Realistische Taktrate

[DCDC (Gast)]

Hallo,

ich habe vergangenes Semester Leistungselektronik im Master gehört. 
Leider alles komplett theoretisch, wie es sich gehört an der Uni.

Ich frage mich, was man für realistische Frequenzen zum Takten eines 
Hochsetzstellers erreicht. Ich habe mir mal aus Interesse in einer Excel 
Liste einige Hochsetzsteller berechnet mit verschienden 
Frequenzen/Spannungen/Strömen.

Mir ist schon klar, dass man sich die Anstiegs- und Abfallszeit des Si 
MOSFETs  angucken kann und ebenso die Parameter des Treiber IC, aber die 
Datenblätten sind ja schon sehr arg optimal ausgelegt - daher meine 
Frage nach realen Werten der Freqenzen.

Ist bei einem guten Layout/Treiber IC eine Frequnez von 500kHz bei einem 
Hochsetzsteller von 400V/4A auf 500V realsitisch? Wenn nein, welche 
Frequenzen wären realistisch und warum?

Würde mich freuen, wenn hier jemand mal etwas aus seiner Erfahrung 
erzählt.

[Purzel (Gast)]

Bei 1600W nimmt man einen Trafowandler, keinen Boost. Auch wenn nicht so 
viel hochgesetzt werden muss. Ich empfehl als Uebung einen boost 
auszulegen. Und dann einen Pushpull, dh mit Trafo mit Mittelabgriff. Das 
waere meine bevorzugte Konfiguration fuer diesen Fall. Und die Frequenz 
wuerde ich etwas tiefer waehlen, vielleicht 100kHz.
Denkbar waeren auch eine H Bruecke.

[Nachfragennachfrager (Gast)]

Purzel schrieb:
> Bei 1600W nimmt man einen Trafowandler, keinen Boost. (...)

Das würde ich nicht sagen. Ein Boost kann für 400V zu 500V
sehr effizient gebaut werden. Schon SJ FET + SiC Schottky
brächte gute Ergebnisse, auch noch bei 500kHz - gerade noch.
Bedenke die niedrigen Maximalströme für geringen Boostfaktor.
Von möglichen Optimierungen (nach Anwendung) nicht zu reden.

> Ich empfehl als Uebung einen boost auszulegen. Und dann
> einen Pushpull, dh mit Trafo mit Mittelabgriff.

Gut, das werde ich als Unbeteiligter jetzt nicht machen, aber
mein Gedächtnis sagt mir gerade etwas anderes, als Du meinst.

Will man mit dem Aufwand für einen Trafowandler vergleichen,
kann man einen synchronen Boost aus SiC oder gar GaN in den
Topf werfen - Aufwand immer noch geringer, eta sogar höher.
Sogar, wenn der Trafo bestmöglich konstruiert wäre.

So weit meine Überlegungen. Welchen großen Vorteil hätte ein
Trafowandler, wenn Isolation doch unnötig? Auch im Bereich LE
richtig hoher Leistung werden durchaus Boost-Konverter gebaut,
was Du sagst klingt danach, als wäre das sehr schlecht.

Das verstehe ich noch nicht so ganz. Hilf mir bitte, @Purzel.
Ich meine das ernst - vielleicht hast Du recht, ich möchte nur
gerne genauer wissen, warum das so ist. Kein Roman, nur Gründe.