Hallo zusammen, ich habe mich vorhin zum Thema P Kanal Mosfet eingelesen. Dazu habe ich folgendes gefunden: https://www.mikrocontroller.net/articles/FET#Nachteile_des_FET Da steht, wenn man an Source 400V anhängt, dann muss man für die Steuerung des Mosfets 388V ans Gate anlegen. Woher kommen diese 12V Differenz her? Mein problem ist, dass ich ein 12V Lüfter mit einem Mosfet regeln will. Da wollte ich einen High Side Schalter nutzen. MfG
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Wiener Schnitzel schrieb: > Da steht, wenn man an Source 400V anhängt, dann muss man für die > Steuerung des Mosfets 388V ans Gate anlegen. Woher kommen diese 12V > Differenz her? Aus dem Datenblatt des speziellen MOSFETs. Je nach Typ soll zwischen Gate und Source zum sicheren Einschalten eine Spannung zwischen 2.5V (bei LL-Typen) bis meist max. 20V vorhanden sein. Welche Spannung mindestens ist im Datenblatt an der Stelle angegeben, wo der RDS_on für bestimmte Gatespannungen aufgeführt ist. In dem Bereich zwischen dem Minimum und dem auch angegebenen Maximum von UGS musst du den FET betreiben. Für die meisten FETs sind 12V ein sicherer Wert. Beim pMOSFET ist diese Spannung negativ. In deinem Fall hat der Entwickler -12V für UGS gewählt. Legt er 200V an (= 0V UGS), dann ist der FET gesperrt.
Wiener Schnitzel schrieb: > Mein problem ist, dass ich ein 12V Lüfter mit einem Mosfet regeln will. > Da wollte ich einen High Side Schalter nutzen. Wo kommen da 400V her? Ich schlage vor, du zeichnest mal einen Schaltplan (das ist die Sprache der Elektronik), benennst die Bauteile und schreibst Bauteilwerte dazu. Dann kann man Ross und Reiter beim Namen nennen.
>https://www.mikrocontroller.net/articles/FET#Nachteile_des_FET >Da steht, wenn man an Source 400V anhängt, dann muss man für die >Steuerung des Mosfets 388V ans Gate anlegen. Woher kommen diese 12V >Differenz her? Wie "wo kommen diese 12V Differenz her"? Die kommen eben von der Differenz aus 400V-388V. Und du mußt in Deiner Ansteuerschaltung dafür sorgen, daß diese Differenz irgendwo zw. 0V (aus) und -Ugs_max (ein) des Transistors (lt. DB) liegt. Ugs_max ist oft -20V bei "normalen" P-Mosfets (+20V sind dann idR auch erlaubt, nur tut sich da nix - derselbe Effekt wie bei 0V).
Lothar M. schrieb: > Wo kommen da 400V her? Das wurde in dem zitierten Artikel als Beispiel genannt. Aber eben nur ein Beispiel, wenn an Source 400V anliegen.
Wiener Schnitzel schrieb: > Da steht, wenn man an Source 400V anhängt, dann muss man für die > Steuerung des Mosfets 388V ans Gate anlegen. Woher kommen diese 12V > Differenz her? > > Mein problem ist, dass ich ein 12V Lüfter mit einem Mosfet regeln will. > Da wollte ich einen High Side Schalter nutzen. Was ist jetzt dein Problem: 1) Das Funktionsprinzip eines P-Kanal MOSFET 2) Das Datenblatt deines 400V Types 3) Die Steuerung?Regelung eines 12V Lüfters
https://www.mikrocontroller.net/articles/FET#Unterschied_N-Kanal_.2F_P-Kanal_FET Im untersten Absatz (handelnd von N-Ch) steht: "Beispiel: Lastspannung = 400V d.h. Drain an 400V, die Last zwischen Source und GND, Ansteuerung des N-Kanal FETs mit 412V, also 12V ÜBER dem Sourcepotential. In diesem Fall ist aber eine zusätzliche Spannungsquelle erforderlich, denn der FET wird mit einer Spannung über der Lastspannung eingeschaltet." Erforderlich ist zwar richtig, aber nirgends wird exakt ausgeführt, wie es denn im Gegensatz dazu beim P-Ch ist - nämlich so wie folgend: Bei einem P-Ch in HS (High Side) Schaltung könnte auch ohne eine Hilfsspannung die nötige V_GS gewonnen werden - jedoch (auf einfache Weise, ohne AC bzw. Schaltwandler) nur über einen Spannungsteiler. (Was aber bei hoher Spannung zu ziemlich hohen Verlusten führt.) Somit ist dafür die zusätzliche Spannungsquelle zwar nicht (s. o.) _"erforderlich"_ - aus genannten Gründen aber oftmals anzuraten. (Zum Glück verschiedenste Möglichkeiten anstatt Spannungsteiler - gerade deshalb finde ich das doppelt erwähnenswert, und das o. g. "erforderlich" ist als relativ sparsame Beschreibung zu sehen...) Mag sein, daß ich das etwas eng sehe, aber imho fehlt das eben.
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