Hallo zusammen, ich habe mich gerade in das Thema "Mosfet" eingelesen und habe da ein Frage zu einem Parameter in Datenblättern. Da Mosfets nicht perfekt sperren und minimal ein Strom durch Drain-Source durchfließt, wollte ich wissen, wie man diesen Leckstrom in Datenblättern nennt. MfG
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Oh je schrieb: > Idss: drain leakage current Vielen Dank. Ich habe gerade nach 2 Mosfets nachgeschaut und der Leckstrom lag im µA Bereich. Gibt es auch welche, die im nA Bereich liegen? Oder gibt es sowas noch nicht aufgrund von technischer Realisierbarkeit? MfG
Der leckärmste MOSFET, den ich kenne, ist der BSP125 mit max. 100 nA bei 600 V und Raumtemperatur. Geht dann aber auch auf 5 µA hoch, wenn die Temperatur auf 125°C steigt. Welche anderen Rahmenparamter brauchst du noch? Beim CD4066 ist der typ. Eingangsleckstrom mit 10 pA bei Raumtemperatur angegeben. Maximal jedoch 100 nA. Bei höheren Temperaturen jedoch max. 1 µA.
letztendlich muss man das Verhältnis Imax : Ileck sehen. Grosse Maximalströme bedingen nun mal geometrisch grosse Kanäle und damit höhere Leckströme. Also temdenziell sollten Fets mit kleinerem Drainstrom auch kleinere Leckströme haben. In der Praxis interessiert 1µA Reststrom nicht, wenn ich 1A, 10A oder mehr schalten will. Für mich war der Reststrom noch nie ein auschlaggebender Auswahlpunkt. Interessanter sind da Gateladung, RDSon, Wärmewiderstand neben den grundlegenden Parametern Drainstrom und SPerrspannung. Falls es Anwendungen gibt, die einen besonders geringen Leckstrom erfordern, gibts sicher auch Typen die das bieten. Ich habe noch nie danach gesucht. Warum brauchst du das?
Wenn du mosfets mit niedrigem Leckstrom suchst, suchst du welche mit hohem Vth. Außerdem könntest du in einer Anwendung mit Vgs noch unter 0V gehen, aber meistens ist der Leckstrom von diskreten mosfets nicht der entscheidende parameter.
H.Joachim S. schrieb: > Warum brauchst du das? Danke für eure Antworten. Ich möchte meine Schaltung mit einem LiPo Akku versorgen und mit Mosfets jederzeit Bauteile wie einen FDTI Chip oder GPS Modul ein-und abschalten können. Meine Schaltung arbeitet mit einem 3,3V Pegel. Wenn die Bauteile abgeschaltet sind, dann spielt der Leckstrom der Mosfets für mich eine wichtige Rolle. Die sollte so klein wie möglich sein. Deswegen habe ich auch ursprünglich danach gefragt. MfG
Faustregel: 100 µA im Jahr sind rund eine Ah. Wie klein ist denn das Akkumulatörchen? Wie viele Jahrzehnte bei harter kosmischer Strahlung muss denn die Schaltung aushalten? Für eine Anwendung, wie den zweiunddrölfsten Datalogger reichen 2N7002 / BSS84 locker aus. Konzentrier dich auf die Software mit einer effizienten Prozesszeit und einen möglichst langen Power-Donw-Cycle. Wenn das nicht reicht, verwende Bauteile mit Enable / Power-Down-Eingang. Lektüre: https://www.google.com/url?sa=t&rct=j&q=&esrc=s&source=web&cd=1&ved=2ahUKEwi-x8bNvdjjAhVCuqQKHf39C2UQFjAAegQIAhAC&url=https%3A%2F%2Fwww.analog.com%2Fmedia%2Fen%2Ftechnical-documentation%2Fapplication-notes%2Fan23f.pdf&usg=AOvVaw3UzqNPacCrqWyecgDWHK5E
Hello schrieb: > Meine Schaltung arbeitet mit einem > 3,3V Pegel. Dann schau mal, bei welcher Spannung IDss angegeben ist... Und selbst dann ist es der zul. Maximalwert, der vorkommen kann. Praktisch i.a. deutlich kleiner. Du wirst ihn wahrscheinlich gar nicht messen können. Such in der Serie IRLML.
Hello schrieb: > H.Joachim S. schrieb: >> Warum brauchst du das? > > Danke für eure Antworten. Ich möchte meine Schaltung mit einem LiPo Akku > versorgen und mit Mosfets jederzeit Bauteile wie einen FDTI Chip oder > GPS Modul ein-und abschalten können. Meine Schaltung arbeitet mit einem > 3,3V Pegel. Wenn die Bauteile abgeschaltet sind, dann spielt der > Leckstrom der Mosfets für mich eine wichtige Rolle. Die sollte so klein > wie möglich sein. Deswegen habe ich auch ursprünglich danach gefragt. > > MfG Wenn du mit der Sättigungsspannung leben kannst, dann wären wohl BC846S/856S von Infineon besser. Weil man meist ja Temperaturen unter 150°C hat, sind die Kurven in deren Datenblättern dazu auch ganz interessant. Bei niedrigen Temperaturen haben auch die BC817/818 deutlich weniger als 1uA. Die meisten anderen Hersteller haben diese Leckstromkurven aber nicht im Datenblatt, auch wenn deren Teile sich ähnlich verhalten werden.
Hello schrieb: > H.Joachim S. schrieb: >> Warum brauchst du das? > > Ich möchte meine Schaltung mit einem LiPo Akku versorgen > Wenn die Bauteile abgeschaltet sind, dann spielt der > Leckstrom der Mosfets für mich eine wichtige Rolle. Jein. > Die sollte so klein wie möglich sein. Sicher nicht. Nicht so klein wie möglich. Sondern so klein wie nötig. Der Teil, der den MOSFET steuert, braucht Strom. Der LiPo Akku hat eine Selbstentladung, die wie ein ständig fließender Laststrom wirkt. Wenn der Sperrstrom des MOSFET eine Zehnerpotenz niedriger ist, dann reicht das vollkommen.
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