Hallo, ich will einen Brauschrank mit einem Leistungswiderstand heizen. Dazu will ich den Strom mit einem IRLL3303 schalten. Ausgehend von dem Datenblatt http://www.irf.com/product-info/datasheets/data/irll3303.pdf sollte ich bei einer Gatespannung von 3,3V keine Probleme haben bei einem Strom von 1,67 A bei 24V am Widerstand, oder ? Bei dem SOA Diagramm hab ich meine Schwierigkeiten. Wenn ich von einem RDson von ~0,1R ausgehen, hab ich am Mosfet eine Spannung von 0,28 V. Damit bin ich dann im sicheren Bereich, oder ? Gruß JackFrost
Angehängte Dateien:
-
Mosfet.png
12 KB
:
Verschoben durch User
Bastian W. schrieb: > ich will einen Brauschrank mit einem Leistungswiderstand heizen. Dazu > will ich den Strom mit einem IRLL3303 schalten. Ausgehend von dem > Datenblatt http://www.irf.com/product-info/datasheets/data/irll3303.pdf > sollte ich bei einer Gatespannung von 3,3V keine Probleme haben bei > einem Strom von 1,67 A bei 24V am Widerstand, oder ? Nun, spezifiziert sind im Datenblatt 4,5V. Ob auch 3,3V reichen, musst Du ausprobieren.
Bastian W. schrieb: > Dazu will ich den Strom mit einem IRLL3303 Bei der Auswahl des Mosfet würde ich die definierten Rds(on) Werte aus der Tabelle nehmen. Und danach sind die Werte erst ab 4,5V Ugs spezifiziert. Der IRLL3303 ist meiner Meinung nach daher nicht geeignet. Muss es ein SMD sein?
Jörg R. schrieb: > Bastian W. schrieb: >> Dazu will ich den Strom mit einem IRLL3303 > > Bei der Auswahl des Mosfet würde ich die definierten Rds(on) Werte aus > der Tabelle nehmen. Und danach sind die Werte erst ab 4,5V Ugs > spezifiziert. Der IRLL3303 ist meiner Meinung nach daher nicht geeignet. > Muss es ein SMD sein? Ich will schon auf SMD gehen da ich hier zwei Kanäle brauch zusammen mit dem Rest wird mit das mit THT zu groß. Ich kann leider die 24V für das Gate nicht nehmen, da der Mosfet ja maximal +/- 16V am Gate haben darf. Oder macht es hier Sinn das Gate mit einer Zener Diode zu schützen ? Von den IRLL3303 hab ich noch einige da, sonst wenn die nicht passen muss ich mir andere suchen. Gruß JackFrost
Bastian W. schrieb: > Von den IRLL3303 hab ich noch einige da, > sonst wenn die nicht passen muss ich mir andere suchen. Die Teile kosten fast nix. Daher würde ich einen passen LL Mosfet nehmen. Einen für den 3,3V Ugs spezifiziert ist. Den kannst Du direkt vom uC ansteuern, so dass meiner Meinung nach Q2 und Q3 entfallen könnten. Deren Sinn erschließt sich mir in der aktuellen Schaltung auch nicht.
:
Bearbeitet durch User
Anderer Vorschlag: ziehe das Gate mit einem passiven Spannungsteiler aus der 24V-Versorgung auf ca. 10V. Wenn du willst kann das auch ein Spannungsteiler aus einem R und einer Z-Diode sein. Dann nimmst du den NPN-Transistor in Emitterschaltung und ziehst das Gate runter, wenn du ausschalten möchtest. Insgesamt braucht das auch nicht mehr Platz weil du einen der Treibertransistoren sparst. Gerade so Einzeltransitoren finde ich immer unhandlich groß, wenn mehr als einer davon notwendig ist. Nachteil wäre, dass bei abgeschaltetem uC die Last eingeschaltet ist.
1. es gibt nMOSFETs, die bei 2.5V spezifiziert mehr als die 2A schalten. 2. wozu den R1 und wie groß soll der sein, wenn du gleichzeitig den Aufwand mit den Treibertransistoren spendierst? 3. auch R2 ist nicht sinnvoll, er wird gegen die Transistoren nichts bewirken. Wenn schon, dann direkt an den Eingang des Treibers.
Ich hab mir für solche Aufgaben den BUK98150-55A ausgesucht, und davon einige für kleines Geld bei Ali bestellt. Das Gate kommt direkt an den µC und die Last an Drain. Bei einem Heizer würd ich sogar den Pulldown einsparen. Wenn das Teil mal für ein paar Millisekunden bei einem Reset an ist, stört das niemand. Kleiner gehts nimmer. MfG Klaus
Bastian W. schrieb: > Bei dem SOA Diagramm Das spielt im Schaltbetrieb keine Rolle. Bastian W. schrieb: > ich will einen Brauschrank mit einem Leistungswiderstand heizen Heizungen sind träge, da reicht langsames Schalten, du kannst den Treiber, der 0.7V kostet, weglassen Schalte einen 2.7V MOSFET wie AO3400A direkt mit dem uC Ausgang, R1 und R2 kannst du dranlassen.
Angehängte Dateien:
Vorschlag, so sollte es auch funktionieren. Ok ist aus technischer Sicht nicht notwendig, löst aber das Problem mit der sonst zu geringen Gatespannung für den IRLL3303. Aber...wenn der TO den OK bestellen muss könnte er auch gleich einen besseren Mosfet bestellen;-( Der könnte dann gleich vom uC angesteuert werden.
Schau Dir mal den an: https://www.infineon.com/dgdl/irf7470pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ff2fe11c18
Also ich denke schon, dass man für 1.67 A den IRLL3303 nehmen kann. Immerhin gibt es für 3.3V Gate-Source-Spannung (Ugs) im Diagram "typical output charateristic" sogar eine Kurve für 3.0V Ugs und da stellt sich bei 3.0 V Ugs typisch ein Uds von unter 0.2 V ein. Also für unter 2 A kann man den IRLL3303 meiner Meinung nach durchaus mit 3.3 V ansteuern wenn es einen nicht stört, dass man so zwischen 100 und 200 mV Spannungsfall über der Drain-Source-Strecke hat.
> 2. wozu den R1 und wie groß soll der sein, wenn du gleichzeitig den > Aufwand mit den Treibertransistoren spendierst? Fuer den Widerstand gibt es zwei Gruende. 1. Man kann durch geschickte Auswahl die Einschaltzeit passend zu seiner Anwendung auslegen und hat dann weniger EMV-Probleme. 2. Die Kapazitaet zwischen Gate und Drain kann dafuer sorgen das am Gate eine zu hohe Spannung entsteht welche dir deine Ansteuerung kaputt macht. Allerdings ist das wohl eher ein Problem wenn man direkt vom Mikrocontroller ausgeht. Ich sehe den in der Regel vor und dimensioniere dann in der endgueltigen Schaltung nach Oszibild. Olaf
M. K. schrieb: > Also für unter 2 A > kann man den IRLL3303 meiner Meinung nach durchaus mit 3.3 V ansteuern > wenn es einen nicht stört, dass man so zwischen 100 und 200 mV > Spannungsfall über der Drain-Source-Strecke hat. Das sind typische Werte, nicht garantierte. Diese können erheblich höher liegen. Selbst wenn: Was glaubst Du, was ein SOT223 mit 400mW (0,2V*2A) Verlustleistung macht?
Nimm einen Smartfet wie AOZ1360 oä. Der geht direkt mit 3,3v am Gate, ist Highside und gegen Überlastung geschützt.
:
Bearbeitet durch User
Olaf schrieb: > Fuer den Widerstand gibt es zwei Gruende. Ich habe nach dem Wert gefragt, weil du einen Treiber verwendest und dann mit einem Widerstand der Vorteil des Treibers wieder zunichte gemacht. Wenn R1 nur max. 10Ω hat: ok. Hat er deutlich mehr, dann kannst du dir den Treiber sparen.
Andreas B. schrieb: > Das sind typische Werte, nicht garantierte. Diese können erheblich höher > liegen. Selbst wenn: Was glaubst Du, was ein SOT223 mit 400mW (0,2V*2A) > Verlustleistung macht? Naja, der Einwand von M.K. ist schon auch o.k.: - für ein Einzelstück kann man das nach dem Aufbau mal ausmessen. In sehr vielen Fällen wird man deutlich weg sein von den in Datenblatt angegebenen Maximalwerten und liegt meist sehr nahe bei den typischen Werten. - Das SOT223 ist mit 1W bei minimalem Footprint und mit über 2W bei einem Quadratzoll Platinenfläche auf FR4 angegeben - bei 25°C. Da kann man sich wenige 100mW schon leisten. Wenn ich den FET extra kaufen muss, würde ich einen anderen nehmen, klar. Dein Einwand, Andreas B., ist aber auch berechtigt: der Ausgang des Steuerelements muss nicht 3.300V bringen, es könnten auch nur 3.1V sein. Und dann bewegt man sich schon langsam in die Grenzregionen.
Bastian W. schrieb: > Wenn ich von einem RDson von ~0,1R ausgehen … Davon ist im Datenblatt bei 3.0V Ansteuerung nichts zu sehen (Fig. 1)
Andreas B. schrieb: > Was glaubst Du, was ein SOT223 mit 400mW (0,2V*2A) > Verlustleistung macht? Mit hinreichender Kühlung: Nix nennenswertes (1 W Verlustleistung zulässig bei minimalem Footprint). Und im Schalterbetrieb hats nen negativen Temperaturkoeffizient. Wie gesagt, wenn man das Teil in der Schublade hat und nicht grad ne Serienproduktion anstrebt hätte ich keine Schmerzen damit, das Teil genau dafür zu benutzen.
M. K. schrieb: > Mit hinreichender Kühlung: Nix nennenswertes (1 W Verlustleistung > zulässig bei minimalem Footprint). Und im Schalterbetrieb hats nen > negativen Temperaturkoeffizient. OK, 1W macht er, aber Schalterbetrieb ist das ja fast nicht mehr. M. K. schrieb: > Wie gesagt, wenn man das Teil in der Schublade hat Notfalls ok, aber der TO fragt nach einem sicheren Betriebsbereich. Und genau das halte ich eben nicht für gegeben.
Andreas B. schrieb: > OK, 1W macht er, aber Schalterbetrieb ist das ja fast nicht mehr. SOA-Diagram angeschaut? Das ist mitten drin im Schalterbetrieb statt nur dabei. Bei den Kernnenndaten (4,6A und 0,031Ω) verheizt das Teil rund 650 mW, warum sollte also bei weniger als 400 mW das fast kein Schalterbetrieb mehr sein? Andreas B. schrieb: > Notfalls ok, aber der TO fragt nach einem sicheren Betriebsbereich. Und > genau das halte ich eben nicht für gegeben. Den Diagrammen nach ist er da aber völlig drin. Ja, das sind nur typische Werte aber das bedeutet nicht, dass man jetzt einen FET erwischt, der elendig weit davon weg liegt. Im Worst-Case liegt man jetzt vielleicht ± 10% daneben. Wenn man also bedenkt, dass schon die 3.0 V Kennlinie auch mit einem ±10% Band noch völlig OK ist und man eh mit 3.3 V an die Sache ran will...also IMO passt das Locker. Klar, es geht schöner. Gings jetzt um den Zukauf würde ich hier auch nach einem FET schauen, der besser geeignet ist. Aber es geht hier ja darum, dass man den FET in der Schublade hat und sich fragt ob man ihn nehmen kann. Und wie gesagt, IMO macht der das locker mit wenn gleich er auch nicht ideal ist.
:
Bearbeitet durch User
M. K. schrieb: > SOA-Diagram angeschaut? Das ist mitten drin im Schalterbetrieb statt nur > dabei. Bei 10ms Pulsen, ja. Dauerbetrieb ist bei diesem SOA Diagramm ja leider nicht ersichtlich. Ob er dann noch drin ist? Im übrigen unterscheiden sich unsere Ansichten nicht allzuweit. Nur daß ich eben sicheren Betrieb etwas anders (nämlich konservativ) definiere. Und da im DB bei 3.3V (geschweige denn bei 3.0V) kein RDson zu finden ist, gehe ich eben vom worst case aus. Persönlich würde ich daher einen geeigneten MosFet wählen. Aber wie Du schon sagtest: Wenn er den schon in der Kiste liegen hat spricht nichts dagegen, das mal auszuprobieren. Dann sollte man aber schon mal die T des MosFets im Betrieb prüfen.
Andreas B. schrieb: > Bei 10ms Pulsen, ja. Dauerbetrieb ist bei diesem SOA Diagramm ja leider > nicht ersichtlich. Ob er dann noch drin ist? Sicher ist er bei den Parametern dann noch drin. Ist ja nicht so, dass er knapp an der 10ms Kennlinie ist. Er ist quasi maximal weit weg davon. Andreas B. schrieb: > Nur daß > ich eben sicheren Betrieb etwas anders (nämlich konservativ) definiere. > Und da im DB bei 3.3V (geschweige denn bei 3.0V) kein RDson zu finden > ist Da musst du aber noch mal genauer hinschaun. Erwartest du so eine Angabe wie : RDSon = x Ohm @ 3.0 V Ugs? Das würde Datenblätter ziemlich unübersichtlich machen wären sie so aufgebaut. Ich geb mal einen Tipp: Bei 2 A hat man RDSon ca. 100 mOhm @ 3.0 V Ugs und diese Daten hab ich aus dem Datenblatt abgelesen ;)
M. K. schrieb: > Andreas B. schrieb: >> Bei 10ms Pulsen, ja. Dauerbetrieb ist bei diesem SOA Diagramm ja leider >> nicht ersichtlich. Ob er dann noch drin ist? > > Sicher ist er bei den Parametern dann noch drin. Ist ja nicht so, dass > er knapp an der 10ms Kennlinie ist. Er ist quasi maximal weit weg davon. Die SOA für Dauerbetrieb liegt unter der Kurve für 10ms. Also völlig unbekannt. M. K. schrieb: > Da musst du aber noch mal genauer hinschaun. Erwartest du so eine Angabe > wie : RDSon = x Ohm @ 3.0 V Ugs? Das würde Datenblätter ziemlich > unübersichtlich machen wären sie so aufgebaut. Bei Logic level MosFets, die für 3V gedacht sind, steht so etwas drin. Nämlich bei ca 3V, bei ca. 5V und für 10V. > Ich geb mal einen Tipp: > Bei 2 A hat man RDSon ca. 100 mOhm @ 3.0 V Ugs und diese Daten hab ich > aus dem Datenblatt abgelesen ;) Du machst mich neugierig. Woher leitest Du das ab?
:
Bearbeitet durch User
Andreas B. schrieb: >> Ich geb mal einen Tipp: >> Bei 2 A hat man RDSon ca. 100 mOhm @ 3.0 V Ugs und diese Daten hab ich >> aus dem Datenblatt abgelesen ;) > Du machst mich neugierig. Woher leitest Du das ab? Aus Fig. 1 oder Fig. 8. Wobei die Kurve in Fig. 1 bei 2A allerdings schon flacher wird. Je nach Definition bewegt man sich also noch im Triodenbereich oder bereits im sog. ungesättigten Bereich, also dem Übergang Ohmsch->Gesättigt (Manche Leute stehen dem MOSFET vier Arbeitsbereiche zu, also OFF->Ohmsch->Ungesättigt->Gesättigt).
MaWin schrieb: > Bastian W. schrieb: >> Bei dem SOA Diagramm > > Das spielt im Schaltbetrieb keine Rolle. Was, glaubst du, passiert beim Umschalten des MOSFET? Wozu glaubst du ist die RDSon limit-Linie?
qwerzuiopü+ schrieb: > Andreas B. schrieb: >>> Ich geb mal einen Tipp: >>> Bei 2 A hat man RDSon ca. 100 mOhm @ 3.0 V Ugs und diese Daten hab ich >>> aus dem Datenblatt abgelesen ;) >> Du machst mich neugierig. Woher leitest Du das ab? > > Aus Fig. 1 oder Fig. 8. Wobei die Kurve in Fig. 1 bei 2A allerdings > schon flacher wird. > Je nach Definition bewegt man sich also noch im Triodenbereich oder > bereits im sog. ungesättigten Bereich, also dem Übergang > Ohmsch->Gesättigt (Manche Leute stehen dem MOSFET vier Arbeitsbereiche > zu, also OFF->Ohmsch->Ungesättigt->Gesättigt). also wenn ich die Kurve Fig. 1 richtig interpretiere, dann sieht das noch viel schlimmer aus: Nehmen wir mal 3V GS und 10V DS. Dann lese ich ab (unterste Kurve für 3V GS): ca. 2.5A. Das sind nach Adam Riese 10V/2.5A= 4 Ohm. Gehe ich auf 1V DS, dann wäre es nahezu der gleiche Strom, also 0.4 Ohm. Hmm, so ganz kann ich das da nicht rauslesen. Ähnliches lese ich auch aus Fig. 3.
ohje... (Gast) schrieb: >MaWin schrieb: >> Bastian W. schrieb: >>> Bei dem SOA Diagramm >> >> Das spielt im Schaltbetrieb keine Rolle. >Was, glaubst du, passiert beim Umschalten des MOSFET? >Wozu glaubst du ist die RDSon limit-Linie? Um Dir zu sagen, wo die Grenze des nutzbaren Bereichs liegen, und nicht, wo die Grenze des Erlaubten liegt. Das ist nämlicvh keine Grenze, die Du einhalten mußt im Sinne des SOA-Diagramms, sondern eine Grenze, die der Mosfet aufgrund seines Rds_on ohnehin nicht überschreiten kann. Also, es bleibt dabei - das SOA-Diagramm ist üblicherweise unwichtig für den Schaltbetrieb (evtl. nötig für die Umschaltflanken, wenn man es zu langsam macht)
:
Bearbeitet durch User
Andreas B. schrieb: > Nehmen wir mal 3V GS und 10V DS. Dann lese ich ab (unterste Kurve für 3V > GS): ca. 2.5A. Das sind nach Adam Riese 10V/2.5A= 4 Ohm. Gehe ich auf 1V > DS, dann wäre es nahezu der gleiche Strom, also 0.4 Ohm Der MOSTFET befindet sich nicht im Ohmbetrieb, also Schaltbetrieb. Bei VGS=3V iser aber bei VDS <0,2V. Andreas B. schrieb: > also wenn ich die Kurve Fig. 1 richtig interpretiere, dann sieht das > noch viel schlimmer aus Tja... Bei 1.6A sehe ich auch knapp 0,1 Ohm und somit muss der MOSFET ~0,3W-0,35W verbraten.
Andreas B. schrieb: > Die SOA für Dauerbetrieb liegt unter der Kurve für 10ms. Also völlig > unbekannt. Demnach dürfte man so manchen Mosfet überhaupt nicht als Schalter benutzen da das SOA-Diagramm keine DC-Kurve hat. Das ist natürlich völliger Unsinn. Nur weil das SOA-Diagramm keine DC-Kurve hat heißt das nicht, dass man den Mosfet nicht als Schalter benutzen kann. Wenn keine DC-Kurve vorhanden ist heißt das nur, dass man nicht sicher sagen kann, ob der Mosfet für ohmischen Betrieb geeignet ist. Da aber die maximal zulässige Verlustleistung angegeben ist lässt sich abschätzen wo die DC-Kurve liegen muss. Und zeichnest du die mal in das SOA-Diagramm ein siehst du, dass man mit den Kennwerten Id=2A und Uds=0.2V noch weit unter dieser Kurve ist. Andreas B. schrieb: > also wenn ich die Kurve Fig. 1 richtig interpretiere, dann sieht das > noch viel schlimmer aus: > Nehmen wir mal 3V GS und 10V DS. Dann lese ich ab (unterste Kurve für 3V > GS): ca. 2.5A. Das sind nach Adam Riese 10V/2.5A= 4 Ohm. Gehe ich auf 1V > DS, dann wäre es nahezu der gleiche Strom, also 0.4 Ohm. > Hmm, so ganz kann ich das da nicht rauslesen. Ähnliches lese ich auch > aus Fig. 3. Uh, jetzt haust du aber einen raus. Erkläre uns mal bitte, wie du es schaffen willst, bei grad mal Id = 2.5 A und Ugs = 3.0 V ein Uds von 10 V zu schaffen. Bei Id = 2.5 A und Ugs = 3.0 V lese ich, dass sich hier Uds auf ca. 0.25 V einstellen wird, das entspricht einem RDSon von ca. 0.6 Ohm. Ja, du hast dich verguckt, bei Uds = 10 V und Ugs = 3.0 V bist du bei ca. 3.5 A. Ansonsten hast du in dem Fall soweit recht. Und jetzt gehst du nicht auf 3.5 A hoch sondern nur auf die 1.67 A, die der TE schalten will, und schaust wo die die 3.0 V Ugs Linie kreuzt. Das ist schwierig, also schaut man mal etwas höher und sieht 2 A ist recht einfach ablesbar, bei etwa 0.2 V Uds wird hier Ugs = 3.0 V geschnitten und somit stellt sich etwa 100 mOhm als RDSon ein.
M. K. schrieb: > bei etwa 0.2 V Uds wird hier Ugs = 3.0 V geschnitten und somit > stellt sich etwa 100 mOhm als RDSon ein. Ok, stimmt. Habe den Graph wirklich falsch interpretiert.
M. K. schrieb: > enn keine > DC-Kurve vorhanden ist heißt das nur, dass man nicht sicher sagen kann, > ob der Mosfet für ohmischen Betrieb geeignet ist. Du meinst für den Linearbetrieb, aka Sättigungsbetrieb. Der Ohmsche Bereich ist ja der, den man beim Schalten haben möchte. Andreas B. schrieb: > Nehmen wir mal 3V GS und 10V DS. Dann lese ich ab (unterste Kurve für 3V > GS): ca. 2.5A. Das sind nach Adam Riese 10V/2.5A= 4 Ohm. Das ist aber der Sättigungsbereich. Da interessiert der Widerstand nicht, weil der stark von der Spannung abhängt (-> ~Konstantstromquelle). Da es aber nicht darum geht, 10V zu verheizen, sondern zu schalten, musst du links schauen, dort wo die Linie noch näherungsweise linear ist. Und die 2A liegen eben noch so gerade da drin. 0,2V Spannungsabfall lassen dementsprechend auf ca. 100mOhm schließen.
Beitrag #5768244 wurde vom Autor gelöscht.
Will man die typ. Werte benutzen, muß man die Abweichung mit einplanen, und man darf es gerne durch einen Test verifizieren - ist der IRLL3303 schon daheim, ist das natuerlich leicht moeglich. Doch bleibt das Standard-Vorgehen, einen der vielen 2,5V spezifizierten Typen zu nehmen. (Sichtbar @Datenblatt als Meßbedingung fuer den R_ON.) Das sieht Andreas auf jeden Fall richtig.
m.c. schrieb: > Doch bleibt das Standard-Vorgehen, einen der vielen 2,5V spezifizierten > Typen zu nehmen. (Sichtbar @Datenblatt als Meßbedingung fuer den R_ON.) > Das sieht Andreas auf jeden Fall richtig. Dagegen sagt ja auch keiner was. Muss man zukaufen, dann gleich einen geeigneten LL-Typ holen. Liegt ab schon der IRLL3303 auf dem Tisch, dann kann man den auch nehmen, wenngleich er nicht ideal für den Einsatzzweck ist ;)
:
Bearbeitet durch User
Danke für die gane Infos. Ich hab die IRLL3303 schon hier in der Schublade. Die Steuerung soll primär für mich sein, da ich sie aber zum Nachbauen Online stellen werde, denke ich das es besser ist doch gleich den passenden MosFET zu nehmen. Den Widerstand R1 hatte ich noch nicht dimensioniert, da ich mir über die Schaltgeschwindigkeit noch nicht sicher war. Der STM32F103 den ich verwenden will hat nur garantierte Logikpegel bis 8 mA, daher den Treiber. Ich hab bei Mouser schon ein paar schöne gesehen. Wenn ich mit einer Frequenz von ~0,1 Hz den Widerstand schalten will, um so die Temperatur zu regeln, ist das dann einfacher einen PMOS zu nehmen und mit einer Spule und einem PI-Filter die Oberwellen zu dämpfen ? Oder ist das dann egal ob ich das dann auch mit einem NMOS mache ? Gruß JackFrost
Bastian W. schrieb: > Wenn ich mit einer Frequenz von ~0,1 Hz den Widerstand schalten will, um > so die Temperatur zu regeln, ist das dann einfacher einen PMOS zu nehmen > und mit einer Spule und einem PI-Filter die Oberwellen zu dämpfen ? Oder > ist das dann egal ob ich das dann auch mit einem NMOS mache ? Hoffentlich glaubst du selbst nicht dran, was du da schreibst!
Zur Info ... https://www.analog.com/en/technical-articles/ltspice-soatherm-support-for-pcb-and-heat-sink-thermal-models.html
Bastian W. schrieb: > Wenn ich mit einer Frequenz von ~0,1 Hz den Widerstand schalten will, um > so die Temperatur zu regeln, ist das dann einfacher einen PMOS zu nehmen > und mit einer Spule und einem PI-Filter die Oberwellen zu dämpfen ? ...öhm... 0.1 Hz? Also praktisch Gleichspannung? Wo sollen da deine Oberwellen herkommen? Meinst du die aus der Siebung? 0.1 Hz entsprechen 10 Sekunden.
Bastian W. schrieb: > die Schaltgeschwindigkeit noch nicht sicher war. Der STM32F103 den ich > verwenden will hat nur garantierte Logikpegel bis 8 mA, daher den > Treiber. In das Mosfet-Gate fließt nur im Umschalt-Moment Strom. Deine PWM ist so langsam (fast schon Gleichstrom) dass der STM seine volle Ausgangsspannung garantiert erreicht. Die 8 mA sind völlig irrelevant. der STM hat CMOS-Ausgangstreiber. Das ist einerseits gut, weil diese im Umschaltmoment den Strom selber auf ein für sie verträgliches Maß begrenzen (den Strom, nicht die Verlustleistung). Andererseits kann das schlecht sein, weil es den Schaltvorgang verlangsamt und insbesondere beim Abschalten der Mosfet lange auf dem "Miller-Plateau" hängen bleiben kann. Ob dein Transistorpaar-Treiber dagegenüber insgesamt einen Vorteil bringt, bezweifel ich erstmal, müsste man simulieren/messen. Der FET läuft damit zwar etwas schneller durch den Linearbereich, hat dafür aber mglw. im deutlich längerem ON-Zeitbereich einen höheren Rdson, wg. der um 0.7V geringeren Gatespannung. Aber so aus dem Bauch heraus: Klemm einen geeigneten Mosfet mit dem Gate direkt an den STM-IO. Bei 0.1Hz macht ein Treiber das eher nicht besser, vermutlich aber schlechter.
Thread beobachten
Seitenaufteilung abschaltenBitte melde dich an um einen Beitrag zu schreiben. Anmeldung ist kostenlos und dauert nur eine Minute.
Bestehender Account
Schon ein Account bei Google/GoogleMail? Keine Anmeldung erforderlich!
Mit Google-Account einloggen
Mit Google-Account einloggen
Noch kein Account? Hier anmelden.