Hallo zusammen, kennt jemand die Application Note von Semikron? welche sehr kurze Einschaltzeiten von IGBT`s beschreibt? Finde leider weder eine vertrauenswürdige Quelle noch die besagte App-Note. Mich würde die Physik hinter dem MosFet-ähnlichen Verhalten von IGBT`s bei nur kurzen Einschaltzeiten interessieren :-) Grüsse,
Hallo MiMa, suchst Du vielleicht das "Applikationshandbuch Leistungshalbleiter" von Semikron. Das kannst Du von folgendem Link downloaden. https://www.semikron.com/de/service-support/applikationshandbuch.html MfG Uwe K.
Ob das auf Seite 49 hilft musst du selber entscheiden. https://www.semikron.com/dl/service-support/downloads/download/semikron-applikationshandbuch-leistungshalbleiter-de-2015-08-04/ Oder hier mal alle Apps herunterladen und anschauen. https://www.semikron.com/de/service-support/downloads.html#show/sort/title+date=1/
Erst mal vielen Dank euch beiden! Es soll irgendwo eine Alleinstehende App Note nur zu diesem Thema geben. In dem Applikationshandbuch wird es leider nicht so sehr in der Tiefe behandelt..
MiMa schrieb: > Mich würde die Physik hinter dem MosFet-ähnlichen Verhalten von IGBT`s > bei nur kurzen Einschaltzeiten interessieren :-) Der IGBT wird über ein MOS-isoliertes Gate gesteuert. MiMa schrieb: > kennt jemand die Application Note von Semikron? Warum muss die unbedingt von Semikron sein? Application Notes zu IGBTs gibt es von etlichen Herstellern, wo natürlich auch auf das Schaltverhalten eingegangen wird. Um nur einige zu nennen: Renesas: IGBT Application Note R07AN0001EJ0410 https://www.renesas.com/us/en/doc/products/igbt/apn/r07an0001ej0410_igbt.pdf On Semi (ex. Fairchild): AN-9016 IGBT Basics https://www.fairchildsemi.com/application-notes/AN/AN-9016.pdf International Rectifier (Infineon): Application Note AN-990 IGBT Characteristics https://www.infineon.com/dgdl/an-990.pdf?fileId=5546d462533600a40153559fae19124e Mitsubishi IGBT Modules Application Note http://www.mitsubishielectric.com/semiconductors/files/manuals/igbt_note_e.pdf
Wolfgang schrieb: > MiMa schrieb: >> Mich würde die Physik hinter dem MosFet-ähnlichen Verhalten von IGBT`s >> bei nur kurzen Einschaltzeiten interessieren :-) > > Der IGBT wird über ein MOS-isoliertes Gate gesteuert. Wie ein IGBT funktioniert/ aufgebaut ist, ist mir klar. Besagte App Note beschreibt das Verhalten von IGBT`s bei nur sehr kurzen Einschaltzeiten (Mikrosekunden). "..dann wird die bipolare Ausgangsstufe nicht voll gesättigt und der IGBT verhält sich wie ein MosFet. Es entsteht kein Stromschweif beim Ausschalten.." So in etwa :-) Wolfgang schrieb: > MiMa schrieb: >> kennt jemand die Application Note von Semikron? > > Warum muss die unbedingt von Semikron sein? Nein ganz egal von wem. Hauptsache das Dokument beschreibt dieses Verhalten :-)
MiMa schrieb: > von IGBT`s bei nur sehr kurzen Einschaltzeiten Du meinst also definitiv gar keine kurzen Schaltzeiten, sondern kurze --"ON"-- Zeiten. (Ob nun durch niedrigen Tastgrad und/oder kurze Periodendauer, sei dahingestellt.)
gkslasjf schrieb: > MiMa schrieb: >> von IGBT`s bei nur sehr kurzen Einschaltzeiten > > Du meinst also definitiv gar keine kurzen Schaltzeiten, > sondern kurze --"ON"-- Zeiten. (Ob nun durch niedrigen > Tastgrad und/oder kurze Periodendauer, sei dahingestellt.) Ja! Sorry wenn das nicht klar rüber kam :-)
MiMa schrieb: > Sorry Für ein Sorry besteht kein großer Anlaß. Ich wollte einfach nur festhalten, daß der Betreff bzw. die Überschrift "minimum Turn-on time" aufgrund der darauffolgenden Beschreibung doch unzutreffend sein muß. Weil Dich statt schnellstmöglichem "turn-on" ja doch eher ungewöhnlich kurzes "BE-on" (= "ein-SEIN") zu interessieren scheint. Ich habe leider kein Dokument dieser Art zur Hand, aber mir kam doch ein Gedanke dazu: Wenn Du den "Schwanz" (tail) völlig vermeiden wolltest, müßte die Beteiligung der Minoritäts-Ladungsträger ja ausgeschlossen werden. (Was scheinbar durch nur kurzes "Ein-sein" erreicht werden kann.) Allerdings wird der IGBT (ohne den - für die Funktion "lebenswichtigen" - BJT) dann auch recht hochohmig sein, wenn man denn auch besagten Stromfluß zu irgend etwas nutzen wollen würde. Da der IGBT (wenn überhaupt) also nur wirklich schlecht zu gebrauchen sein dürfte für solchen Betrieb - welchen Grund hätte man, ihn dazu bringen zu wollen? ;-) Eröffne doch mal ein paar Absichten, vielleicht kommt man damit auch schon grundsätzlich weiter in Deiner Sache.
gkslasjf schrieb: > Wenn Du den "Schwanz" (tail) völlig vermeiden wolltest, > müßte die Beteiligung der Minoritäts-Ladungsträger ja > ausgeschlossen werden. (Was scheinbar durch nur kurzes > "Ein-sein" erreicht werden kann.) > > Allerdings wird der IGBT (ohne den - für die Funktion > "lebenswichtigen" - BJT) dann auch recht hochohmig sein, > wenn man denn auch besagten Stromfluß zu irgend etwas > nutzen wollen würde. Eben nicht. Es gibt einen Bereich, da leitet er zwar Strom, hat aber dennoch ein sehr schnelles ausschalten ohne Tail. Das ganze hat keine Anwendung sondern ist unerwünscht. Bei sehr kurzen Einschaltzeiten (zum Beispiel ungünstiges Tastverhältnis bei PWM) schalten IGBT`s viel schneller aus als üblich und führen zu viel höheren Spannungsspitzen. Mich würde nur interessieren was da genau vor sich geht :-)
MiMa schrieb: > Es soll irgendwo eine Alleinstehende App Note nur zu diesem Thema geben. Hi, eine bestimmte IGBT Technologie, bei der das Phänomen explizit auftritt? Gruß,
MiMa schrieb: > Es gibt einen Bereich, da leitet er zwar Strom, hat aber > dennoch ein sehr schnelles ausschalten ohne Tail. Aber nicht so gut, als wären Minoritäts-Ladungsträger beteiligt. Ich bezweifle stark, daß der Kanal auch nur annähernd so leitfähig ist, wie ein Mosfet vergleichbarer (oder auch nur halber) Größe. MiMa schrieb: > Bei sehr kurzen > Einschaltzeiten (zum Beispiel ungünstiges Tastverhältnis bei PWM) > schalten IGBT`s viel schneller aus als üblich und führen zu viel höheren > Spannungsspitzen. "snappy turn-Off", "high dI/dT", "high dU/dT" als zus. Suchworte +"IGBT"? Al3ko -. schrieb: > eine bestimmte IGBT Technologie, bei der das Phänomen explizit auftritt? Eine gute Frage.
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