Licht emittierender Transistor

[Bastelfreund (Gast)]

Hallo Leute, warum gibt es eigentlich keine LETs,  also Licht 
emittierende Transistoren. Am Basisanschluss könnte man dann vielleicht 
die Durchlassspannung einstellen, und damit die zu emittierende 
Wellenlänge. Bei normalen LED's ist das (Faustformel) U = 1240V / 
Wellenlänge in Nanometer

Btw. Ich hatte schon oft RETs auf meinem Basteltisch, also Rauch 
emittierende Transistoren ;-)

[Kopfschüttel (Gast)]

Oh, ist da ein neuer Nick Holonyak am Horizont erschienen?

Oder doch nur ein ziemlich mieser Troll Versuch

[Yalu X. (yalu) (Moderator)]

Bastelfreund schrieb:
> Btw. Ich hatte schon oft RETs auf meinem Basteltisch, also Rauch
> emittierende Transistoren ;-)

Konntest du bei denen die Farbe des Rauchs (bspw. rot, blau oder gelb)
einstellen?

Siehst du, bei den LETs geht das genauso wenig.

Ansonsten:

https://en.wikipedia.org/wiki/Light-emitting_transistor
https://en.wikipedia.org/wiki/Organic_light-emitting_transistor

Hättest aber auch selber draufkommen können :)

[Joachim B. (jar)]

Bastelfreund schrieb:
> Hallo Leute, warum gibt es eigentlich keine LETs,  also Licht
> emittierende Transistoren

na ja die muste man früher selbst herstellen, BC107B im Metall-Case, den 
Deckel absägen, dann konnte das Licht auch raus wenn man genügend 
Startenergie reingesteckt hat.

[Bastelfreund (Gast)]

Kopfschüttel schrieb:
> Oh, ist da ein neuer Nick Holonyak am Horizont erschienen?
>
> Oder doch nur ein ziemlich mieser Troll Versuch

Weder noch, ich hatte wohl einen leichten Schlaganfall In der Nacht und 
bin seit dem etwas verblödet. Ich hätte wohl nicht selbstständig meine 
Tabletten (Candesartan) absetzen sollen. Die Bücher zur Halbleiter 
Physik verstehe ich nicht mehr, aber an Kinderbüchern wie Rico Oscar und 
das Vomhimmelhoch habe ich immer noch meine Freude.

[Peter R. (Gast)]

Bastelfreund schrieb:
> Am Basisanschluss könnte man dann vielleicht
> die Durchlassspannung einstellen, und damit die zu emittierende
> Wellenlänge.

Für die Wellenlänge ist eine materialspezifische Spannung der PN-Schicht 
verantwortlich die hat nichts mit der stromabhängigen Durchlassspannung 
zu tun.

Wenn, wäre die Spannung an der PN-Schicht der Basis maßgebend. Die ist 
außen annähernd als UBE messbar.

"Basisspannung" ist eher die Spannung Basis gegen GND und die hat mit 
dem Vorgang im Innern des Ts nun garnichts zu tun.

Also nix mit Einstellung der Wellenlänge.

Bastelfreund schrieb:
> warum gibt es eigentlich keine LETs

bei der niedrigen Durchlassspannung  von Ge- oder Si-Übergängen würde 
bestenfalls sehr langwelliges IR-Licht entstehen. Setz halt mal die 0,6V 
für Si oder die 0,3V für Ge in Deine (hässlich zugeschnittene) Gleichung 
ein.
m.W. ist Si oder Ge sogar für die erzeugte Wellenlänge der Sperrschicht 
undurchsichtig.