Hallo Forumsgemeinde!
Erst einmal wünsche ich allen noch ein Gutes Neues Jahr!
Hatte im Urlaub wieder Zeit zum basteln und dabei ist folgende Schaltung
entstanden (siehe Anhang)
Leider bin ich mir unsicher ob sich der verwendete Transistor (BC817) im
Betriebsbereich des Datenblattes befindet.
Zur Schaltung:
Der blau umrahmte Bereich ist ein Gerät das einen Verbraucher mittels
N-FET Ein- bzw. Ausschaltet (Kann nicht beeinflusst werden)
Wenn der externe Verbraucher eingeschaltet und SW1 sowie SW2 betätigt
ist, soll ein Ausgang geschaltet werden.
Des Weiteren soll ausgewertet werden ob der Verbraucher eingeschaltet
und SW2 betätigt ist.
Habe daraufhin folgende Schaltung entworfen und bereits in der Praxis
aufgebaut.
Es läuft alles wie erwartet - Nur beim Überprüfen der zugelassenen Werte
ist mir aufgefallen, dass bei Q4 & Q5 zwischen Basis und Emitter eine
negative Spannung anliegen kann.
Folgende Spannungen habe ich dabei zwischen Basis und Emitter bei Q4
festgestellt:
1
Verbraucher: EIN / SW1: EIN / SW2: EIN => ~0,7V OK
2
Verbraucher: EIN / SW1: EIN / SW2: AUS => ~-0,5V ???
3
Verbraucher: EIN / SW1: AUS / SW2: EIN => ~-0,9V ???
4
Verbraucher: AUS / SW1: EIN / SW2: EIN => ~-4V ???
5
Verbraucher: EIN / SW1: AUS / SW2: AUS => ~-5V ???
6
Verbraucher: AUS / SW1: AUS / SW2: EIN => ~-8V ???
7
Verbraucher: AUS / SW1: AUS / SW2: AUS => ~-5V ???
Bei Q5 habe ich im schlimmsten Falle -12V zwischen BE anliegen...
Im Datenblatt des BC817 steht max. Vebo 5V
Ist das normal? Ich glaube ich steh momentan auf dem Schlauch...
Die Schaltung läuft schon ein paar Stunden und bisher ist nichts
übermäßig warm geworden oder abgeraucht.
Kann man das so lassen oder raucht mir das irgendwann ab?
Gruß,
Max
Negative Spannung an BE über 6V können einen Transistor beeinträchtigen.
Die BE Stecke ist eine Z-Diode.
Warum nicht die Schalter direkt an Stelle der Transistoren setzen ?
Es stört nicht, wenn über Q4, dann SW1, die Spannung vor dem 100k auf
12V angehoben wird, der 100k schützt den Arduino. Nur sollte der 10k
nach 5V dann besser nach 12V gehen.
Oder zumindest SW2 an 5V statt 12V schalten lassen.
Man kann die Schaltung auch rein digital mit 2 ODER Gattern aus einem
mit 12V versorgtdn CD4071 (oder einem CD4001 mit Inverter nach NOR)
lösen, wenn man die Schalter nach Masse schalten lässt und sonst über
einen pull up ein high am Oder-Gatter-Eingang hat. Da man nur 5V am
Arduino braucht, kämen dort wieder 100k davor.
Immerhin hat man dann ein sauberes low am Arduino.
Hallo MaWin!,
Danke für Deine Antwort!
>Warum nicht die Schalter direkt an Stelle der Transistoren setzen ?>Es stört nicht, wenn über Q4, dann SW1, die Spannung vor dem 100k auf>12V angehoben wird
Ich hab SW2 ein wenig vereinfacht - Das + Signal kommt von einer anderen
Steuereinheit. Funktioniert aber so 1:1.
>, der 100k schützt den Arduino.
Genau so war der Plan
>Negative Spannung an BE über 6V können einen Transistor beeinträchtigen.>Die BE Stecke ist eine Z-Diode.
beeinträchtigen = beschädigen?
Sind die -6V eine Faustregel oder kann man das irgendwo dem Datenblatt
entnehmen? (Hab ich da etwas übersehen?)
>Man kann die Schaltung auch rein digital mit 2 ODER Gattern aus einem>mit 12V versorgtdn CD4071 (oder einem CD4001 mit Inverter nach NOR)>lösen, wenn man die Schalter nach Masse schalten lässt und sonst über>einen pull up ein high am Oder-Gatter-Eingang hat. Da man nur 5V am>Arduino braucht, kämen dort wieder 100k davor.>Immerhin hat man dann ein sauberes low am Arduino.
Auch eine Gute Idee! - Das wäre aber dann Plan B :-)
Da ich dann das bisherige in die Tonne treten müsste (incl. geätzter
Platine) :-D
Hatte gerade nochmal eine Idee: Man könnte doch zwischen Gate und
Emitter einfach eine Diode einfügen - So könnte ich die negative
Spannung auf ein minimum begrenzen?
Nimm ein Mosfet die meisten Logik Level FETs halten +-20V am Gate aus.
Ich versteh eh diesen Transistor Wahn nicht, gerade bei
Logikschaltungen. Ist das MosFet wirklich immer noch so viel schwarze
Magie und Voodoo für bastler? Außerdem muss man nicht immer alles
diskret aufbauen was es schon 1000 Fach fertig gibt...
Max M. schrieb:> Des Weiteren soll ausgewertet werden ob der Verbraucher eingeschaltet> und SW2 betätigt ist.
Hi,
Du arbeitest mit verschiedenen Versorgungsspannungen?
> Verbraucher: EIN / SW1: AUS / SW2: AUS => ~-5V ???> Verbraucher: AUS / SW1: AUS / SW2: EIN => ~-8V ???> Verbraucher: AUS / SW1: AUS / SW2: AUS => ~-5V ???
So wie jetzt ist das schon eine fertige Lösung, die die Leser hier
sozusagen erst analysieren müssen.
Mit Logik-Zustands-Tabelle würdest Du Erleichterung bringen.
Dann geht es an die Umsetzung und das Fine Tuning.
ciao
gustav
Max M. schrieb:>>Negative Spannung an BE über 5V können einen Transistor beeinträchtigen.> Sind die -5V eine Faustregel oder kann man das irgendwo dem Datenblatt> entnehmen? (Hab ich da etwas übersehen?)
Ja, das trifft für praktisch alle bipolaren Siliziumtransistoren
(auch für die in ICs) zu und steht normalerweise auch im Datenblatt.
Max M. schrieb:> Hatte gerade nochmal eine Idee: Man könnte doch zwischen Gate und> Emitter einfach eine Diode einfügen - So könnte ich die negative> Spannung auf ein minimum begrenzen?
Das sollte klappen. Allerdings ist die BE Diode eben eine Z-Diode, die,
wenn sie mit kleinem Strom betrieben wird, auch nicht kaputt geht, das
sollte bei dir durch die Basisvorwiderstände gewährleistet sein.
Wenn die Schaltung also funktioniert, und du die Widerstände so drin
lässt, gehts auch ohne Umbau.
>Nimm ein Mosfet die meisten Logik Level FETs halten +-20V am Gate aus.>Ich versteh eh diesen Transistor Wahn nicht, gerade bei>Logikschaltungen.
Das ist auch eine gute Idee!
>Ist das MosFet wirklich immer noch so viel schwarze>Magie und Voodoo für bastler? Außerdem muss man nicht immer alles>diskret aufbauen was es schon 1000 Fach fertig gibt...
Nein - Ich wollte es nur mit Transistoren aufbauen :-)
>Hi,>Du arbeitest mit verschiedenen Versorgungsspannungen?
Mit zwei: 5V & 12V
Es entstehen quasi negative Spannungen an der BE Stecke
>Ja, das trifft für praktisch alle bipolaren Siliziumtransistoren>(auch für die in ICs) zu und steht normalerweise auch im Datenblatt.
Bei dem Datenblatt das ich gelesen habe, war nur die Rede von max. +5V.
Über negative Spannungen konnte ich nichts finden.
Aber gut zu wissen!
>Das sollte klappen. Allerdings ist die BE Diode eben eine Z-Diode, die,>wenn sie mit kleinem Strom betrieben wird, auch nicht kaputt geht, das>sollte bei dir durch die Basisvorwiderstände gewährleistet sein.>Wenn die Schaltung also funktioniert, und du die Widerstände so drin>lässt, gehts auch ohne Umbau.
Also Du meinst, ich könnte das so lassen? Wenn etwas nicht passen würde,
müsste doch etwas heiß werden und durchbrennen?
Ich habe jetzt nochmal die Schaltung mit Dioden D8 + D9 + D10 ergänzt
und simuliert. Die Spannung bleibt unter -1V - Kann ich das so lassen?
Guest schrieb:> Nimm ein Mosfet die meisten Logik Level FETs halten +-20V am Gate aus.> Ich versteh eh diesen Transistor Wahn nicht, gerade bei> Logikschaltungen.
Was meinst du, wofür das "T" in "MOSFET" steht.
"Transistor" ist der OBERBEGRIFF für MOSFET und BJT.
my2ct schrieb:> "Transistor" ist der OBERBEGRIFF für MOSFET und BJT.
Nein!
Den Begriff gab es, als es den MOS noch nicht gab.
Es ist eine grundsätzlich andere Technologie.
Nur weil die Funktion ähnlich ist und auch die Gehäuse ähnlich sind, ist
der Oberbegriff unzulässig.
Thread beobachten
Seitenaufteilung abschalten