Kapazitive Halbbrücke

[Markus M. (mueller101)]

Hallo Zusammen,

ich betrachte gerade die Drainströme (Low-side-Schalter und 
High-side-Schalter) von der Kapazitive Halbbrücke aber ich verstehe 
nicht die negative stromimpuls. Meiner Meinung nach sollte dieser 
Stromimpuls im gleichten Schalter auftreten und gleich nach dem 
Abschalten aber der Effekt geschieht an dem anderen Schalter. Hast jdn 
eine Erklärung? kann man sowas wirklich als reverse recovery sehen?

Vielen Dank im Voraus

[hinz (Gast)]

Du hast den Snubber vergessen.

[Markus M. (mueller101)]

hinz schrieb:
> Du hast den Snubber vergessen.

Die Snubber sind auf die Synchrongleichrichter, weil die Bodydiode der 
Halbbrücke die Sperrspannung der Schalter auf die Eingangspannung 
begrenzen. Die Sapnnung an der Schalter werden nie größer als die 
Eingangsspannung. Also nur die MOSFETs, die die maximalen 
Eingangsspannung können

[Achim S. (Gast)]

Markus M. schrieb:
> Meiner Meinung nach sollte dieser
> Stromimpuls im gleichten Schalter auftreten und gleich nach dem
> Abschalten aber der Effekt geschieht an dem anderen Schalter.

Der Strom durch die Induktivität fließt beim Ausschalten zunächst 
einfach weiter. Wenn der High-Side zu sperren beginnt, zieht der 
weiterfließende Strom das Potential an MA auf Werte unter 0V. Dadurch 
wird die Substratdiode des Lowside leitend und lässt den Strom 
weiterfließen -> negativer Strompuls im "anderen" FET.

Markus M. schrieb:
> Hast jdn
> eine Erklärung? kann man sowas wirklich als reverse recovery sehen?

reverse recovery beschreibt, dass eine Diode beim Umsachlten von 
Durchlassrichtung in Sperrrichtung nicht sofort wieder sperrt. In dem 
hier betrachteten negativen Strompuls ist die Substratdiode einfach in 
Durchlassrichtung gepolt. Schau dir die Drain-Source Spannung des 
jeweiligen Transistors beim negativen Strompuls an.

[Markus M. (mueller101)]

Achim S. schrieb:

>.....
> weiterfließende Strom das Potential an MA auf Werte unter 0V. Dadurch
> wird die Substratdiode des Lowside leitend und lässt den Strom
> weiterfließen -> negativer Strompuls im "anderen" FET.
>
> Markus M. schrieb:
>> Hast jdn
>> eine Erklärung? kann man sowas wirklich als reverse recovery sehen?
>
> .....
> Durchlassrichtung gepolt. Schau dir die Drain-Source Spannung des
> jeweiligen Transistors beim negativen Strompuls an.

Danke sehr für die ausführliche Erklärung

[Sznüffelsztück (Gast)]

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