Hallo, bin gerade dabei mich mit JFETS zu beschäftigen und habe eine Frage zu dem dazugehörigen Ersatzschaltbild (siehe Link unten). Grundsätzlich hat unser Prof alle Transistoren (BJT, MOSFET, JFET) als gesteuerte Stromquellen modelliert. Bei dem Bipolartransistor wurde zur Modellierung des Earlyeffektes ein Widerstand parallel zur CE-Strecke eingefügt. Bei dem JFET gibt es diesen Widerstand auch, dient er dort zu Modellierung des Earlyeffektes* bei Feldeffektransistoren? (*richtiger Begriff ist wohl Kanallängenmodulation) Besonders verwirrend ist, dass unser Prof den Strom durch diesen Widerstand 'i_ds' titelt. Mein Unterbewusstsein verbindet das dann sofort mit dem Gesamt-Drainstrom :(. Vielen Dank! https://de.wikipedia.org/wiki/Sperrschicht-Feldeffekttransistor#/media/File:JFET_Ersatzsch.svg
Und was war jetzt nochmal die Frage....? Zu meinen Zeiten waren Profs bereit Fragen zu beantworten, wenn ein Student etwas nicht ganz verstanden hat. Ist das heute nicht mehr so?
JFET schrieb: > Besonders verwirrend ist, dass unser Prof den Strom durch diesen > Widerstand 'i_ds' titelt. Manchmal unterlaufen Professoren auch einfach Irrtümer. ;) Ich würde raten, Ihn anzusprechen, entweder direkt nach der Vorlesung oder in seiner Sprechstunde (die für solche Dinge da ist). Wenn Du Dich nicht an den Professor selber herantraust (was eigentlich Unsinn wäre): gibt es zu der Vorlesung Übungen, Labore, Tutorien, die von studentischen Hilfskräften (Tutoren) oder wissenschaftlichen Mitarbeitern (Assis) abgehalten werden, an die Du Dich wenden könntest?
Joe F. schrieb: > Und was war jetzt nochmal die Frage....? JFET schrieb: > Bei dem JFET gibt es diesen Widerstand auch, dient er dort zu > Modellierung des Earlyeffektes* bei Feldeffektransistoren? > (*richtiger Begriff ist wohl Kanallängenmodulation) Natürlich könnte ich den Prof anschreiben, aber ich dachte diese Frage wäre so einfach das ein Forum schneller wäre. :(
JFET schrieb: > Joe F. schrieb: >> Und was war jetzt nochmal die Frage....? > > JFET schrieb: >> Bei dem JFET gibt es diesen Widerstand auch, dient er dort zu >> Modellierung des Earlyeffektes* bei Feldeffektransistoren? >> (*richtiger Begriff ist wohl Kanallängenmodulation) > > > > Natürlich könnte ich den Prof anschreiben, aber ich dachte diese Frage > wäre so einfach das ein Forum schneller wäre. :( Tipp: Einfach mal im Tietze-Schenk Halbleitertechnik nachschauen um sich eine Meinung zu bilden. Dort ist Id die Summe der beiden Ströme Id = ugs*S +uds/rds
JFET schrieb: > Grundsätzlich hat unser Prof alle Transistoren (BJT, MOSFET, JFET) als > gesteuerte Stromquellen modelliert. Bei dem Bipolartransistor wurde zur > Modellierung des Earlyeffektes ein Widerstand parallel zur CE-Strecke > eingefügt. > > Bei dem JFET gibt es diesen Widerstand auch, dient er dort zu > Modellierung des Earlyeffektes* bei Feldeffektransistoren? > (*richtiger Begriff ist wohl Kanallängenmodulation) "Technischer Durchgriff" D* ist die allgemeine Bezeichnung für den Effekt. LG old.
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