Highside MOSFET. Treiber gesucht.

[M. Н. (Gast)]

Hallo, für die Ansteuerung von einigen LEDs benötige ich einen 
Highside-Schalter. DieMasse der LEDs kann nicht geschaltet werden. Es 
muss ein Highside Schalter sein.

Die Randbedingungen sehen so aus:
Das Steuersignal für den Schalter sind 3,3V von einem FPGA. Die Frequenz 
beträgt 1 bis 2 kHz. Ein statisches Einschalten wird nicht benötigt. Die 
Versorgungsspannung der LEDs liegt bei 5 bis 8V. Der zu erwartende 
Peakstrom (nicht RMS) sind 6 bis 8A.

Ich suche nun nach einer Möglichkeit die Spannung zu schalten. Kennt 
jemand eine bewährte Schaltung für mich, mit der dies gut möglich ist? 
Ich bin nicht an einen gewissen Schalttransistor gebunden. Kann also 
sowohl ein P-MOS oder N-MOS sein. Wobei die Versorgung mit 5V für einen 
PMOs eventuell zu wenig sein könnte, da man mit der Gate-Spannung in 
diesem Fall eventuell ins negative muss.

Ich habe ein wenig selbst gesucht. Allerdings sind viele Treiber ICs, 
die ich so gefunden habe, mit der recht niedrigen Versorgungsspannung 
des FET mit 5-8V unzufrieden.

[Harry L. (mysth)]

https://www.reichelt.de/mosfet-n-ch-63v-11a-125w-to-220ab-5-bts-432-e2-p39349.html?r=1

[Andy H. (gastrelais)]

Warum kein Profet?

[Matthias S. (Firma: matzetronics) (mschoeldgen)]

Andy H. schrieb:
> Warum kein Profet?

Hat Harry doch schon vorgeschlagen. Daß Reichelt das Dings als N-Ch 
MOSFet bezeichnet, ist vermutlich der Spass des Praktikanten, der die 
Website pflegt.

Oder man nimmt die Schaltung aus dem Anhang.

[Andy H. (gastrelais)]

Asche auf mein Haupt. Ich hab nicht auf den Link geklickt. BTS432 oder 
442 wäre jetzt auch mein Tipp gewesen.

[MiWi (Gast)]

Matthias S. schrieb:
> Andy H. schrieb:
>> Warum kein Profet?
>
> Hat Harry doch schon vorgeschlagen. Daß Reichelt das Dings als N-Ch
> MOSFet bezeichnet, ist vermutlich der Spass des Praktikanten, der die
> Website pflegt.
>
> Oder man nimmt die Schaltung aus dem Anhang.

die nur den kleinen Nachteil hat sehr schnell die U_GS vom PFET zu 
überschreiten (nicht bei 8V).

Man füge also einen Emiterwiderstand hinzu und berechne damit die um den 
NPN entstehende Strom"quelle". Dann kann man den GS-Widerstand so 
auslegen das die GS-Spannung nicht über den zulässigen Wert des PFETs 
ansteigt und somit das Werkl auch bei zB. 24V funktioniert - ohne das 
der PFET dabei stirbt.

[Mein Senf (Gast)]

MiWi schrieb:
> Man füge also einen Emiterwiderstand hinzu und berechne damit die um den
> NPN entstehende Strom"quelle". Dann kann man den GS-Widerstand so
> auslegen das die GS-Spannung nicht über den zulässigen Wert des PFETs
> ansteigt und somit das Werkl auch bei zB. 24V funktioniert - ohne das
> der PFET dabei stirbt.

Emitterwiderstand? Hab ich einen Denkfehler? Da geht die Gatespannung 
erst recht nicht runter.

[MiWi (Gast)]

Mein Senf schrieb:
> MiWi schrieb:
>> Man füge also einen Emiterwiderstand hinzu und berechne damit die um den
>> NPN entstehende Strom"quelle". Dann kann man den GS-Widerstand so
>> auslegen das die GS-Spannung nicht über den zulässigen Wert des PFETs
>> ansteigt und somit das Werkl auch bei zB. 24V funktioniert - ohne das
>> der PFET dabei stirbt.
>
> Emitterwiderstand? Hab ich einen Denkfehler? Da geht die Gatespannung
> erst recht nicht runter.

Bei 8V ist das auch kein Problem, aber bei 24V ist eins.

Denk nach was passiert wenn am Drain vom PFET 30V anstehen und der NPN 
dann das Gate nach GND zieht. Abs. max bei U_GS_max ist 20V. Blöd, oder?


Und dann überlegst Du was der NPN macht wenn zw. Emitter und GND ein 
Widerstand von zB. 1k sitzt. Welcher maximale Strom kann über diesen 
Emitterwiderstand fließen wenn vom uc maximal 3,3V (oder 5V) kommen 
können? Und wie liese sich das dann so nutzen das unter allen Umständen 
max Vin-10V am Gate vom FET anliegen?

[Mein Senf (Gast)]

Danke. Denkfehler bei mir: PFET als NFET gedacht.