Heatsink auf ein Potential beziehen

[Philipp (Gast)]

Hallo zusammen

Ich will zwei MOSFETs mit Hilfe eines Heatsinks kühlen. Nun stell ich 
mir die Frage, ob ich den Heatsink auf das Ground Potential oder ihn auf 
kein Potential beziehen soll. Der Heatsink des MOSFETs ist auf kein 
Potential bezogen. Ein zusätzlicher Punkt ist, dass mein Ground 
Potetnial auf 175V liegt.
Was sind die Vor- bzw. Nachteile der beiden Varianten?

Gruss
Philipp

[der schreckliche Sven (Gast)]

Philipp schrieb:
> Nun stell ich
> mir die Frage, ob ich den Heatsink auf das Ground Potential oder ihn auf
> kein Potential beziehen soll.

Bei der Beantwortung der Frage gehe ich einfach mal davon aus, daß die 
Mosfets mit 100 kHz schnell geschaltet werden.
Selbstverständlich wird der Kühlkörper(!) mit dem Ruhepotential 
verbunden. Schon ein freistehendes TO220 Gehäuse kann benachbarte 
Schaltkreise stören, ein Kühlkörper mit mehr Fläche erst recht.

[Dieter (Gast)]

Wegen der grossen Flaeche, die unter Spannung stuende,  MOS elektrisch 
isoliert montieren, auch wenn dessen Montageseite nicht mit einem Pin 
verbunden waere.
Heatpipe isoliert anbringen, aber auch mit hochohmigen Widerstand 
anschliessen, dass er sich nicht statisch aufleadt.

[Dieter (Gast)]

Loesung von Sven bei Betrieb, der viel EMV produziert, waere in dem Fall 
passender. Nach Vorschrift muss aber an die Metallteile die Warnung vor 
gefaehrlicher Spannung.

[Philipp (Gast)]

Danke für die raschen Antworten