Gate-Widerstand im Source-Pfad

[Nikolas (Gast)]

Hallo,

normalerweise wird der Gate-Widerstand ja zwischen Treiber-Ausgang und 
Gate des Transistors verschaltet.

Bei einem isolierten Treiber (mit isolierter Spannungsversorgung) ist es 
ja auch möglich den Gate-Widerstand zwischen Source des Transistors und 
die negative Spannungsversorgung des Treibers zu verschieben. (Also 
innerhalb der Gate-Masche den Widerstand an eine andere Stelle zu 
verschieben).

Welche Vorteile hat diese Konfiguration?
Hat diese Schaltung einen speziellen Namen?

Ich kann mich erinnern dass ich das in irgend einem Dokument über 
Treiber mal erklärt gesehen habe, kann den Artikel aber nicht mehr 
finden.

Danke
Nikolas

[c-hater (Gast)]

Nikolas schrieb:

> Welche Vorteile hat diese Konfiguration?

Keine.

> Hat diese Schaltung einen speziellen Namen?

Nö, wohl weil es eben keinerlei Vorteile ergibt.

Doch, halt: einen Vorteil gibt es vielleicht doch: man könnte damit 
Ausgleichsströme zwischen den beiden GND-Potentialen begrenzen, 
allerdings nur unter Inkaufnahme des Nachteils, dass dann wiederum das 
Gate-Potential undefiniert ist. Irgendwas sagt mir (für den allgemeinen 
Fall): nicht erstrebenswert.

[Wolfgang (Gast)]

Nikolas schrieb:
> Bei einem isolierten Treiber (mit isolierter Spannungsversorgung) ist es
> ja auch möglich den Gate-Widerstand zwischen Source des Transistors und
> die negative Spannungsversorgung des Treibers zu verschieben.

In deiner Schaltung hast du gerade die Potentialdifferenz zwischen 
Ansteuerschaltung und zu steuernder Last auf der Gate-Kanal-Isolation 
des MOSFET abgeladen. Wie stellst du dir vor, dabei das Einhalten der 
Grenzwerte vom FET garantieren zu können?

[Al3ko -. (al3ko)]

Vielleicht könnte der Einfluss der Millerkapazität beim Ausschalten 
reduziert, wenn der Treiber nach dem Kelvin Prinzip an den Schalter 
angebunden wird?

Bin mir allerdings nicht 100%ig sicher, dass das, was ich schrieb, Sinn 
ergibt :-)

[Volker B. (Firma: L-E-A) (vobs)]

Nikolas schrieb:

> Bei einem isolierten Treiber (mit isolierter Spannungsversorgung) ist es
> ja auch möglich den Gate-Widerstand zwischen Source des Transistors und
> die negative Spannungsversorgung des Treibers zu verschieben.
(...)
> Welche Vorteile hat diese Konfiguration?

Das kann in Verbindung mit einer Klemmdiode am Treiber sinnvoll sein.
Diese verhindert, dass bei ungünstigem Layout das Source-Potential des 
Highside-MOSFETs aufgrund von Transienten beim Schaltvorgang unter das 
negative Zwischenkreis-Potential sinken kann. Dieser Diode tut ein 
entsprechender Widerstand gut.

Die negative Spannungsspitze am Source-Anschluss sorgt übrigens dafür, 
dass sich der Bootstrapkondensator auf eine hohe Spannung aufladen kann, 
die dann den Treiber zerstören kann.

Grüßle
Volker

[Nikolas (Gast)]

Danke schonmal

habe zwischenzeitlich den Artikel wiedergefunden in dem 2 Vorteile 
beschrieben werden:
https://www.fairchildsemi.com/application-notes/an/an-6076.pdf
(Kapitel 4.3 und 4.4)

MfG
Nikolas