Hallo, ich hab mir nun schon öfters Gedanken gemacht über das Laden von Kondensatoren mittels MOSFET. Hab auch schon mit einigen erfahrenen Elektronikern darüber diskutiert, aber so recht auseinandergesetzt hatte sich bisher mit dem Thema noch niemand. MOSFETs haben im Datenblatt oft die s.g. Avalanch Energy (Durchbruchenergie) spezifiziert. Soweit ich das nun recherchiert habe, bezieht sich diese auf das abbauen eines Stromes durch eine Induktivität bei konstanter Spannung (Dreiecksverlauf des Stromes). Mein Verständnis davon ist nun, dass es hier hauptsächlich um ein thermisches Problem geht, also wie viel thermische Energie das Silizium aufnehmen kann, ohne dass der Transistor durchlegiert. Wärmeleitung ist in den betrachteten Zeiträumen (<10ms) meist irrelevant. Wenn man nun eine Spannungsquelle hat, und ELKOs per MOSFET auf diese Spannungsquelle schaltet, wird im MOSFET die gleiche Energie umgesetzt, wie dann im ELKO gespeichert ist. Das ganze ist interessanterweise unabhängig von der Schaltgeschwindigkeit, wenn man es ideal betrachtet (also kein Innenwiderstand der Spannungsquelle, kein ESR im ELKO). Ich würd eine Schaltung bei gegebener Spannung und Kapazität nun so dimensionieren, dass die Durchbruchenergie des MOSFETs groß genug ist. Beispiel: C = 1000uF U = 24V E = C*U^2/2 = 288mJ D.h. ich suche einen MOSFET, der eine Durchbruchenergie von min. 288mJ hat. Hat der MOSFET bereits erhöhte Temperatur vor dem Schalten, dann muss man hier noch um einiges konservativer dimensionieren. Nun meine Frage: Kennt jemand diese Problematik im Detail? Wo gibt es hierzu entsprechende Unterlagen? LG, Karl
Karl Z. schrieb: > Beispiel: > C = 1000uF > U = 24V > E = C*U^2/2 = 288mJ > D.h. ich suche einen MOSFET, der eine Durchbruchenergie von min. 288mJ > hat. Du vergleichst hier Kraut mit Rüben. Die Ladung, die im Kondensator ist, hat mit der Energie im FET in erster Linie nichts zu tun. Du rechnest in etwa so: ich möchte ein Wasserfass mit 1000 Liter füllen. Deshalb brauche ich einen Wasserhahn, der 1000 Liter aufnehmen kann. EDIT: noch schlimmer, du vergleichst sogar völlig unzusammenhängende "Energien". Die Avalanche-Energie ist die Energie, die der sperrende FET als "Z-Diode" verbraten kann. BTW: in deiner ganzen Rechnerei ingorierst du völlig jegliche Widerstände und Stromverläufe...
:
Bearbeitet durch Moderator
Lothar M. schrieb: > Du vergleichst hier Kraut mit Rüben. Die Ladung, die im Kondensator ist, > hat mit der Energie im FET in erster Linie nichts zu tun. Na ja, er berechnet die Energie, die im Kondensator gespeichert wird. Und gemäß Kondensatorparadoxon bleibt genau so viel Energie im Vorwiderstand hängen. Wenn der Vorwiderstand vom FET dominiert ist, dann eben im FET. Von daher ist die Betrachtung schon nicht so verkehrt. (Wenn andere Widerstände als der FET den Strom begrenzen sieht die Sache natürlich anders aus) Und die Avalanche-Energie ist tatsächlich ein Anhaltswert, wie viel Energie man dem FET in einem einzelnen Puls zumuten darf. Dieser Wert heizt den FET von 25°C hoch ans thermische Limit. Und mehr als das darf als das verkraftet der FET auch beim Laden des Kondensators in einer kurzen Zeitspanne nicht. Man bekommt aus dieser Betrachtung also auf jeden Fall mal ein oberes Limit. Karl Z. schrieb: > D.h. ich suche einen MOSFET, der eine Durchbruchenergie von min. 288mJ > hat. ich würde bei solchen Betrachtungen einen gehörigen "Sicherheitsabstand" einplanen.
Naja, deine Rechnung ignorier ich mal. Im Endeffekt lädt man den Kondensator über einen Widerstand, den RDSon des MOSFET, mehr ist da nicht dahinter. Lädst du einen Kondensator über einen FET an einer idealen Spannungsquelle (!) auf, hast du folgenden Strom: I = U/RDSon Der ist batzendick. bei einem 100mOhm - FET und 24V sind das satte 240A. Grund? Jede reale Spannungsversorgung hat Kapaitäten. Ganz so viel ist es real nicht, wegen ESR und Konsorten. Aber er kann extrem hoch werden. Die freiwerdende Energie im FET ist bei einer idealen Kapazität genau gleich groß wie die, welche im Kondensator steckt: E=0,5CU² Real ist das natülich weniger, ein Teil bleibt im ESR hängen. Bei 1000µF und 24V sind das 0,57Joule.
Karl Z. schrieb: > Beispiel: > C = 1000uF > U = 24V > E = C*U^2/2 = 288mJ > > D.h. ich suche einen MOSFET, der eine Durchbruchenergie von min. 288mJ > hat. Hat der MOSFET bereits erhöhte Temperatur vor dem Schalten, dann > muss man hier noch um einiges konservativer dimensionieren. ..oder du schaltest einen Widerstand mit >>10*Rdson vor den Mosfet und schwupps landet die ganze Energie nicht mehr im Halbleiter :-) Ps: Die Betrachtung über die Avalanche Energie halte ich durchaus für legitim.
MiMa schrieb: > Ps: Die Betrachtung über die Avalanche Energie halte ich durchaus für > legitim. Nein, das ist Quark. Die Avalanche Energie bezieht sich auf den Avalanche-Durchbruch, und das ist etwa ganz anderes. Da geht es darum, dass der MOSFET bei Überspannung einen reversiblen Durchbruch hat (Avalanche Breakdown). Das passiert z.B. beim Schalten von Induktivitäten. Darum ist das als Energie angegeben, denn die lässt sich leicht berechnen: E=0,5L*I² Ich vermute, das wird in einem anderen Teil des MOSFET passieren, in einer ganz anderen Struktur als dem Kanal, und damit sind andere Volument von Halbleiter beteiligt, und das wird eine andere Energiemenge verkraften. Das passt einfach nicht zusammen und fertig. Das thermische Verhalten des Kanals ist im SOA-Diagramm sehr genau beschrieben, und hat mit der Avalanche Energie einen Dreck zu tun.
Lothar M. schrieb: > Du vergleichst hier Kraut mit Rüben. Die Ladung, die im Kondensator ist, > hat mit der Energie im FET in erster Linie nichts zu tun. Ich würd hier mal nicht so vorlaut falsches behaupten. Danke an Achim für die Klarstellung. jemand schrieb: > Naja, deine Rechnung ignorier ich mal. Meine? Deine 0.57J hast du glaub ich vergessen zu halbieren. Es sind 288mJ, sofern mein Taschenrechner keinen Firmwarebug hat. Achim S. schrieb: > ich würde bei solchen Betrachtungen einen gehörigen "Sicherheitsabstand" > einplanen. Wie groß würdest du den ansetzen? Faktor 2? Mit welcher Grundlage würdest du das machen? Real hat die Schaltung ja einige außer Acht gelassene Widerstände: ESR der Quelle, Leitungswiderstände, ESR des zu ladenden ELKOs. Leitungsinduktivitäten helfen auch sehr: In der aktuellen Schaltung könnte der MOSFET in 100ns durchschalten. Bei solchen Geschwindigkeiten helfen selbst sehr kleine Induktivitäten, den Stromanstieg zu verzögern, sodass der Löwenanteil des Ladestroms erst dann fließt, wenn der MOSFET bereits vollständig leitet. Eine Induktivität von nur 330nH würde das Problem völlig entschärfen. Bei 28V und 100ns könnte der Strom nur auf 8.5A ansteigen, was zu maximal 4uJ an Enerie im MOSFET führt, sofern man hier vereinfachend in dem Zeitraum lineare Strom- und Spannungsverläufe ansetzt.
Karl Z. schrieb: > Bei 28V > und 100ns könnte der Strom nur auf 8.5A ansteigen, was zu maximal 4uJ an > Enerie im MOSFET führt, sofern man hier vereinfachend in dem Zeitraum > lineare Strom- und Spannungsverläufe ansetzt. Nein die Verluste bis der Kondensator geladen ist sind mehr -> Kondensatorparadoxon. jemand schrieb: > Nein, das ist Quark. > > Die Avalanche Energie bezieht sich auf den Avalanche-Durchbruch, und das > ist etwa ganz anderes. Stimmt. Ist was komplett anderes. Trotzdem findet beides auf dem selbem 50um dicken Chip statt. Die Fläche ist uninteressant, da bei heute üblichem Trench Design die komplette Fläche beteiligt ist. Egal ob Durchlass oder Avalanch -> Die Energie die der Chip aushält ist immer die selbe.
Karl Z. schrieb: > Wie groß würdest du den ansetzen? Faktor 2? an sowas hätte ich gedacht, ja. Karl Z. schrieb: > Mit welcher Grundlage > würdest du das machen? tja, wenn du es "wissenschaftlich fundiert herleiten" willst wird es wohl wirklich schwierig. Dann müssten auch die Effekte höherer Ordnung berücksichtigt werden, die von diversen Mitschreibern angemahnt werden. Die Betrachtung über die Avalanche-Energie berücksichtigt ja im Endeffekt nur die Wärmekapazität des dies. Karl Z. schrieb: > Leitungsinduktivitäten helfen auch sehr: Jein. Wenn du ideale Induktivitäten in Kreis hast, verzögern die zwar den Stromanstieg. Aber sie ändern imho nichts an der Energie, die letztlich im FET hängen bleibt. Die geringere Heizleistung wirkt dann über einen entsprechend längeren Zeitraum, bis sich die Spannung im Kondendator auf den richtigen Wert eingeschwungen hat. Solange der FET das einzige Element im Stromkreis ist, das Energie verheizt, bekommt er imho immer die volle Energie ab. Sämtliche Wirkwiderstände (inklusive der ESR...) nehmen natürlich schon Energie vom FET weg. Von daher solltest du den Vorschlag von MIMA (Heizwiderstand > R_DS_on im Ladekreis) durchaus erwägen.
jemand schrieb: > Das thermische Verhalten des Kanals ist im SOA-Diagramm sehr genau > beschrieben, und hat mit der Avalanche Energie einen Dreck zu tun. Egal, wieviel das miteinander zu tun hat, normalerweise sollte man das SOA-Diagramm benutzen. Man müsste doch "nur" die Verlustenergie in ein passendes Rechteck umrechnen? Dabei kommt auch ein ganz praktischer Faktor ins Spiel: man möchte doch den maximal-Strom begrenzen. In der Regel hängen noch andere Verbraucher an der Stromversorgung die einen 240A-Impuls wohl nicht mögen.
Bauform B. schrieb: > Dabei kommt auch ein ganz praktischer Faktor ins Spiel: man möchte doch > den maximal-Strom begrenzen. In der Regel hängen noch andere Verbraucher > an der Stromversorgung die einen 240A-Impuls wohl nicht mögen. Anstelle von nur einem Heizwiderstand könnte man auch gleich eine etwas Hochohmigere Drossel verwenden. -> keine hohen Einschaltströme -> Verluste in der Drossel anstatt im Mosfet
Angehängte Dateien:
-
2018-08-03_002.png
99 KB -
2018-08-03_004.png
70 KB -
2018-08-03_006.png
17 KB -
2018-08-03_005.png
4,4 KB
MiMa schrieb: > ..oder du schaltest einen Widerstand mit >>10*Rdson vor den Mosfet und > schwupps landet die ganze Energie nicht mehr im Halbleiter :-) Das hielt ich im ersten Moment für eine wahr Aussage, aber das hat natürlich damit zu tun, wie schnell man schaltet. Schaltet man unendlich schnell, stimmt es. Schaltet man aber z.B. über eine Sekunde, ist bei dem entsprechend niedrigen Strom (konkret wären das bei 24V, 1s und 1000uF 24mA) die Energie im externen Widerstand wieder vernachlässigbar klein. Achim S. schrieb: > Wenn du ideale Induktivitäten in Kreis hast, verzögern die zwar > den Stromanstieg. Aber sie ändern imho nichts an der Energie Das stimmt so nicht. Energie im MOSFET wird nur verbraten, wenn Strom und Spannung gleichzeitig vorhanden sind. Hat der MOSFET durchgeschalten, bevor der Strom ansteigen konnte (wegen der Induktivität), dann ist er fein raus. Die Energie bleibt somit in den externen Widerständen, sofern diese nennenswert größer sind als der RDSON. MiMa schrieb: > jemand schrieb: >> Nein, das ist Quark. >> >> Die Avalanche Energie bezieht sich auf den Avalanche-Durchbruch, und das >> ist etwa ganz anderes. > > Stimmt. Ist was komplett anderes. Trotzdem findet beides auf dem selbem > 50um dicken Chip statt. Die Fläche ist uninteressant, da bei heute > üblichem Trench Design die komplette Fläche beteiligt ist. Egal ob > Durchlass oder Avalanch -> Die Energie die der Chip aushält ist immer > die selbe. das dachte ich auch, aber nun bin ich dem Thema weiter nachgegangen. Am Beispiel des FDMT80040DC. Er wird mit einer Avalanch Energie von 2.7J spezifiziert. Die Berechnung dazu zeigt, dass das in einer Zeit von ca. 3.2ms passiert. Die beiden anderen Diagramme zeigen, dass die verkraftbare Energie scheinbar wesentlich von der Dauer, der Spannung und dem Strom abhängt. Insgesamt gibt es bei dem Thema aber scheinbar große Unschärfen, was die doch sehr unterschiedlichen Energien in den Diagrammen zeigen.
Angehängte Dateien:
-
Clipboard01.png
130 KB
Karl Z. schrieb: > Energie im MOSFET wird nur verbraten, wenn Strom > und Spannung gleichzeitig vorhanden sind. Hat der MOSFET > durchgeschalten, bevor der Strom ansteigen konnte (wegen der > Induktivität), dann ist er fein raus. und trotzdem kannst du das Kondensatorparadoxon nicht schlagen. Der Witz an dem ist ja: es ist egal, ob der Vorwiderstand groß oder klein ist, er bekommt immer dieselbe Energie ab, wie im Kondensator landet. Wenn du der Aussage nicht traust: vielleicht hilft die Simu im Anhang. Für die Energie im FET relevant ist die Fläche unter den Kurven. Und die ist mit 1fH und 300nH weitgehend gleich. Karl Z. schrieb: > Die Energie bleibt somit in den > externen Widerständen Wenn das Heizwiderstände sind, dann ja. Das wurde ja schon oft genug erwähnt. Aber wenn das ein ideal induktiver Widerstand ist, dann speichert er entsprechend Energie, die letztlich doch wieder von deinem FET verbraten werden muss.
Karl Z. schrieb: > ich hab mir nun schon öfters Gedanken gemacht über das Laden von > Kondensatoren mittels MOSFET. Normalerweise macht man so etwas nicht, sondern man lädt die Kondensatoren über einen Widerstand oder eine Konstantstrom- quelle. Diese kann man natürlich über einen MOSFET oder einen anderen Schalter ein- und ausschalten.
Achim S. schrieb: > und trotzdem kannst du das Kondensatorparadoxon nicht schlagen. Da hast du natürlich recht. Ich bin nun davon ausgegangen, dass externe ESRs und Leitungswiderstände die Energie dann aufnehmen.
Harald W. schrieb: > Normalerweise macht man so etwas nicht, ... Die Frage ist (wie so oft in diesem Forum), was eigentlich der Hintergrund der Überlegungen ist. Oft steht man vor dem Problem, Schaltungsteile oder Geräte (die entsprechende Kapazitäten im Versorgungseingangszweig haben) an eine bestehende Spannung schalten zu müssen. Dann haben wir genau das vom TO vorgetragene Problem. Hier ist in der Regel eine Einschaltstrombegrenzung gewünscht, die z.B. über langsames Einschalten eines MOSFETs realisierbar ist. Ein ganz anderes Problem wäre, einen Kondensator möglichst Energieefizient zu laden (so, dass eben nicht die Hälfte daneben geht). Was Du (Harald W.) ansprichst, wäre eine dritte Situation, wo man aus irgendwelchen Gründen einen möglichsts linearen Anstieg haben möchte (Signalerzeugung).
:
Bearbeitet durch User
Karl Z. schrieb: > MiMa schrieb: >> ..oder du schaltest einen Widerstand mit >>10*Rdson vor den Mosfet und >> schwupps landet die ganze Energie nicht mehr im Halbleiter :-) > > Das hielt ich im ersten Moment für eine wahr Aussage, aber das hat > natürlich damit zu tun, wie schnell man schaltet. Schaltet man unendlich > schnell, stimmt es. Schaltet man aber z.B. über eine Sekunde, ist bei > dem entsprechend niedrigen Strom (konkret wären das bei 24V, 1s und > 1000uF 24mA) die Energie im externen Widerstand wieder vernachlässigbar > klein. Sie ist auch im zweiten Moment noch richtig ;-) Wenn du so langsam schaltest, dann ist dein Rdson nach 0.5s zum Beispiel 10Ohm. Somit müsste der Vorwiderstand in diesem Moment 100 Ohm sein. Außerdem: Wieso sollte man für einen Fet auch eine Einschaltdauer von 1s einplanen wenn man möglichst wenig Energie in diesem Verheizen möchte?? Karl Z. schrieb: > Achim S. schrieb: >> Wenn du ideale Induktivitäten in Kreis hast, verzögern die zwar >> den Stromanstieg. Aber sie ändern imho nichts an der Energie > > Das stimmt so nicht. Doch stimmt genau so wie er es geschrieben hat. Ohne Widerstand bekommt der Mosfet mit Induktivität die selbe Energie ab wie ohne. Karl Z. schrieb: > Die beiden anderen Diagramme zeigen, dass die verkraftbare Energie > scheinbar wesentlich von der Dauer, der Spannung und dem Strom abhängt. > Insgesamt gibt es bei dem Thema aber scheinbar große Unschärfen, was die > doch sehr unterschiedlichen Energien in den Diagrammen zeigen. Das liegt daran, dass bei sehr kurzen Zeiten auf Grund von Fertigungstoleranzen der Chip ungleichmäßig erwärmt wird. Bei grösseren Zeiten kann sich die Wärme besser verteilen und er hält mehr Energie aus. -> Trench-design
Angehängte Dateien:
-
2018-08-03_007.png
120 KB -
2018-08-03_008.png
110 KB -
2018-08-03_009.png
120 KB -
2018-08-03_010.png
110 KB
Für mich zeigen sich nun 2 Wege auf: 1. Man schaltet sehr schnell (100ns) mit einer Reiheninduktivität (330nH) und verlässt sich darauf, dass die Energie dann in den verschiedenen ESR und Leitungswiederständen verbraten wird. Man bekommt hier jedoch massive Spitzenströme von einigen 100A. Ein 1000uF ELKO, kurz beim Distributor nach ESR sortiert, hat min. 60mOhm. An 24V sind das bis zu 400A (RDSON mit 1mOhm vernachlässigt). Aber die Energie im MOSFET ist nun eher unabhängig von der konkreten Kapazität. Die Verlustenergie lässt sich mit dem RDSON steuern (besserer Transistor, weniger Energie). oder 2. Man schaltet eher langsam (z.B. 10ms), und hat somit mehr Spielraum, im MOSFET Energie zu verheizen (lokale Wärmeverteilung im MOSFET). Die externen Widerstände nehmen durch die vergleichsweise niedrigen Ströme kaum Energie auf, d.h. all die Energie landet im MOSFET. Jedes Mehr an Lastkapazität (welche evt. nicht bekannt ist) erhöht aber auch direkt die Energie im MOSFET. Die Energie ist unabhängig von der Güte des MOSFETs. Simulationsergebnisse (mit etwas anderem MOSFET): Weg 1: 4mJ an 1mF, 190mJ an 10mF Weg 2: 290mJ an 1mF, 2.8J an 10mF
:
Bearbeitet durch User
Weg 3: Man schaltet schnell und schaltet eine etwas hochohmigere Drossel in Serie. Somit hat man keine Schaltverluste und die "Paradoxon-Energie" wird in der Wicklung verbraten. Weg 4: Mosfet schnell schalten und Widerstand davor.
M.A. S. schrieb: > Die Frage ist (wie so oft in diesem Forum), was eigentlich der > Hintergrund der Überlegungen ist Hat der TO doch im Eingangspost beschrieben, nicht gelesen ?
Angehängte Dateien:
-
2018-08-03_011.png
110 KB
Noch viel krasser sieht die "Safe Operation Area" beim IRF7739L1TRPbF aus, siehe Anhang. Oberhalb von 200A sind die Kennlinien auf einer Geraden konstanter Leistung, darunter knicken sie nach unten weg. Hat dafür jemand eine plausible Erklärung? Mein Tipp wäre, dass der MOSFET dann in seinem instabilen Arbeitsbsbereich betrieben wird, wo der Kanalwiderstand dann einen negativen Temperaturkoeffizienten bekommt, und es somit leichter (schneller) zu lokalen Überhitzungen kommt.
Angehängte Dateien:
-
2018-08-03_013.png
100 KB
Ein Klassiker unter den MOSFETs, der BUZ11 hat dieses Phänomen jedoch gar nicht, siehe Anhang. Die Kennlinien verlaufen auf einer Geraden konstanter Leistung. Sehr schön sieht man hier den Effekt der Wärmeleitung/-verteilung. Je länger der Puls dauert, desto mehr Energie kann das Bauteil aufnehmen.
:
Bearbeitet durch User
Karl Z. schrieb: > Mein Tipp wäre, dass der MOSFET dann in seinem instabilen > Arbeitsbsbereich betrieben wird, wo der Kanalwiderstand dann einen > negativen Temperaturkoeffizienten bekommt, und es somit leichter > (schneller) zu lokalen Überhitzungen kommt. Wikipedia bestätigt meine Vermutung: https://en.wikipedia.org/wiki/Safe_operating_area#MOSFET_thermal_runaway_in_linear_mode > In their early history, MOSFETs became known for their absence of secondary breakdown. This benefit was due to the fact that ON-resistance increases with increasing temperature, so that part of the MOSFET which is running hotter (e.g. due to irregularities in the die-attachment, etc.) will carry a lower current density, tending to even out any temperature variation and prevent hot spots. Recently, MOSFETs with very high transconductance, optimised for switching operation, have become available. When operated in linear mode, especially at high drain-source voltages and low drain currents, the gate-source voltage tends to be very close to the threshold voltage. Unfortunately the threshold voltage decreases as temperature increases, so that if there are any slight temperature variations across the chip, then the hotter regions will tend to carry more current than the cooler regions when Vgs is very close to Vth. This can lead to thermal runaway and the destruction of the MOSFET even when it is operating within its Vds, Id and Pd ratings.
Ein Mosfet im Linearbetrieb um eine Kapazität aufladen geht ganz selbstverständlich. Wobei Mosfets schon ihre Schwachpunkte haben, nämlich die o. g. Temperaturabhängigkeit bzw. der "hoch oben" (auf y- Achse, und weit im hohen A-Bereich, also "rechts") liegenden Schnittpunkt jener Linien bei z.B. 25°C und 125°C, und natürlich den "Spirito-Effekt"... (ruhig googlen, das Wörtchen). Will man aber (wurde erwähnt) nicht bei jedem Umladen mehr als die Hälfte Energie verlieren - nachvollziehbar - für geringe Verluste, dann wird man kaum einen Linearregler (auch keinen Vorwiderstand) benutzen. Diesbezüglich sehr viel sparsamer wäre bestimmt so ein passend ausgesuchter Step-Down (Lade-)Schaltregler - mit Drossel. Denn da landet vereinfacht Eingangsenergie * Wirkungsgrad im Kondi.
Hannelore Sparsam schrieb: > und natürlich > den "Spirito-Effekt" Diese Spirito-Linie Erwähnt auch die Appnote von IR: http://www.irf.com/technical-info/appnotes/an-1155.pdf Diese scheint aber viel zu konservativ zu sein, wie IR darlegt. In unserer Anwendung geht es nicht um die Energieeffizienz beim Laden von ELKOs. Wir reden hier von ca. 300mJ, vielleicht 1-5 mal pro Tag :) Wichtiger sind dann die Durchleitverluste, die die Elektronik erwärmen. Deswegen beziehe ich mich hier auf Typen mit ca. 1mOhm RDSON.
Bei der ganzen Diskussion ist mir noch nicht klar geworden, warum man einen so großen Kondensator unbedingt so schnell laden will. Wir sehen ja, was das für Probleme verursacht. Dass das einem Elko wahrscheinlich auch nicht gefällt, zumindest wiederholt, scheint hier gerade ja nicht zu interessieren. Ich empfehle einfach einen p Kanal mit "geregeltem" Spannungsanstieg zu verwenden. Das wird in diesem Video https://youtu.be/Vq6cxmzRnyw sehr gut beschrieben.
Simon D. schrieb: > Bei der ganzen Diskussion ist mir noch nicht klar geworden, warum man > einen so großen Kondensator unbedingt so schnell laden will. Es geht weniger um schnell oder langsam, sondern wohin mit der "Paradoxon-Energie", wenn sie der MOSFET nicht verkraftet. Du könntest nun vielleicht denken, dann laden wir den halt über 1s, sodass die Wärmeleitung voll greift, bei entsprechender Kühlung. Dann aber dominieren die Verluste aus dem stationären Stromverbrauch der Last, der evt. 12A sein kann, und somit weitere 12A*(/24V/2)*1s=144J im MOSFET drauf gehen.
Mich würd noch interessieren, warum mein ursprünglicher Beitrag als nicht lesenswert deklariert wird. Zugegeben, ich hab fälschlicherweise die Avalanch-Energie statt der SOA herangezogen. Aber ganz unabhängig voneinander sind die ja nicht. Dazu gibt es ja ein Forum, um Irrtümer auszumerzen.
Karl Z. schrieb: > Simon D. schrieb: >> Bei der ganzen Diskussion ist mir noch nicht klar geworden, warum man >> einen so großen Kondensator unbedingt so schnell laden will. > > Es geht weniger um schnell oder langsam, sondern wohin mit der > "Paradoxon-Energie", wenn sie der MOSFET nicht verkraftet. > > Du könntest nun vielleicht denken, dann laden wir den halt über 1s, > sodass die Wärmeleitung voll greift, bei entsprechender Kühlung. Dann > aber dominieren die Verluste aus dem stationären Stromverbrauch der > Last, der evt. 12A sein kann, und somit weitere 12A*(/24V/2)*1s=144J im > MOSFET drauf gehen. Das ist natürlich eine wichtige Zusatzinformation. Das sieht für mich so aus, als müsste man dann zusätzlich auch die Last schalten können, denn deine Quelle wird so einen Pulsstrom nur mitmachen, wenn sie noch größere Kondensatoren hat.
Thread beobachten
Seitenaufteilung abschaltenBitte melde dich an um einen Beitrag zu schreiben. Anmeldung ist kostenlos und dauert nur eine Minute.
Bestehender Account
Schon ein Account bei Google/GoogleMail? Keine Anmeldung erforderlich!
Mit Google-Account einloggen
Mit Google-Account einloggen
Noch kein Account? Hier anmelden.