Beim Bau meines Labornetzteils auf Basis des DPS5005 hätte ich ja die Herausforderung mir 12V aus den 55V Eingang für den Gehäuselüfter zu machen. Herausforderung nur insofern, weil ich keine passenden Bauteile dafür da hatte. Als schnelle Lösung habe ich dann ein 230V-12V Hilink Modul verwendet. Die Herausforderung gefällt mir aber immer noch diese Aufgabe diskret zu lösen, hatte bisher noch keine Gelegenheit einen Buck oder Boost zu bauen oder genauer zu untersuchen. Habe dann ja eine Version aufgebaut, die dann schon mal ganz ok funktioniert hat: Beitrag "Re: 12V aus 50V diskret aufgebaut / mit „Bordmitteln“" Allerdings sind mir dabei die Totem Pole Transistoren abgeraucht, als ich mal die Strombegrenzung des Laborntzteils, dass die 50V liefert rausgenommen hatte. Was logisch ist, weil da schon ganz schöne Ströme zur Ansteuerung des MOSFET fließen. In der Simulation waren es deutlich über 1A, wenn ich mich richtig erinnere. Neben diesem Problem gibt es aber noch ein zweites: Der BC337 des MOSFET Treibers wird auch bei der Spannung über seinen Specs betrieben, laut Simulation bekommt der die vollen 50V/55V ab, ist aber nur für 45V spezifiziert. Gibt es da einen Trick die 10V von ihm zu nehmen?
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Conny G. schrieb: > die Totem Pole Transistoren Das ist keine Totem-Pole-Schaltung, auch wenn`s cool klingt. Conny G. schrieb: > Der BC337 des MOSFET Treibers wird auch bei der Spannung über seinen > Specs betrieben, laut Simulation bekommt der die vollen 50V/55V ab, ist > aber nur für 45V spezifiziert. Du meinst den BC327? > Gibt es da einen Trick die 10V von ihm zu nehmen? Passende Z-Diode in die Kollektorleitung des BC327 und hochohmigen Widerstand vom Kollektor nach +50V. Oder natürlich einen >50V-Uce-Transistor nehmen.
Beitrag #5336131 wurde von einem Moderator gelöscht.
ArnoR schrieb: > Conny G. schrieb: >> die Totem Pole Transistoren > > Das ist keine Totem-Pole-Schaltung, auch wenn`s cool klingt. Ja, sorry, aber ist klar was gemeint ist. > Conny G. schrieb: >> Der BC337 des MOSFET Treibers wird auch bei der Spannung über seinen >> Specs betrieben, laut Simulation bekommt der die vollen 50V/55V ab, ist >> aber nur für 45V spezifiziert. > > Du meinst den BC327? > >> Gibt es da einen Trick die 10V von ihm zu nehmen? > > Passende Z-Diode in die Kollektorleitung des BC327 und hochohmigen > Widerstand vom Kollektor nach +50V. Oder natürlich einen >>50V-Uce-Transistor nehmen. Z und Widerstand sind nicht belastbar, da soll ja einigermassen Strom drüber. Und anderer T ist klar, aber mich interessiert eine Lösung mit demselben T.
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Zenerdiode parallel zu R1, der Strom durch Q1 wird durch R2 bestimmt, den ggf. anpassen.
Conny G. schrieb: > Z und Widerstand sind nicht belastbar, da soll ja einigermassen Strom > drüber. Natürlich geht das. Die Z-Diode muss nur den Pulsstrom beim Umladen des Gate aushalten. Der hochohmige Widerstand dient nur dazu, die Spannung auch im stromlosen Zustand des BC definiert zu halten.
R. M. schrieb: > Zenerdiode parallel zu R1, Und was soll das? R. M. schrieb: > der Strom durch Q1 wird durch R2 bestimmt Richtig, und damit ist auch die Spannung über R1 bestimmt. Daher ist die Z-Diode sinnlos.
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Man könnte jetzt noch einen Elko zwischen dem Pluspol der 24V Z-Diode und dem Pluspol von den 50 Volt schalten. Nachteil: Der PULSE-Generator hängt jetzt nicht mehr an Masse.
Conny G. schrieb: > Z und Widerstand sind nicht belastbar, da soll ja einigermassen Strom > drüber. Jeweils für eine paar ns fließt da ordentlich Strom. Danach ist wieder Ruhe. Im Mittel sieht die Zenerdiode nur ein paar mW. Aus dem selben Grund ist auch folgende Annahme falsch: Conny G. schrieb: > Was logisch ist, weil da schon ganz schöne Ströme > zur Ansteuerung des MOSFET fließen. > In der Simulation waren es deutlich über 1A, wenn ich mich richtig > erinnere. Da fließen vielleicht mal ordentliche Ströme, aber für so kurze Zeiten, dass sie sicher nicht für das Ableben deiner Bipolartransistoren verantwortlich waren. Zumal die Basisströme der Bipolartransistoren ja auch auf 15mA begrenzt sind. Conny G. schrieb: > Und anderer T ist klar, aber mich interessiert eine Lösung mit demselben > T. Schade, damit verbaust du dir genau die mit Abstand sinnvollste Lösung. Wie viel Strom ziehen eigentlich deine Last? Um den FET mache ich mir keine Sorgen, aber die Freilaufdiode (die den Strom über den Großteil der PWM-Periode tragen muss) hält deutlich weniger aus.
Sehe ich das richtig, daß der Mosfet beim Durchschalten ca 25V Ugs erhält? Spezifiziert ist er bis maximal 20V
Geil, in dem Originalschaltplan kriegt der Mosfet sogar irgendwas zwischen 35 und 40V Ugs, oder übersehe ich was? und das hat er ausgehalten?
Der Andere schrieb: > Sehe ich das richtig, daß der Mosfet beim Durchschalten ca 25V Ugs > erhält? Nöö. Die Spannung über R1 ist das 3,33-fache der Spannung über R2, also <15V.
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Der Andere schrieb: > oder übersehe ich was? > und das hat er ausgehalten? Im Originalschaltplan bekommt er sogar 49,3 Volt, faszinierend. Auch mit einer 33V Z-Diode schwebt der PULSE-Generator leider immer noch auf einem höheren Potenzial, aber der MOSFET kriegt jetzt wenigstens nur noch zulässige 17 Volt.
Ach Du grüne Neune schrieb: > Auch mit einer 33V Z-Diode schwebt der PULSE-Generator leider immer noch > auf einem höheren Potenzial, aber der MOSFET kriegt jetzt wenigstens nur > noch zulässige 17 Volt. Was soll das? Die Schaltung ganz oben hier im Thread erzeugt keine zu große Ugs!
Ach ja, im Originalschaltplan ist ja auch noch der 300R Widerstand drin, hab ich übersehen, also dann doch 38 Volt.
Der Andere schrieb: > Spezifiziert ist er bis maximal 20V ArnoR schrieb: > Die Schaltung ganz oben hier im Thread erzeugt keine zu > große Ugs! Ich schau gleich nochmal nach.
Ach Du grüne Neune schrieb: > Ach ja, im Originalschaltplan ist ja auch noch der 300R Widerstand drin, > hab ich übersehen, also dann doch 38 Volt. Nein! ArnoR schrieb: > Die Spannung über R1 ist das 3,33-fache der Spannung über R2, also > <15V.
ArnoR schrieb: > Nöö. Die Spannung über R1 ist das 3,33-fache der Spannung über R2, also > <15V. Ja, aber die 15 Volt sind gegen Masse gemessen, da es sich hierbei aber um einen P-MOSFET handelt, fällt zwischen Gate und Source eine Spannung von unzulässigen 35 Volt ab!
ArnoR schrieb: > Nöö. Die Spannung über R1 ist das 3,33-fache der Spannung über R2, also > <15V. Arno, du weist 100 mal mehr über Transistoren als ich. Aber das ist doch ein P Kanal Mosfet mit Source an 50V gate bekommt über den Spannungsteiler 1k - 300 Ohm also 3/13 von 50V. Ugs = 10/13 * 50V Oder wo ist mein Fehler?
Ach Du grüne Neune schrieb: > Ja, aber die 15 Volt sind gegen Masse gemessen, da es sich hierbei aber > um einen P-MOSFET handelt, fällt zwischen Gate und Source eine Spannung > von unzulässigen 35 Volt ab! Oh Mann, verstehst du die Funktion wirklich nicht? Die 15V liegen nicht gegen Masse sondern über R1. Die 5V-Quelle steuert den Q1 derart, dass an seinem Emitterwidestand im eingeschalteten Zustand 5V-Ube=0,43V liegen. Dadurch wird Q1 zur Konstantstromquelle mit einem Kollektorstrom von Ic=4,3V/300R=14,3mA. Dieser Strom fließt auch durch R1 und erzeugt an dem eine Spannung von UR1=1k*14,3mA=14,3V. Die Ugs ist wegen der Ube des Treibers noch etwas kleiner.
ArnoR schrieb: > dass an seinem Emitterwidestand im > eingeschalteten Zustand 5V-Ube=0,43V liegen. Tippfehler, sollte: > dass an seinem Emitterwidestand im > eingeschalteten Zustand 5V-Ube=4,3V liegen. heißen.
Du hast Recht. Da im Originalschaltplan Q1 nicht voll durchgesteuert werden kann, bleibt nach Deiner ausführlichen Rechnung tatsächlich nur noch eine Spannung von max. 15 Volt für R1 übrig. Das hatte ich auch nicht berücksichtigt. Da muss ich klein beigeben. :/
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