Reverse Bias Spannung FET/Bipolartransistor

[Walter T. (nicolas)]

Hallo zusammen,

ich suche gerade nach Informationen, was mit einem Bipolartransistor 
passiert, wenn der Kollektor mit der "falschen" Spannungspolarität 
beaufschlagt wird, also bei NPN mit einer negativen Spannung.

Bei einem MOSFET leitet dann die Substrat-Diode. Was passiert bei einem 
Bipolartransistor? Ist er einfach ein Transistor mit deutlich 
schlechteren Werten? Und überlebt er die gleiche "Collector-Emitter 
Breakdown Voltage" wie im Vorwärts-Modus? Oder gibt es einen Parameter 
im Datenblatt, der das beschreibt, was er in diesem Zustand überlebt?

Kurz: Ich will wissen, ob ein Ausgang, der wie auf der Skizze im Anhang 
aufgebaut ist, gegen die Einspeisung einer negativen Spannung geschützt 
ist.

[MaWin (Gast)]

Walter T. schrieb:
> Ich will wissen, ob ein Ausgang, der wie auf der Skizze im Anhang
> aufgebaut ist, gegen die Einspeisung einer negativen Spannung geschützt
> ist.

Bis -6V hält er auf die Art aus.
Er wird bei negativer Spannung aber nicht ganz gesperrt sein, es sei 
denn, die Diode ist eine Schottky.

[Walter T. (nicolas)]

MaWin schrieb:
> Bis -6V hält er auf die Art aus.

Okay, also quasi nichts im Vergleich zur Vorwärts-Spannung von 80V. Was 
ist der Grund? Die Diodenstrecke zwischen Basis und Emitter?


Den Open-Collector-Ausgang mache ich jetzt wie im Anhang, wobei ich mir 
noch nicht sicher bin, ob die TVS-Diode überhaupt notwendig ist. Ich 
habe zumindest keine Quelle gefunden, dass die Emitter-Kollektor-Strecke 
ESD-anfällig sei.

[Bürovorsteher (Gast)]

> Was ist der Grund? Die Diodenstrecke zwischen Basis und Emitter?

Genau, die hält nur ca. 6 V aus. Mit einer Strombegrenzung kann man die 
B-E-Strecke auch als Z-Diode benutzen. Damit wird sie aber geschädigt 
und die Stromverstärkung des Transistors ist  irreversibel gesunken. 
Wurde (wird?) in integrierten Anordnungen so benutzt.