Hallo zusammen, ich habe mich in letzter Zeit ein wenig über den Bipolartransistor informiert (bin aber immer noch ein absoluter Laie auf dem Gebiet, also seht mir meine eventuell naiven Fragen bitte nach). Da derzeit aus gegebenem Anlass alle Bibliotheken geschlossen haben und ich dementsprechend keinen wirklichen Zugriff auf Fachliteratur zu dem Thema habe, wende ich mich mit ein paar Dingen, die ich noch nicht so ganz verstanden habe, an Euch. Ich lese immer wieder, dass im Sättigungsbetrieb sowohl die Emitter-Basis-Diode als auch die Basis-Kollektor-Diode in Durchlassrichtung geschaltet sind. Jetzt meine Fragen dazu: 1. Werden tatsächlich beide Dioden in Durchlassrichtung geschaltet, oder bin ich da auf ein paar ganz unseriösen Seiten unterwegs gewesen? Und wieso kann nicht wie im (nicht-inversen) Verstärkungsbetrieb die Basis-Kollektor-Diode in Sperrrichtung geschaltet sein? 2. Wenn 1. mit "Ja" beantwortet werden konnte: Auf welchen elektrischen Potentialen liegen der Basis-/Emitter-/Kollektor-Kontakt, d.h. welcher dieser Kontakte liegt in Relation zu den anderen Kontakten auf dem höchstem, welcher auf dem niedrigsten Potential? Oder, um es für jemanden wie mich noch einfacher auszudrücken: Wie müsste ich eine 6v-Batterie, eine 12V-Batterie und einen Bipolartransistor miteinender verdrahten, damit dieser im Sättigungsbetrieb betrieben werden kann? Ich freue mich über jede Antwort! Grüße an Euch alle!
Luca B. schrieb: > Ich lese immer wieder, dass im Sättigungsbetrieb sowohl die > Emitter-Basis-Diode als auch die Basis-Kollektor-Diode in > Durchlassrichtung geschaltet sind. Wo hast du soetwas gelesen? Die BC-Diode liegt bei der Emitterschaltung in Sperrrichtung.
> Ich lese immer wieder, dass im Sättigungsbetrieb sowohl die
Emitter-Basis-Diode als auch die Basis-Kollektor-Diode in
Durchlassrichtung geschaltet sind.
Das stimmt.
Luca B. schrieb: > Ich lese immer wieder, dass im Sättigungsbetrieb sowohl die > Emitter-Basis-Diode als auch die Basis-Kollektor-Diode in > Durchlassrichtung geschaltet sind. Diese Zeichnung mit den zwei Dioden ist ein vereifachtes Modell, was nicht für alle Anwendungen gültig ist. Vereinfacht gesagt bildet sich im Sättigungsbetrieb eine Art Kanal zwischen Emitter und Kollektor, dessen Durchlassspannung deutlich niedriger als die BasisEmitterSpannung des Transistors sein kann.
Harald W. schrieb: > Diese Zeichnung mit den zwei Dioden ist ein vereinfachtes Modell, Hi, das machte man deswegen, um die Parameter verschiedener Transistortypen - welcher für welchen Anwendungszweck - besser irgendwie festnageln zu können. Bilder sagen mehr als Worte. Auf molekularer Ebene betrachtet wird das vielleicht verständlicher: https://www.youtube.com/watch?v=EYTKQ3dkQ0w Und - als ob es nicht schon genug wäre - zwischen "Sättigung" und "Übersteuerung" wird bei Transistoren gelegentlich noch unterschieden. https://www.elektronik-kompendium.de/sites/bau/1506161.htm ciao gustav
Georg M. schrieb: > Sättigungsbeispiel. Es sind auch noch deutlich kleinere Sättigungsspannungen möglich.
Ich beziehe mich mal auf das Bild, das Georg M. gepostet hat. Im normalen Verstärkungsbetrieb fließt über den Basiswiderstand ein Steuerstrom von der Basis in den Emitter. Durch den Kollektorwiderstand fließt ein um die Stromverstärkung höherer Strom und solange der Spannungsabfall an diesem Widerstand kleiner als die Betriebsspannung ist, bleibt die Spannungsdifferenz über der Kollektor-Emitter-Strecke stehen. (Eine schöne Darstellung ist unter https://de.wikipedia.org/wiki/Bipolartransistor zu sehen.) Je höher die Stromverstärkung oder der eingespeiste Basisstrom ist, desto kleiner wird die Kollektor-Emitter-Spannung, bis sie im Extremfall auf etwa 0,2 V gesunken ist. Dann ist der Transistor in der Sättigung. Nun hängt die Stromverstärkung auch von der Kollektor-Emitter-Spannung ab und wird sehr klein, wenn der Sättigungszustand erreicht wird. Dann verhält sich der Transistor wie 2 Dioden. Das kann man übrigens geschickt ausnutzen. Wenn man höhere Eingangssignale auf CMOS-Eingänge geben will, besteht die Gefahr eines "Latch-Up"s. Viele CMOS-Bausteine nehmen es übel, wenn Eingangspegel den Bereich ihrer Versorgungsspannung überschreiten. Gibt man das Eingangssignal über einen Widerstand auf einen als Emitterfolger geschalteten Transistor, dessen Kollektor mit der positiven Versorgungsspannung des CMOS-Bausteins verbunden ist. Dann ist zwar im normalen Betrieb die Spannung am CMOS-Eingang um die Basis-Emitter-Diodenspannung von 0,5 bis 0,7 V geringer, aber höhere Eingangsspannungen werden über die Basis-Kollektordiodenstrecke zur Versorgungsspannung abgeleitet und die Spannung am CMOS-Eingang übersteigt nicht die Höhe der Versorgungsspannung. Bei der sonst üblichen Schutzbeschaltung mit Schottky-Dioden übersteigt die Spannung am CMOS-Eingang die Versorgungsspannung um die Durchlassspannung von 0,2 bis 0,3 V der Schottkydiode.
Beitrag #6241010 wurde vom Autor gelöscht.
Wolfgang schrieb: > Wo hast du soetwas gelesen? Die BC-Diode liegt bei der Emitterschaltung > in Sperrrichtung. Unter anderem in der kleinen Tabelle unten auf Seite 2 dieser PDF-Datei: http://www.imn.htwk-leipzig.de/~lueders/informatik/lehrinhalte/b17_bipolartransistoren.pdf
Harald W. schrieb: > Diese Zeichnung mit den zwei Dioden ist ein vereifachtes Modell, > was nicht für alle Anwendungen gültig ist. Vereinfacht gesagt > bildet sich im Sättigungsbetrieb eine Art Kanal zwischen Emitter > und Kollektor, dessen Durchlassspannung deutlich niedriger als > die BasisEmitterSpannung des Transistors sein kann. Erstmal danke für die schnelle Antwort :) Diese führt mich aber wieder zu meiner Frage zurück: Entsteht dieser Kanal, weil sowohl die Emitter-Basis-Sperrschicht als auch die Basis-Kollektor-Sperrschicht abgebaut werden? Oder wird nur die Emitter-Basis-Sperrschciht abgebaut?
Karl B. schrieb: > Bilder sagen mehr als Worte. Auf molekularer Ebene betrachtet wird das > vielleicht verständlicher: > https://www.youtube.com/watch?v=EYTKQ3dkQ0w Danke für die Antwort, leider kenne ich dieses Video schon. Mein Problem liegt weniger dabei, zu verstehen, wie ein Bipolartransistor auf Molekularebene funktioniert, darüber habe ich schon recherchiert. Aber das Video hilft vielleicht, meine Frage ein wenig zu illustrieren: Befindet sich der Transistor im Video im Sättigungszustand? Nach allem, was ich herausgefunden habe: Nein, den die Basis-Kollektor-Sperrschicht wurde nicht wie die Emitter-Basis-Sperrschicht aufgelöst, was meines Wissens nach eher für den Verstärkungsbetrieb spricht. Es müssen im Sättigungsbetrieb/Übersteuerungsbetrieb doch beide Sperrschichten aufgelöst sein oder? Und das geht ja nur, wenn Emitter und Kollektor ein niedrigeres Potential haben als die Basis?
Na,jetzt hast Du es fast schon selber erahnt/rausgefunden: potential an c und e "niedrig". Denk Dir bei stark übersteuertem Transistor c und e einfach mal direkt verbunden...in der Tat lassen sich bei niederohmiger Ansteuerung, und da eben "ordentlich übersteuert" die Restspannung zwischen c und e bei Leistungstransistoren unter 0,1 Volt drücken. Auch noch deutlich darunter. Ist also der Lastkreis selbst, also der Kollektorstrom, nicht allzu groß, dann liegen c und e "praktisch" auf selbem Potential. Es leiten dann (von der Basis aus gesehen) beide Dioden. Der Strom durch die "Diode Basis-Collector" nimmt dann den Umweg Richtung"Masse" noch über die durchgesteuerte Strecke CE.
Nichtverzweifelter schrieb: > Na,jetzt hast Du es fast schon selber erahnt/rausgefunden: potential an > c und e "niedrig". Denk Dir bei stark übersteuertem Transistor c und e > einfach mal direkt verbunden...in der Tat lassen sich bei niederohmiger > Ansteuerung, und da eben "ordentlich übersteuert" die Restspannung > zwischen c und e bei Leistungstransistoren unter 0,1 Volt drücken. Auch > noch deutlich darunter. Ist also der Lastkreis selbst, also der > Kollektorstrom, nicht allzu groß, dann liegen c und e "praktisch" auf > selbem Potential. Es leiten dann (von der Basis aus gesehen) beide > Dioden. Der Strom durch die "Diode Basis-Collector" nimmt dann den Umweg > Richtung"Masse" noch über die durchgesteuerte Strecke CE. Also ist es dann tatsächlich so, dass das Basispotential am höchsten ist, gefolgt vom niedrigeren Kollektorpotential (welches um die Bais-Kollektor-Sperrschicht zu überwinden ja mind. 0,7V kleiner als das Basispotential sein sollte), gefolgt vom noch niedrigeren Emitterpotential?
Günni schrieb: > Je höher die > Stromverstärkung oder der eingespeiste Basisstrom ist, desto kleiner > wird die Kollektor-Emitter-Spannung, bis sie im Extremfall auf etwa 0,2 > V gesunken ist. Dann ist der Transistor in der Sättigung. Nun hängt die > Stromverstärkung auch von der Kollektor-Emitter-Spannung ab und wird > sehr klein, wenn der Sättigungszustand erreicht wird. Dann verhält sich > der Transistor wie 2 Dioden. Kann ich also einen Transistor vom Verstärkungszustand in den Sättigungszustand übergehen lassen, ohne irgenwelche Polaritäten an seinen Anschlüssen zu tauschen? Ich dachte, zum Sättigungszustand gehört auch dazu, dass das Basispotential größer ist als das Kollektorpotential (im Verstärkungszustand ist das ja grade ander herum)?
Der Übergang ist fließend. Wenn man gegebenem Widerstand an der Kollektorseite den Basisstrom erhöht sinkt die Kollektorspannung irgendwann hat man den Punkt wo Kollektor und Basispotential gleich groß sind. Für die Kurve ist das aber kein irgendwie singulärer Punkts es geht auch weiter zu noch etwas niedrigeren Spannungen. Ganz bis auf 0 geht die Kollektor - Emitter Spannung nicht. Da bleicht ein kleiner Rest von einigen 10-50 mV. Der Bereich mit Kollektorspannung deutlich unter der Basisspanung ist nicht so ungewöhnlich und wird in Schaltanwendungen regelmäßig genutzt.
Ja, soweit alles richtig. Mit stärker werdender Basisansteuerung ist der Transistor irgendwann voll durchgesteuert. Von aussen angelegte "Polaritäten" werden dazu nicht gewechselt. Aber: (obiges Schaltbild= Emitterschaltung, Emitter auf niedrigstem Potential, nämlich Null) Wenn der Laststromkreis=Ausgangsstromkreis=C-E-Strecke mit hohem Strom beaufschlagt ist, dann bleibt über dieser Strecke ein größerer Spannungsfall "stehen", dann...hat der Collector eben doch noch genug Spannung gegen Emitter, somit wird die B-C-Diode nicht leitend. Je stärker der Transistor eingangsseitig übersteuert wird(Basisstrom einfach zu hoch) um so länger braucht er übrigens auch, wieder zu sperren. "Schaltbetrieb", "Freiwerdezeit", "Ausräumzeit der Ladungsträger(in der Basiszone)", "Emittergrundschaltung", "transfer resistor=tran..sistor". (Suchbegriffe)
Luca B. schrieb: > [...] > (welches um die Basis-Kollektor-Sperrschicht zu überwinden > ja mind. 0,7V kleiner als das Basispotential sein sollte), > [...] Nein, vergiss das. Das übliche Prinzipschaltbild, in dem der Bipolartransistor durch zwei einzelne Dioden dargestellt wird, taugt nur, um Durchlass- und Sperrverhältnisse am NICHT ANGESTEUERTEN Transistor zu erklären. Man kann damit aber nicht direkt verstehen, warum der Transistor verstärkt, und wie er sich im Linearbetrieb verhält. In Wahrheit besteht der Bipolartransistor nämlich gar nicht aus ZWEI Dioden, sondern es sind nur EINEINHALB -- beim npn-Transistor ist nämlich die Anode der K-B-Diode IDENTISCH mit der Anode der B-E-Diode. Das ist genau dasselbe winzige Stückchen Silizium! (Deswegen bekommt man auch keinen funktionierenden Transistor, wenn man zwei Dioden zusammen- schaltet...) Wenn man jetzt Strom durch die Basis-Emitter-Diode schickt, führt das zu bestimmten Veränderungen in der Basiszone. Da es ja aber nur EIN Basisgebiet gibt, das auch die Anode der Kollektor-Basis-Diode bildet, ändern sich auch die Verhältnisse an der Kollektor-Basis-Sperrschicht, und sie wird in gewissem Maße leitend. Das ist viel weniger verwunderlich, als es klingt, denn auch bei einer Photodiode kann man ja einen nennenswerte Leit- fähigkeit erzielen, selbst wenn sie in Sperrrichtung gepolt ist: Man setzt sie dem Licht aus, und dieses Licht führt zur Ladungsträgergeneration in der Sperrschicht und damit zu einer gewissen Leitfähigkeit. Der konkrete Mechanismus ist beim Transistor anders, das Resultat aber ähnlich -- nämlich die steuerbare Leitfähigkeit einer Sperrschicht. Den Dotierungsverhältnissen nach ist die Basis-Kollektor- Sperrschicht m.E. immer in Sperrrichtung gepolt; allerdings verliert sie ihre Sperrfähigkeit weitgehend, wenn der Transistor mit einem Basisstrom angesteuert wird. Netterweise ist dieser Effekt reversibel...
Luca B. schrieb: > Kann ich also einen Transistor vom Verstärkungszustand in den > Sättigungszustand übergehen lassen, ohne irgenwelche Polaritäten an > seinen Anschlüssen zu tauschen? Dieser Satz ergibt IMHO keinen Sinn. Vermutlich meinst du die Spannung über der Basis-Kollektor-(Dioden)strecke. Im Linearbetrieb ist U_ce > 0.7V. Da die Basis praktisch immer eine Flußspannung positiver als der Emitter ist, ist dann die BC-Diode immer gesperrt. Wenn man den Transistor immer weiter aufsteuert (mehr Basisstrom), dann sinkt die Kollektor-Emitter-Spannung immer weiter. Auf jeden Fall unter 0.7V. Auch unter die genannten 0.2V. Spezielle low-sat Transistoren schaffen da wenige 10mV. Und da es zwischen Basis und Kollektor einen pn-Übergang gibt, kann dann langsam aber sicher Strom darüber fließen. Also Strom, der in die Basis fließt und eigentlich den Transistor (weiter) durchsteuern sollte, fließt nicht über die BE-Strecke, sondern nimmt den Seitenweg über die BC-Strecke und dann letztlich auch zum Emitter. Dieser Anteil des Stroms fehlt dann zum Durchsteuern des Transistors - die effektive Stromverstärkung sinkt. Aber die BC-Strecke verhält sich wie jeder andere pn-Übergang. Da geschieht nichts schlagartig, sondern der Übergang von sperrend zu leitend passiert schleichend. Deswegen ist es unsinnig, eine harte Grenze zwischen Linear- und Sättigungsbetrieb bei U_ce=0.7V (oder analog U_cb=0V) zu setzen. Es gibt keine harte Grenze. Datenblattwerte sind oft für eine Bedingung Ic/Ib = 10 (manchmal auch 20) gegeben. Das bedeutet, daß sie die Grenze des Sättigungszustands da ansetzen, wo die effektive Stromverstärkung auf 10 (20) abgefallen ist. Aber wie gesagt: das ist willkürlich. Auf jeden Fall kann man über das Dotierungsprofil des Halbleiters die dann vorliegende Sättigungsspannung U_ce beeinflussen. Etwa in Richtung möglichst kleiner Spannungen für low-sat Schalttransistoren.
Luca B. schrieb: > Kann ich also einen Transistor vom Verstärkungszustand in den > Sättigungszustand übergehen lassen, Es gibt keinen Verstärkungszustand und auch keinen Sättigungszustand. Es ist alles viel komplizierter und läßt sich gar nicht mit zwei Dioden erklären. Nimm den Transistor so wie er ist. Ansonsten mußt du den PN-Übergang studieren. Und danach am Transistor umsetzen. Das läßt sich nicht hier verbal in wenigen Sätzen erklären.
Drei Zitate: "Wenn man jetzt Strom durch die Basis-Emitter-Diode schickt, führt das zu bestimmten Veränderungen in der Basiszone. .......... ändern sich auch die Verhältnisse an der Kollektor-Basis-Sperrschicht, und sie wird in gewissem Maße leitend." "Wenn man den Transistor immer weiter aufsteuert (mehr Basisstrom)" "Also Strom, der in die Basis fließt und eigentlich den Transistor (weiter) durchsteuern sollte,..........." Luca B....ich weiß nicht, ob Dir meine Antwort hilft, aber ich weiß, dass einige Leser (hoffentlich nicht alle) jetzt empört reagieren werden, denn ich zerstöre ihr Weltbild. Luca...reichen Dir die bisgerigen "Erklärungen" wirklich aus? Es ist immer vom "Durchsteuern" und "Aufsteuern" die Rede...und vom Basisstrom, der dafür verantwirtlich wäre - allerdings ohne Erklärungen! Kannst Du Dir wirklich vorstellen, dass der Kollektorstrom von einem - sagen wir mal ruhig - 500 mal kleineren Basistrom gesteuert werdenn kann? Dafür gibt es nicht eine einzige Erkläung - nur eben die Behauptung, dass es so sei - als Fehlinterpretation der Beziehung Ib=Ic/B. In Wirklichkeit wird der Koll.strom natürlich von der Basis-Emitter-Spannung bestimmt/gesteuert: Exponentielle Shockley-Gleichung Ic=f(Vbe) Dafür gibt es etliche Erklärungen/Nachweise. Es ist eine Schande, dass in vielen (deutschen) Lehrbüchern immer noch die falsche Erklärung steht. Einer der bekanntesten Elektronik-Entwickler (Gilbert-Zelle) - Barrie Gilbert (leider kürzlich verstorben)- spricht beim Basistrom von einer Art "Dreckeffekt" oder auch "nuisance". Das Groteske ist, dass auch die Anhänger der "Stromsteuerungstheorie" beim Schaltungsentwurf die Aspekte der Spannngssteuerung ansetzen (ohne es zu wissen?). Ich erinnere nur an die Spannungs-Gegenkopplung durch den Emitterwiederstand und den relativ niederohmig gewählten Spannungsteiler (warum wohl?). Bin für Anfragen zum Thema offen und antworte gerne (Nachweise zur Spannungssteuerung).
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Lutz V. schrieb: > In Wirklichkeit wird der Koll.strom natürlich von der > Basis-Emitter-Spannung bestimmt/gesteuert Das ist physikalisch-theoretisch völlig richtig, aber praktisch schwer zu gebrauchen.
Georg M. schrieb: > Lutz V. schrieb: >> In Wirklichkeit wird der Koll.strom natürlich von der >> Basis-Emitter-Spannung bestimmt/gesteuert > > Das ist physikalisch-theoretisch völlig richtig, aber praktisch schwer > zu gebrauchen. Sorry, dass ich widerspreche - kanst Du das bitte erläutern bzw. begründen? Bei vielen überschlägigen Berechnungen kannst Du die Größe des Basistroms sogar vernachlässigen (sie Punkt 1) 1.) Warum dimensionierst Du den Basis-Spannungsteiler so, dass z.B. der Basisstrom (der natürlich fließen muss)etwa 10 mal kleiner ist als der Teilerstrom? 2.) Warum ist der BJT so stark temoeraturabhängig? Es ist die Temperaturkonstante TK=-2mV/K die sagt, dass die Basis-SPANNUNG um 2mV/K reduziert werden muss, um Ic konstant zu halten. 3.) Warum stabilisierst Du diesen Effekt durch einen Emitterwiderstand? Weil der das Emitterpotential anhebt bei Ic-Erhöhung (und der Spannungsteiler das Basispotential nahezu "eingeprägt" hat). Das ist saubere SPANNUNGS-Gegenkoplung. 4.) Was ist mit der Verstärkungsformel - kommt da nicht als wichtigster Transistorparameter die Steilheit gm=d(Ic)/d(Vbe) vor? Das ist die Steigung der exponentiellen teuerkennlinie Ic=f(Vbe). 5.) Versuche mal, die Funktionsweise des Stromspiegels zu erklären oder der PTAT-Referenz. 6.) Auch der EARLY-Effekt kann nur über die Feldstärke (also die Spannung) erklärt werden... 7.) Komischerweise wird niemand stutzig beim OPV mit BJT-Eingang - jeder nimmt dabei automatisch Spannungssteuerung an... Fazit: Die Logik bleibt bei den "Stromsteuer-Anhängern" wohl auf der Strecke...
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Mein letzter Satz klingt vielleicht etwas polemisch - das liegt aber auch daran, dass ich einfach nicht verstehe, wie man sich mit einer schlichten Behauptung (ohne Beweis) zufrieden geben kann - und dann eben diese Unlogik: Jede Erklärung des Transistorprinzips startet mit der von der pn-Diode bekannten "Durchlass-Spannung" von ungefähr Ube=0.65 Volt, wodurch beim npn-Transistor der Emitter Elektronen freisetzt, die in Richtung Basis wandern (Emitterstrom). Und jeder weiß auch, dass bei 0,6 Volt weniger und bei 0,7 Volt mehr Elektronen freigegeben werden. Und es geht auch richtig weiter: Die meisten diffundieren duch die Basiszone und bilden den Koll.Strom und einige wenige "schaffen" das nicht, werden vom Basispotential angezogen und bilden den Basisstsrom Ib=Ic/B. So - und von nun ab soll plötzlich dieser Basistrom die den Koll-Strom steuernde Größe sein und nicht mehr die Basis-Emitter-Spannung? Ist das logisch?
Lutz V. schrieb: > aber ich weiß, dass einige Leser (hoffentlich nicht > alle) jetzt empört reagieren werden, Nicht empört, sondern nur genervt. > Kannst Du Dir wirklich vorstellen, dass der Kollektorstrom > von einem - sagen wir mal ruhig - 500 mal kleineren > Basistrom gesteuert werdenn kann? > > Dafür gibt es nicht eine einzige Erkläung Natürlich gibt es dafür keine Erklärung -- denn das war ja überhaupt nicht das Thema! Das Thema der Frage -- und somit auch meiner Antwort -- war die angebliche Umpolung der Kollektor-Basis-Diode. Diese findet m.E. nicht statt, und das habe ich auch geschrieben. > In Wirklichkeit wird der Koll.strom natürlich von der > Basis-Emitter-Spannung bestimmt/gesteuert: Exponentielle > Shockley-Gleichung Ic=f(Vbe) Dieses Forum steht -- einen gewissen Willkürfakor außen vor gelassen -- allen offen; Sie sind eingeladen, eine entsprechende Ausarbeitung zu präsentieren. Allerdings ist es unklug, eine ausgesprochene Anfängerfrage als Aufhänger für die Diskussion um eine spezielle akademische Streitfrage zu verwenden, das verdient schon einen eigenen Faden. Und wie immer gilt: Feuerfeste Unterwäsche und ausgesprochene Nehmerqualitäten sind stark von Vorteil; wir sind hier nicht im Hörsaal...
Lutz V. schrieb: > Jede Erklärung des Transistorprinzips Das Thema ist grundsätzlich interessant, aber ich würde DRINGEND darum bitten, dafür nicht diesen Thread zu kapern, sondern einen eigenen aufzumachen. Danke.
Egon D. schrieb: > Das Thema ist grundsätzlich interessant, aber ich würde > DRINGEND darum bitten, dafür nicht diesen Thread zu > kapern, sondern einen eigenen aufzumachen. > > Danke. Sorry - ich dachte, wenn in mehreren Antworten schlichtweg etwas falsches steht, dann wäre es auch im Sinne des Fragestellers, dieses zu korrigieren. Es ist schon überraschend, dass einige nicht den direkten Zusammenhang mit der Fragestellung sehen - man lese sich nur mal den folgenden Erklärungsversuch durch: "Und da es zwischen Basis und Kollektor einen pn-Übergang gibt, kann dann langsam aber sicher Strom darüber fließen. Also Strom, der in die Basis fließt und eigentlich den Transistor (weiter) durchsteuern sollte, fließt nicht über die BE-Strecke, sondern nimmt den Seitenweg über die BC-Strecke und dann letztlich auch zum Emitter. Dieser Anteil des Stroms fehlt dann zum Durchsteuern des Transistors - die effektive Stromverstärkung sinkt." Das stimmt nun alles nicht, da es eben nicht der Basistrom ist, der "durchsteuert".
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