Hi, ich möchte derzeit einen galvanisch getrennten Gate-Treiber für MOSFETs auslegen. Dabei bin ich auf den ISO5451 *1) von TI gestoßen. Dieser bietet für IGBTs zusätzlich die Möglichkeit einer Sättigungsüberwachung. Mach das bei MOSFETs überhaupt Sinn diese zu beschalten? Mich würde interessieren welchen Nachteil es darstellt diese voll integierte Lösung durch eine Kombination aus nicht getrenntem Treiber wie dem MAX15024 *2) und einem Digitalisolator zu ersetzen. Letztere wäre kostengünstiger. *1) http://www.ti.com/lit/ds/symlink/iso5451-q1.pdf *2) https://datasheets.maximintegrated.com/en/ds/MAX15024-MAX15025.pdf Vielen Dank für eure Anregungen der Interessent
Interessent schrieb: > Mach das bei MOSFETs überhaupt Sinn diese zu beschalten? Nein. Beim FET ist die V_DS vergleichsweise stark variabel. (Kann ein Vorteil oder ein Nachteil sein.) Der Kanal ist im durchgeschalteten Zustand praktisch ein "fester" Widerstand, beim IGBT hat man bekanntlicherweise eher Diodencharakteristik. Beider Bauteiltypen "Vorwärtsspannungen" verändern sich ein wenig mit der Temperatur. Beim IGBT ist bei höherer Temperatur (bei angenommen konstantem Strom) je nach Typ sowohl höhere als auch niedrigere V_CE möglich, beim FET steigt der R_DS(ON) ganz allgemein mit der Temperatur an. Ein zusätzlicher Effekt ist beim IGBT, daß mit steigendem Strom (bei angenommen konstanter Temp.) die V_CE leicht ansteigt. Aber: Bei "desat" steigt die V_CE plötzlich um ein größeres Stück an, über die leichte Variation der V_CE bei verschiedenen Strömen hinaus. Daraufhin wird (zwangs-) abgeschaltet. Da bei FETs die V_DS aber im Großen und Ganzen dem ohmschen Gesetz folgt (und damit V_DS = I² x R_DS(ON) ist), kann man keine "desat" Überwachung realisieren. Das Ganze ergänzt / verstärkt perfekt die Überlegenheit von IGBTs ggbr. FETs bzgl. Kurzschlußfestigkeit. Dafür ist praktisch nur mit FETs besonders hohe "Light Load Efficiency" möglich. Die Wahl "IGBT oder FET" trifft sich je nach Anwendung fast von alleine. Alle Eigenschaften gleich bewertet wären nur relativ selten beide gleich sinnvoll. Doch die Wahl trifft freilich der Entwickler. (Der auch für die Folgen verantwortlich ist.)
Michael B. schrieb: > Vielleicht interessieren dich Danke! Ich habe vergessen dazu zu schreiben, dass für meine Anwendung eine besonders hohe Common Mode Transient Immunity von ca. 100 kV/µs wünschenswert ist. Und auch danke für deine Ausführungen, Kurzschluß. Kurzschluß schrieb: > V_DS = I² x R_DS(ON) Ein Tippfehler? Aber die aussage ist klar. Ich werde sehen wie der Pin beschaltet werden soll, wenn keine Sättigungsüberwachung gewünscht ist.
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