Hallo, ich habe ein Problem mit meiner Schaltung. Wie in Bild P1.jpg zu sehen habe ich Schalttransienten auf meinem Groundsignal (Blau), die jedoch ungewollt sind. In der Schaltung soll ein MOSFET ein Spannungsimpuls einer beliebigen länge (ca. 50ns- 1us) mit der Amplitunde 250V (also von -250V auf 0V) generieren. Das macht er auch wie in P1.jpg (Lila) zu sehen. Durch verkürzung der Leiterbahnlänge auf der Platine konnte ich schon eine Reduktion von 500mV P_k-P_K auf 140mV hinbekommen(neues Ergebniss im Messfenster der Bildes P1.jpg zu sehen (unten links)). Die Oszillationsfrequenz des transienten Signals betragt 33,333 Mhz. Natürlich benutze ich auch angemessene Messmethoden (Tastkopf 10:1 mit Massefeder). Ich dachte auch daran einen Snubber zu benutzen (RC Glied parallel zum MOSFET), jedoch oszilliert ja nur GND (Blau) und nicht mein Schaltsignal (Lila). Habt ihr vl eine Lösung wie ich diese weiter reduzieren könnte? im Paper (Side-On Photomultiplier Gating System for Thomson Scattering and Laser-Excited Atomic Fluorescence Spectroscopy) aus dem ich die Schaltung habe wurde gesagt das die Schalttransienten nur eine Amplitude <50mV hatten. Danke!
Daniel C. schrieb: > Natürlich benutze ich auch angemessene Messmethoden (Tastkopf 10:1 mit > Massefeder). Daniel C. schrieb: > jedoch oszilliert ja nur GND (Blau) und nicht mein Schaltsignal > (Lila). Die beiden Aussagen passen nicht ganz zusammen. Wenn du angemessen misst, dann wird zwischen GND und GND nichts zu messen sein :-)! Aber vermutlich liegt das einfach an der Auflösung beider Kanäle: einer mit 90V/div, der andere mit 20mV/div. Ich rechne da schon mit direkter Einstrahlung in den Tastkopf bei dem empfindlichen Signal, selbst wenn die Masseanbindung perfekt ist.
Ferritdaempfungsperle am Beinchen probieren. Bei SMD etwas schwierig.
Danke für die idee, die Perle müsste ich glaube dann aber mit dem Gatewiderstand ersetzen oder? Im Bild ist mein Layout für die Schaltung zu sehen. Sie ist 3x5cm groß und der große Widerstand (50W weil 1A durch 250Ohmen bei Impulslänge 200ns und einer Frequenz von 10kHz) neben der Platine ist auf der Rückseite der Platine angebracht und mit so kurz wie möglichen Leitungen (rot eingezeichnet) mit den jeweiligen anderen Bauteilen verbunden.
>Im Bild ist mein Layout für die Schaltung zu sehen. Sie ist 3x5cm groß
Ja, und wo ist nun dein Oszi-Tastkopf angeschlossen? Ich sehe ja noch
nicht mal extra Masseanschlüsse. Masse besteht wohl aus der oberen
Cu-Fläche einer zweiseitigen Platine.
Von dem dicken R war aber bisher keine Rede. Warum verheimlichst Du
sowas.
Der dicke R wird nämlich sicherlich ein ein Drahtwiderstand sein, und
sowas hat schon reichlich Induktivität. Also gibt's kräftige
Transienten.
Foto von deinem Meßaufbau wäre da sicherlich auch von Vorteil.
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