meine grundsätzliche Frage dazu steht ja schon im Titel. Mein Verständnis: 1. Wenn das Potential an der Gate größer (positiver) ist als an Source/Bulk (i.d.R. gleiches Potential), dann bildet sich ein negativ geladener Ionen“kanal“(1) unterhalb der Metallisolatorschicht des Gate zwischen den beiden n-dotierten Zonen. (Größe der benötigten Potentialdifferenz (= V zw G und S) zur Bildung kann variieren.) Dadurch hat man jetzt eine leitende Verbindung zwischen source und drain. 2. Aus meiner Sicht sollte der Kanal in beide Richtungen leiten. Da sind ja freie Elektronen hin und die gehen halt einfach dahin wo es positiver ist, während von der anderen Seite Elektronen nachkommen. Also wenn ich einen recht negative source habe, den drain aber noch negativer regle sollte die Elektronenflussrichtung von drain zu source sein. Da die Anschlüsse aber drain u. source heißen vermute ich mal das das falsch ist, ohne aber zu wissen wieso. Ich bin mir sicher man kann dazu noch viele weitere wichtige technische/chemische Sachen sagen, nur aktuell interessiere mich nur für die Stromrichtung und die gröbsten Prinzipien/Merkregeln dazu wieso es so ist u. nicht für den tieferen technischen Hintergrund. Grüße ------------ (1) oder so - auf jedenfall bewegliche Ladungsträger
Danke für die Antwort. Das heißt wenn source negativer ist als drain fließen die Elektronen von source zu drain und wenn drain negativer ist als source dann von drain zu source, richtig? (So lange source negativer ist als gate.) Habe mich noch nicht so genau damit beschäftigt, aber gilt das dann auch für p-Kanal selbstsperrende MOSFET? Also das drain oder source das Negativste sein kann u. die Elektronen entsprechend fließen?
nutzer schrieb: > ... und meine grundsätzliche Frage dazu steht ja schon im Titel. Die Elektronen fließen im MOSFET in die gleiche Richtung, wie in einem Draht - immer in Richtung des Potentialgradienten (solange kein Magnetfeld vorhanden ist).
Prinzipiell sind Source- und Drain-Anschluss zunächst gleichwertig. Meist ist der Aufbau aber nicht symmetrisch, um ein besseres Verhalten zu erzielen. Außerdem wird bei den meisten Bauformen Bulk intern elektrisch mit Source verbunden, da ein Potentialunterschied zwischen Source und Bulk die Eigenschaften des Transistors (vor allem die Schwellenspannung) negativ beeinflusst (body effect). Auf die grundlegende Funktion hat diese Verbindung keinen Einfluss. Allerdings entsteht zusätzlich eine Diode zwischen Bulk- und Drain-Anschluss, die parallel zum eigentlichen Transistor liegt. https://de.wikipedia.org/wiki/Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor
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