Hallo, normalerweise wird der Gate-Widerstand ja zwischen Treiber-Ausgang und Gate des Transistors verschaltet. Bei einem isolierten Treiber (mit isolierter Spannungsversorgung) ist es ja auch möglich den Gate-Widerstand zwischen Source des Transistors und die negative Spannungsversorgung des Treibers zu verschieben. (Also innerhalb der Gate-Masche den Widerstand an eine andere Stelle zu verschieben). Welche Vorteile hat diese Konfiguration? Hat diese Schaltung einen speziellen Namen? Ich kann mich erinnern dass ich das in irgend einem Dokument über Treiber mal erklärt gesehen habe, kann den Artikel aber nicht mehr finden. Danke Nikolas
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Nikolas schrieb: > Welche Vorteile hat diese Konfiguration? Keine. > Hat diese Schaltung einen speziellen Namen? Nö, wohl weil es eben keinerlei Vorteile ergibt. Doch, halt: einen Vorteil gibt es vielleicht doch: man könnte damit Ausgleichsströme zwischen den beiden GND-Potentialen begrenzen, allerdings nur unter Inkaufnahme des Nachteils, dass dann wiederum das Gate-Potential undefiniert ist. Irgendwas sagt mir (für den allgemeinen Fall): nicht erstrebenswert.
Nikolas schrieb: > Bei einem isolierten Treiber (mit isolierter Spannungsversorgung) ist es > ja auch möglich den Gate-Widerstand zwischen Source des Transistors und > die negative Spannungsversorgung des Treibers zu verschieben. In deiner Schaltung hast du gerade die Potentialdifferenz zwischen Ansteuerschaltung und zu steuernder Last auf der Gate-Kanal-Isolation des MOSFET abgeladen. Wie stellst du dir vor, dabei das Einhalten der Grenzwerte vom FET garantieren zu können?
Vielleicht könnte der Einfluss der Millerkapazität beim Ausschalten reduziert, wenn der Treiber nach dem Kelvin Prinzip an den Schalter angebunden wird? Bin mir allerdings nicht 100%ig sicher, dass das, was ich schrieb, Sinn ergibt :-)
Nikolas schrieb: > Bei einem isolierten Treiber (mit isolierter Spannungsversorgung) ist es > ja auch möglich den Gate-Widerstand zwischen Source des Transistors und > die negative Spannungsversorgung des Treibers zu verschieben. (...) > Welche Vorteile hat diese Konfiguration? Das kann in Verbindung mit einer Klemmdiode am Treiber sinnvoll sein. Diese verhindert, dass bei ungünstigem Layout das Source-Potential des Highside-MOSFETs aufgrund von Transienten beim Schaltvorgang unter das negative Zwischenkreis-Potential sinken kann. Dieser Diode tut ein entsprechender Widerstand gut. Die negative Spannungsspitze am Source-Anschluss sorgt übrigens dafür, dass sich der Bootstrapkondensator auf eine hohe Spannung aufladen kann, die dann den Treiber zerstören kann. Grüßle Volker
Danke schonmal habe zwischenzeitlich den Artikel wiedergefunden in dem 2 Vorteile beschrieben werden: https://www.fairchildsemi.com/application-notes/an/an-6076.pdf (Kapitel 4.3 und 4.4) MfG Nikolas
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