Warum sperrt P-Kannal FET M1 nicht

[Gerald K. (geku)]

Warum sperrt der P-Kanal FET M1 nicht?

Vto= -0,8V

[hinz (Gast)]

Gerald K. schrieb:
> Warum sperrt der P-Kanal FET M1 nicht?
>
> Vto= -0,8V

Miss mal Ugs, dann siehst du die Ursache.

[Elektrofurz (Gast)]

Der Pull Down Widerstand fehlt an Gate 1.

[hinz (Gast)]

Elektrofurz schrieb:
> Der Pull Down Widerstand fehlt an Gate 1.

Nein, er hat einen anderen Fehler gemacht.

[Elektrofurz (Gast)]

Dann sag doch mal welchen Fehler er gemacht hat. Bitte!

[hinz (Gast)]

Elektrofurz schrieb:
> Dann sag doch mal welchen Fehler er gemacht hat. Bitte!

Gerald kommt da schon noch drauf.

[Elektrofurz (Gast)]

hinz schrieb:
>
> Gerald kommt da schon noch drauf.

Ok. Dann werde ich mich wohl leider in Geduld üben müssen ? .
Dann schaue ich nächstes Jahr nochmal hier in diesem Thread vorbei.

[GEKU (Gast)]

Die Spannungsquelle 2 schaltet zwischen 3.3V und 0V.

Wenn U2 = 3.3V und U1 = 3.3V ist sollte die Spannung am Gate 1 0V sein. 
Laut DB ist der Leckstrom bei 0V einige Mikroampere und nicht im 2 
stelligen Mikroamperebereich.

Vielleicht sind die FETs ungeeignet. Ich habe schon mehrere aus der 
LTSpice DB durchprobiert. Ohne Erfolg. In der Realität ist es ein 
Si2551.

Zur Funktion  :

Die Spannungsquelle 2 ist in der realen Schaltung die Taste EIN/AUS mit 
40k Pullup (MV Eingang).

Normalerweise reicht eine kurze Betätigung der Taste  für die Funktion 
EIN/AUS AM MC Eingang aus. Eine lange Betätigung sollte den MC 
resetieren.

[Christian L. (cyan)]

Ich löse mal auf:

Drain und Source sind vertauscht.

[Elektrofurz (Gast)]

Ich glaube ich hab's jetzt ? !

Er hat Source und Drain bei M1 versehentlich vertauscht. Da das ja ein 
P-Kanal Mosfet ist, müssen hier die beiden Anschlüsse nur noch 
umgetauscht werden. Richtig?

Oder hätte ich das jetzt besser nicht verraten sollen?

[Elektrofurz (Gast)]

Ach soo. Es hat schon ein anderer verraten. Dann ist es ja gut.

[Gerald K. (geku)]

Christian L. schrieb:
> Ich löse mal auf:
>
> Drain und Source sind vertauscht.

Elektrofurz schrieb:
> Ich glaube ich hab's jetzt ? !
>
> Er hat Source und Drain bei M1 versehentlich vertauscht. Da das ja ein
> P-Kanal Mosfet ist, müssen hier die beiden Anschlüsse nur noch
> umgetauscht werden. Richtig?
>
> Oder hätte ich das jetzt besser nicht verraten sollen?

Jetzt funktioniert es!

Ich danke Euch und

wünsche allen im Forum eine gutes, erfolgreiches Jahr.

LG
Gerald

[hinz (Gast)]

Elektrofurz schrieb:
> Ach soo. Es hat schon ein anderer verraten. Dann ist es ja gut.

Naja, der Lerneffekt ist so viel geringer.

[HildeK (Gast)]

hinz schrieb:
> Naja, der Lerneffekt ist so viel geringer.

Zur Erhöhung des Lerneffekts könnte man ihm noch mitteilen, dass in 
jedem MOSFET eine Bodydiode drin ist und diese geleitet hat, weil sie in 
Durchlassrichtung von Source nach Drain liegt.
Deren Wirkrichtung kann man sehr gut an dem kleine Pfeil des mittleren 
Sourceanschlusses sehen.

[Helmut S. (helmuts)]

Und hier noch ein Tipp.
In der gezeigten Anwendung sollte man die kleinsten Mosfets nehmen, weil 
die hier benutzen großen Mosfets bis zu 10uA Drainstrom im Auszustand 
haben. In der gezeigten Anwendung reichen Mosfets mit einem Ron von 
10Ohm.

[Gerald K. (geku)]

HildeK schrieb:
> jedem MOSFET eine Bodydiode drin is

Jetzt habe ich wirklich was dazu gelernt. Der Pfeil gibt die Richtung 
der Bodydiode an, der Emitterpfeil zeigt hingegen die Richtung des 
Emitterstroms an. Die Bodydiode muss in Sperrrichtung betrieben werden. 
Ein guter Anhaltspunkt für die Überprüfung der Schaltung. Dank!

[hinz (Gast)]

Unter "MOSFET Basics" findest du von zahlreichen Herstellern PDFs zum 
Thema.

[Gerald K. (geku)]

Helmut S. schrieb:
> In der gezeigten Anwendung sollte man die kleinsten Mosfets nehmen

War mir klar, da ich ins DB schaute. Mir ging es prinzipiell um die 
Funktion und konnte auf die Schnelle keinen FET für Kleinsignale finden.

Ich  verwende den Si2551 (N-Kanal und P-Kanal in einem Gehäuse). Für 
diese gibt es in LTSPICE keine Daten. Wenn ich dazu kommen werden ich 
einen Datensatz für die Simulation erstellen. Auf jedenfall danke für 
den Hinweis.

[hinz (Gast)]

Gerald K. schrieb:
> Si2551 (N-Kanal und P-Kanal in einem Gehäuse)

Den kennt man bei Vishay/Siliconix gar nicht.

[Gerald K. (geku)]

hinz schrieb:
> Den kennt man bei Vishay/Siliconix gar nicht.

Sorry, habe mich verschrieben. Sollte Si1551 sein.

[hinz (Gast)]

Gerald K. schrieb:
> Si1551

Der ist auch bestens für so kleine Spannungen geeignet.

[takoyaki (Gast)]

Gerald K. schrieb:
> Emitterpfeil zeigt hingegen die Richtung des Emitterstroms an

(Es gibt beim IGFET / MOSFET keinen Emitter. Nirgends.)

Nein, sondern dasselbe: Das Symbol für die Bodydiode. Im Grunde ist
solch ein Mosfet-Symbol, wie Du jetzt gerade (zwischen den Zeilen)
gemeint hast (eines mit zwei Pfeilen) irgendwie "doppelt gemoppelt".

Vermutlich entstand das, weil sich manche schwer damit taten, daß
der Pfeil genau umgekehrt wie beim BJT zeigt, um damit die oftmals
wichtige Funktion als "natürliche Freilaufdiode" nochmal separat zu
verdeutlichen, und alles vom BJT-Symbol noch mehr abzuheben?

[Gerald K. (geku)]

takoyaki schrieb:
> Es gibt beim IGFET / MOSFET keinen Emitter. Nirgends

Ist mit schon bewusst.

Aber Jahrzehnte langes arbeiten mit BJT hinterlässt Spuren.
Wenn man die Schaltung zur Kontrolle schnell durch sieht, passieren 
leider Fehler.

Zum Glück habe ich vor der Weitergabe der Layoutdaten dieses 
Schaltungsdetail simuliert und das Problem gefunden. Dank des Forums war 
dieses rasch beseitigt.