Guten Morgen zusammen, ich habe ein spannungsgesteuertes Netzteil. Das Referenzpotential für die Steuerspannung liegt auf dem positiven Ausgang. Bezogen auf meine Steuerspannung ist die Netzteil-Ausgangsspannung damit negativ. Durch eine am Netzteil angeschlossene H-Brücke möchte ich die Polarität der Ausgangsspannung des Netzteiles für eine angeschlossene Last umkehren. Eine bestimmte Mindest-Schaltgeschwindigkeit ist nicht gefordert. Mir fehlt gerade die Idee, wie ich mein Steuersignal (+5V ... 0V) so anpasse, dass ich meine H-Brücke (diskret aus P-Kanal und N-Kanal FETs aufgebaut, 0V ... -(1 ... 15)V ) schalten kann. Ich hatte überlegt die Gate-Widerstände über Pulldown auf die negative Spannung zu ziehen, und dann durch entweder hochohmige Steuerleitungen auf die negative Versorgungsspannung zu ziehen (N sperrt, P leitet), oder durch legen auf 0V durchzusteuern (N-Kanal) bzw. zu sperren (P-Kanal). Wenn ich aber beispielsweise den hochohmigen Zustand durch einen N-Kanal-Mosfet realisiere, dessen Source auf 0V, Drain am Pulldown-Widerstand bzw. Gate liegt, dann wird doch unabhängig vom Schaltzustand der Strom über die Body-Diode fließen und mein Gate liegt auf 0V, richtig? Für einen Denkanstoss wäre ich dankbar, freundliche Grüße Benni
Benni schrieb: > Für einen Denkanstoss wäre ich dankbar, Schaltplan bzw Skizze malen. Nicht die wichtigsten Komponenten mit Spannungsangaben vergessen.
Gerne. Ich meinte vorhin die obere Variante in Schaltplan2 - mit nem P-Kanal müsste es aber gehen (unten), oder (abgesehen mal davon, dass ich dann das Gate vom N-Kanal MOSFET auf 20V bezogen auf Source lege)? Grüße Benni
Benni schrieb:
>Strom über die Body-Diode fließen
Wenn die Last ohmisch kann das nie passieren,
nur bei induktiver Last.
Die Spannung zwischen Gate und Source steuert den Transistor, daß ist entscheidend. Überlege was da anliegt.
Hallo Günther, ich meinte die Body-Diode vom N-Kanal Transistor, mit dem ich den hochohmigen Zustand der Steuerleitung realisieren wollte (Schaltung2 oberes Bild). Wenn dort an Drain über den Pulldown-Widerstand eine negative Spannung anliegt, ist die Body Diode doch in Vorwärtsrichtung geschalten und leitet den Strom (0V - (-12V) / R ab. Völlig unabhängig von der Gate-Source-Spannung? Oder liege ich damit falsch?
Benni schrieb: >ist die Body Diode doch in Vorwärtsrichtung >geschalten und leitet den Strom (0V - (-12V) / R ab. Ja, die Schaltung funktioniert so nicht, der Transistor benötigt eine positive Betriebsspannung.
Eben, das hatte ich ja schon so analysiert. Geht denn die Variante mit dem p-Kanal Mosfet (Schaltung2 unten)? Oder würde man das ohnehin ganz anders, direkt schlauer lösen? Dafür fehlt mir gerade aber eine Idee. Grüße Benni
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