Bin letztens über ein Video gestolpert wo jemand einen ESC für einen BLDC Motor gebaut hat, also für drei Phasen. Dabei hat er für die High Side P-Kanal und für die Low Side N-Kanal Mosfets verwendet, wie im Bild gezeigt nur mit insgesamt 6 Fets. Andererseits gibt es auch Skizzen von Umrichtern mit 6 N-Kanal Mosfets, wie z.b. beim 3 Phasen Umrichter https://www.mikrocontroller.net/articles/3-Phasen_Frequenzumrichter_mit_AVR . Funktioniert beides und was ist der Vor und Nachteil an den beiden Methoden?
schau dir anhand der datenblätter die unterschiede zwischen p und n kanal fets an. dann wirst du sehen wieso man für größere leistungen ausschließlich n-kanal fets mit bootstrap treiber für die highside verwendet
TestX schrieb: > dann wirst du sehen wieso man für größere leistungen > ausschließlich n-kanal fets mit bootstrap treiber für die highside > verwendet Wenns noch mehr Leistung sein soll, sinds oft sogar IGBT - immer als NPN bzw. N-Kanal. P-Kanaler sind einfach noch nicht so gut in ihren Rds und der Spannungsfestigkeit.
Hallo, > Sctr schrieb: > Funktioniert beides und was ist der Vor und Nachteil an den beiden > Methoden? wie schon geschrieben, bekommt man leistungsfähigere n-Kanal-FET. Der Nachteil der zusätzlichen Steuerspannung für die High-Side-FET und evtl. Pegelanpassung ist aber nicht sehr groß. Dafür gibt es schon spezielle FET-Treiber-IC, die das alles mitbringen, auch für Spannungen bis über 1000V. z.B.: https://www.infineon.com/cms/en/product/power/gate-driver-ics/half-bridge-drivers/ https://www.infineon.com/dgdl/Infineon-2EDL05x06xx-DS-v02_07-EN.pdf?fileId=db3a30433e30e4bf013e3c649ffd6c8b https://www.infineon.com/dgdl/ir2114ss.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c836cd168a Gruß Öletronika
Ein auch nicht zu unterschätzender Vorteil ist gerade bei Stufen mit hoher Leistung, das du dann auch zwei MOSFet mit den gleichen Eigenschaften in der Halbbrücke hast. Z.B. Anstiegs- und Abfallzeiten usw. sind dann gleichartig, was die Ansteuerung einfacher macht.
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