Hallo, ich möchte gerne den NMOS BUK9Y12-55B in 100ns schalten. Das packt mein attiny leider nicht, also brauche ich einen Gate-Treiber. Mein Problem ist, dass es sich um eine batteriegetriebene Schaltung handelt, die man nicht via Schalter einfach ausschalten kann. Das Ausschalten wird via tiny geregelt. Jetzt gibt es anscheinend "aktive" und "passive" Gate-Treiber. Die aktiven sollen wohl "buffered" sein (ich habe leider nicht verstanden, wo da der Vorteil ist), aber die brauchen leider alle 20-200uA im Standby. Allerdings möchte ich gerne möglichst keinen Standby-Strom verbrauchen. Dann gibt es noch die passiven, wo wohl einfach zwei Transistoren verbaut sind z.B. ZXG3009, aber der ist verdächtig billig. Kann mir jemand Rat geben?
Versorgungsspannung mit einem low-level P-FET schalten.
Geht nicht, da der Gate-Treiber mit 10V versorgt wird.
Jan schrieb: > Geht nicht, da der Gate-Treiber mit 10V versorgt wird. natürlich geht das, PNP mit Emitterwiderstand beim Atmel, Kollektor mit Gatewiderstand am P-Fet. fertig.
Jan schrieb: > ich möchte gerne den NMOS BUK9Y12-55B in 100ns schalten. Das packt mein > attiny leider nicht, Hmmm... Woher kommt die Anforderung? Wenn das Signal von einem ATtiny kommt, wird das ja kein Multi-MHz-Signal sein. Du kommst da langsam in Regionen, wo der Energieaufwand für's Gate-Umladen höher wird als die Verlustleistungs-Ersparnis im FET durch das schnellere Schalten. d.H. du verschiebst evtl. nur Verlustleistung vom FET zur Ansteuerschaltung, ohne dabei in Summe groß was zu Gewinnen. Dein BUK9Y12-55B sollte sich von seinen Daten her eigentlich ganz gut vom AVR direkt ansteuern lassen, aber eben nicht mit XX MHz, sondern eher <=100 kHz.
Was ist das für eine Batterie, wo kommen die 10V her?
Was verstehst du unter ausgeschaltet ? Ich würde darunter einen offenen hochohmigen Ausgang zum Gate verstehen, damit es von einer anderen Quelle gesteuert werden kann. Du vetstehst darunter wohl das Gate auf Masse (also genau wie bri low am Eingang) nur geringere Stromaufnahme. Warum nimmst du überhaupt 'aktive' Gate-Treiber, also solche mit erheblicher Ruhestromaufnahme (die das meist wegen Eingangspullup oder Referenzspannung wegen UVLO oder Ladungspumpe wenn es high side driver sind brauchen) ? Du hast einen LogicLevel MOSFET, der verträgt max. 10V am Gate, da braucht man keinen Pegelwandler. Ein einfacher Gate-Treiber (auch 2 Einzeltransistoren) tut es, der macht aus den 0V/5V des AVR immerhin 0.7V/4.3V, das reicht zum ein- und ausschalten. Treiber-Strom bei low: 0. Er hat nur kein UVLO, also Ansteuerung mit high verhindern wenn Betriebsspannung zu niedrig. Da wird hoffentlich dein AVR ausschalten. So toll finde ich deinen ausgesuchten MOSFET übrigens nicht, 'ausgeschaltet' wird nur unter 1mA garantiert, Gate-Ladung und RDSon eher hoch, Gate-Maximalspannung eher niedrig, wie kommt man auf so ein Teil ? Gabs das geschenkt ?
MaWin schrieb: > Warum nimmst du überhaupt 'aktive' Gate-Treiber, also solche mit > erheblicher Ruhestromaufnahme (die das meist wegen Eingangspullup oder > Referenzspannung wegen UVLO oder Ladungspumpe wenn es high side driver > sind brauchen) ? Noch nehme ich ja gar nichts. Ich bin in der Phase der Entscheidungsfindung. Die aktiven Teile scheinen schneller schalten zu können als die passiven. Ist das der einzige Vorteil? > Du hast einen LogicLevel MOSFET, der verträgt max. 10V am Gate, da > braucht man keinen Pegelwandler. > Ein einfacher Gate-Treiber (auch 2 Einzeltransistoren) tut es, der macht > aus den 0V/5V des AVR immerhin 0.7V/4.3V, das reicht zum ein- und > ausschalten. Treiber-Strom bei low: 0. Du meinst ZXG3009? > So toll finde ich deinen ausgesuchten MOSFET übrigens nicht, > 'ausgeschaltet' wird nur unter 1mA garantiert, Gate-Ladung und RDSon > eher hoch, Gate-Maximalspannung eher niedrig, wie kommt man auf so ein > Teil ? Gabs das geschenkt ? Ich habe bestimmt schon 1001 FETs verglichen und es hat sich herauskristallisiert, dass RDSon mit Qg*Vgs'on' korreliert. Wenn du also einen FET hast, der weniger RDSon hat, weniger Qg und gleichzeitig sein Miller-Plateau auf dem gleichen Niveau hat, nehme ich den gerne und dankend an.
Nachtrag, genauer: Je tiefer das Miller-Plateau, desto höher Qg. UND AUCH: Je höher Qg, desto tiefer Rdson. Wenn man gleichzeitig ein sehr niedriges Vplateau und ein sehr niedriges RDSon haben will, wird Qg zwangsläuftig sehr hoch sein. Technologische Quantensprünge sind hiervon natürlich ausgenommen. Aber ich lasse mich hier gerne belehren.
>> Was ist das für eine Batterie, wo kommen die 10V her? Danke für die Antwort... > Aber ich lasse mich hier gerne belehren. Das glaube ich nicht, Jan!
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