Liebes Forum, ich möchte ein P-Mosfet (IRF5210) verwenden um ein Heizbett zu schalten. Da ich das ganze an eine bestehende Schaltung "andocken" muss, habe ich keinen Pin am Controller, sondern nur ein Gate eines 74HC08, über das ich den FET schalten kann. Da hängt jedoch jedoch bereits eine LED dran. Jetzt frage ich mich, wie man bei der Berechnung des Spannungsteilers vorgeht.
1 | +24V-------------------+-------------+ |
2 | | | |
3 | [R1] | |
4 | | | |
5 | +----------[IRF5210] |
6 | | | |
7 | [R2] | |
8 | | | |
9 | 74HC08--------------[BCX41] | |
10 | | [Heizbett] |
11 | | | |
12 | | | |
13 | | | |
14 | | | |
15 | GND-------------------+-------------+ |
Wenn ich nun am Gate des Mosfets irgendwo bei -10V landen möchte, ist ja prinzipiell erstmal nur das Verhältnis R1/R2 entscheidend. Wenn ich nun für R1 = 12K und R2 = 15K einsetze, käme ich auf -10,66V, sobald der Transistor schaltet. Theoretisch könnte ich ja auch 12R und 15R einsetzen, hätte dann aber einen hohen Stromfluss zwischen GND und +24V. Nun frage ich mich, wie man die Widerstände optimalerweise dimensioniert? Meistens ist die Vermeidung eines hohen Stroms über den Teiler ja nur ein Ziel. Spricht hier irgendwas eher für kleinere Widerstände? Wie geht man dabei vor? Würde mich sehr über fachkundigen Rat freuen. LG, Martin