Hallo, habe mir gerade mal die SiC Kaskoden angesehen... SiC JFETs haben keine Body Diode, richtig? Wenn ja, warum haben dann SiC Kaskoden welche? Grüße
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Leopold N. schrieb: > habe mir gerade mal die SiC Kaskoden angesehen... > SiC JFETs haben keine Body Diode, richtig? > Wenn ja, warum haben dann SiC Kaskoden welche? Magst du bitte ein wenig spezifischer sein? Die SiC JFETs, die ich kenne, haben eine Body diode. Z.B. der reine normally-on JFET von Infineon: https://www.infineon.com/dgdl/Infineon-IJW120R100T1-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304341e0aed001420353f03a0e4b Oder UnitedSiC: https://unitedsic.com/datasheets/DS_UJ3C120080K3S.pdf PS: Warum bist du so an den JFETs interessiert, und nicht an den MOSFETs? Ist Reliability ein großes Thema für dich? PPS: Was macht dein PFC+Vollbrückenwandler Projekt eigentlich? ;) Gruß,
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Al3ko -. schrieb: > Leopold N. schrieb: >> habe mir gerade mal die SiC Kaskoden angesehen... >> SiC JFETs haben keine Body Diode, richtig? >> Wenn ja, warum haben dann SiC Kaskoden welche? > > Magst du bitte ein wenig spezifischer sein? > > Die SiC JFETs, die ich kenne, haben eine Body diode. > > Z.B. der reine normally-on JFET von Infineon: > https://www.infineon.com/dgdl/Infineon-IJW120R100T1-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304341e0aed001420353f03a0e4b > > Oder UnitedSiC: > https://unitedsic.com/datasheets/DS_UJ3C120080K3S.pdf > > PS: > Warum bist du so an den JFETs interessiert, und nicht an den MOSFETs? > Ist Reliability ein großes Thema für dich? > > PPS: > Was macht dein PFC+Vollbrückenwandler Projekt eigentlich? ;) > > Gruß, Im Anhang mal ein Datenblatt von einem SiC JFET, erster Treffer bei Mouser. Auf der ersten Seite das Schaltsymbol hat keine Body Diode....ist die einfach nur nicht reingezeichnet oder wie? Mein PFC+Vollbrückenwandler Projekt liegt momentan noch auf Eis...hab leider gerade keine Zeit dafür. Ich bin eigentlich nicht an JFETs, sondern an Schaltern ohne BodyDiode interessiert. Grüße
Schau' dir mal GaN-Transistoren an. Das sind HEMTs, daher haben die keine Bodydiode.
Al3ko -. schrieb: > Leopold N. schrieb: >> Im Anhang mal ein Datenblatt > > Du hast keinen Anhang beigefügt... Hm verdammt...sekunde
Wie sieht es eigentlich mit GaN MOSFETs aus? Ich habe hier ein Datenblatt von einem GS61004B, und in der Prinzipschaltung ist keine Bodydiode eingezeichnet. Bei anderen GaN MOSFETs aber schon. Gibt es da beide Typen oder ist die Bodydiode im Datenblatt nicht immer eingezeichnet?
Leopold N. schrieb: > GaN MOSFETs Sowas gibt's nicht. Ein GaN-FET hat keine Mos-Struktur. Die Body-Diode kommt durch den Übergang vom Drain-N zum Bulk-P zustande. Da ein HFET keine Dotierung hat, hat der natürlich auch keine Bodydiode. Hingegen haben GaN-FET teilweise keine Isolation am Gate, sodass hier eine Schottky-Diode entsteht. Die tut aber nichts, da sie normalerweise in Sperrrichtung betrieben wird.
Zu deiner spezifischen Frage hilft es das ganze Datenblatt zu lesen. Seite 9 unten: "GaN Systems enhancement mode HEMTs do not have an intrinsic body diode and there is zero reverse recovery charge. The devices are naturally capable of reverse conduction and exhibit different characteristics depending on the gate voltage." Prinzipiell könnte ein Hersteller natürlich Dioden mit in das Gehäuse einbauen. Wenn ich mich richtig erinnere können auch Schottkydioden auf dem gleichen Die integriert werden. An deiner Stelle würde ich mir alles anschauen, was verfügbar ist, z.B. auch nachgucken ob im Spice-Model eine Bodydiode drin ist. Wenn du dann noch unsicher bist: Kauf' einen und messe nach ¯\_(ツ)_/¯
Leopold N. schrieb: > Ich bin eigentlich nicht an JFETs, sondern an Schaltern ohne BodyDiode > interessiert. Ich mutmaße mal dass zwei back-to-back MOSFETs mit dem halben Bahnwiderstand billiger und einfacher zu beschaffen sein könnten als ein vergleichbarer diodenloser Schalter, sofern du die dann floatende Gatebeschaltung mit doppelter Treiberleistung gelöst bekommst.
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Hab hier mal das zugehörige Diagramm. Verstehe ich das richtig, dass (ja es ist keine Body Diode...) der FET in Rückwärtsrichtung also auch leiten kann? Kennt ihr sonst irgendwelche Leistungsschalter, die sich ähnlich wie ein MOSFET ohne Bodydiode verhalten?
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Leopold N. schrieb: > Verstehe ich das richtig, dass (ja es ist keine Body Diode...) der FET > in Rückwärtsrichtung also auch leiten kann? Diese PDF, Seite 5 (https://gansystems.com/wp-content/uploads/2018/02/GN001_Design_with_GaN_EHEMT_180228-1.pdf) sagt folgendes (siehe Bild): Rückwärts ist der GaN-FET wie eine Diode mit höherer Flussspannung (3-5V) in Reihe mit Rds_rev (in der Größenordnung Rds_on, also sehr gut leitend). Also ja, auch kein AC-Transistor.
Leopold N. schrieb: > Verstehe ich das richtig, dass (ja es ist keine Body Diode...) der FET > in Rückwärtsrichtung also auch leiten kann? Der Punkt ist der, dass ein HFET mehr oder weniger symmetrisch zwischen Drain und Source aufgebaut ist. Das führt dazu, dass quasi Drain und Source "die Plätze tauschen", wenn eine negative Spannung angelegt wird. Aus 0V Gate-Source(alt) werden also 0V Drain(neu)-Gate - und damit liegt eine Spannung zwischen der "neuen" Source (Ehemals Drain) und Gate an - und die ist positiv vom Gate aus betrachtet. Deswegen leitet der HFET dann rückwärts. Und DAS ist dann so ähnlich wie eine Body-Diode, nur dass U_F dann U_th ist. Legt man jetzt eine Spannung ans Gate an, verschiebt man eben diesen Punkt - und das sieht man dann im Diagramm.
Ok, damit fällt der GaN raus. Was ist mit SiC JFETs? Ich habe im Datenblatt kein Diagramm gefunden, was mir sagt, ob er in Rückwärtsrichtung leitet oder nicht (in Abhängigkeit von der Gate Spannung) https://www.mouser.de/datasheet/2/827/DS_UJ3N120070K3S-1530204.pdf
Leopold N. schrieb: > Was ist mit SiC JFETs? Ist ein JFET nicht auch symmetrisch aufgebaut? Außerdem "normally on". Ich denke, dass da dasselbe Problem wie beim HFET besteht: Bei einer negativen Spannung drehen einfach Source und Drain ihre Funktion und aus 0V V_GS werden V_GS(neu)=-V_DS(alt).
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