Hallo, ich habe eine eher theoretische Frage zu den Mindestkriechstrecken der VDE 0110, Din 60664-1 und gewissen Gehäusetypen bei Hochspannungsleistungsschalter. Laut Tabelle beträgt bei Verschmutzungsgrad 1 die Mindestkriechstrecke bei einer effektiven Spannung von 630 V, 1.8 mm. Es gibt zum Beispiel viele Mosfets mit Sperrspannungen von 1,2 kV oder mehr, die in einem TO247-4 Gehäuse oder TO263-7 Gehäuse untergebracht sind und somit, falls sie als Highside-Schalter eingesetzt werden, diese Anforderung aufgrund des springenden Potentials verletzen. Wieso dürfen diese Bauelemente trotzdem verwendet werden? oder gilt das nur, wenn man einen zusätzlichen Schutzlack verwendet? Viele Grüße Thomas
Klemm eine Isolierschicht zwichen die Beinchen.
Thomas schrieb: > Laut Tabelle beträgt bei Verschmutzungsgrad 1 die Mindestkriechstrecke > bei einer effektiven Spannung von 630 V, 1.8 mm. Du musst schon unterscheiden zwischen technischen Isolationsabständen und VDE-Normen. Primärseitig zwischen L und N oder gegen PE wäre ein TO-263 in der Tat nicht zulässig. Um eine Spannung im Inneren eines Gerätes zu schalten schon.
@ Thomas (Gast) >Laut Tabelle beträgt bei Verschmutzungsgrad 1 die Mindestkriechstrecke >bei einer effektiven Spannung von 630 V, 1.8 mm. Kann sein. >Es gibt zum Beispiel viele Mosfets mit Sperrspannungen von 1,2 kV oder >mehr, die in einem TO247-4 Gehäuse oder TO263-7 Gehäuse untergebracht >sind und somit, falls sie als Highside-Schalter eingesetzt werden, diese >Anforderung aufgrund des springenden Potentials verletzen. Jo. >Wieso dürfen diese Bauelemente trotzdem verwendet werden? Weil VDE-Normen nicht der Weisheit letzter Schluß sind. >oder gilt das nur, wenn man einen zusätzlichen Schutzlack verwendet? Kann sein, muss nicht. Wenn du in deinem Gerät sicher stellen kannst, daß es nicht verdreckt und betaut, kommt man auch mit kleineren Kriechwegen zurecht.
Hintergrund fuer die Norm ist auch Brandschutz. Eine Leitung des Stromnetzes ist mit 16A abgesichert. Im Geraet ist sicherlich eine niedrigere Sicherung.
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