Avalanche Festigkeit bei parallelen FETs?

[Konfus'ius (Gast)]

Hallo Leute,

ich muss relativ dicke Ströme (30A) bei 48Vdc Highside trennen und 
zuschalten (1-2x pro Stunde) und frage mich, ob es besser ist, mehrere 
"kleinere" FETs parallel zu nehmen oder eher einen "dicken"?

Ich habe früher schon einmal das Problem, das mir bei paralleler 
Beschaltung häufiger die "kleinen" durchging und dann natürlich auch 
einen Kurzschluss verursachte, was natürlich nachteilig war. Damals habe 
ich mich allerdings für die kleineren entschieden um die Verlustleistung 
der FETs besser abzuführen bzw zu verteilen. War das eine schlechte 
Entscheidung?

Natürlich waren auch 60V TVS-Dioden und Varistoren vorhanden um die 
induktiven Rückspeisungen etwas abzuschwächen. Die beiden nahmen auch 
nie schaden.

Anmerkung zu den FETs
"Kleine FETs": 80-100V FETs; 5-8mOhm; Qg ~50nC; 150-300mJ einfach Pulse 
Avalanche Festigkeit in Power-SO8
"Dicke FETs":  80-100V FETs; 1-3mOhm; Qg ~250nC; 800-1200mJ einfach 
Pulse Avalanche Festigkeit in 7Pin D2Pak

[MiWi (Gast)]

Konfus'ius schrieb:
> Hallo Leute,
>
> ich muss relativ dicke Ströme (30A) bei 48Vdc Highside trennen und
> zuschalten (1-2x pro Stunde) und frage mich, ob es besser ist, mehrere
> "kleinere" FETs parallel zu nehmen oder eher einen "dicken"?
>

1 "Dicker", denn 30A sind nun wirklich nicht sonderlich aufregend 
solange Du die 30A nicht in 1ns schalten mußt. Deine Ansteuerung sollte 
ausreichd solide sein um die entsprechende Gatekapazität zu schupfen...

Und - Freilaufdioden nicht vergessen.

MiWi

[Konfus'ius (Gast)]

MiWi schrieb:
> Und - Freilaufdioden nicht vergessen.

Die war da, wie auch ein einfaches RC-Glied parallel dazu ;)

[nn (Gast)]

Wozu Avalanche Festigkeit ? Was willst du damit ? Das bedeutet 
kontrollierte Leitung wenn die Sperrspannung ueberschritten wird. Da ist 
man schnell mal im Bereich von hohen Leistungen. Ich denke das Konzept 
der Freilaufdiode wurde nicht richtig verstanden. Eine Freilaufdiode 
muss erst Mal ueber der Last sein, und dann allenfalls nochmals ueber 
dem Fet. Der Unterschied : allenfalls ein paar Meter Kabel, weniger 
umschlossene Flaeche, weniger abgestrahlte Stoerung.

[nn (Gast)]

Highside Trennen bedeutet in der Regel ein P-FET, wenn man sich mit 
separater speisung rumschlagen will.

[Silly zu Vester-Knallkopp (Gast)]

Konfus'ius, die Existenz von vollintegrierten, also monolithischen, 
"Smart High Side Switches", und auch dedizierter Treiber für separate / 
diskrete MOSFETs (ebenfalls mit Kurzschlußschutz, UVLO, ...) ist Dir 
bekannt?

Wie sieht Deine Lösung aus, und wofür genau ist die gedacht?

[MiWi (Gast)]

Konfus'ius schrieb:
> MiWi schrieb:
>> Und - Freilaufdioden nicht vergessen.
>
> Die war da,

Deine Aussage im Eröffnungspost lies mich zweifeln.

> Natürlich waren auch 60V TVS-Dioden und Varistoren vorhanden um die
> induktiven Rückspeisungen etwas abzuschwächen. Die beiden nahmen auch
> nie schaden.

> wie auch ein einfaches RC-Glied parallel dazu ;)

und daher wie immer: Schaltungsprosa ist nett aber vollkommen frei von 
Erkenntnisgewinn für die, die gefragt werden.  iaW: ohne Schaltplan geht 
da ab jetzt nix mehr.

MiWi