Hi Leute, ich soll hier eine Common-Gate Schaltung aufbauen warum wäre es nicht möglich hier t4 an Drain und t5 an Source an zu schließen? MFG Jonas
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MOSFETs sind nicht symmetrisch gebaut. Und das hier verwendete Schaltzeichen gibts nicht.
Ja das zeichen ist falsch ist ja auch egal soll eben ein N-Mosfet sein aber warum kann ich jetzt t4 bzw t5 nicht vertauschen?
Jonas schrieb: > warum kann ich jetzt t4 bzw t5 nicht vertauschen? Zunächst mal hast du dann die Body Diode in Flussrichtung drin, das wird dem Zweck der Schaltung nicht unbedingt dienlich sein.
was schrieb: > Zunächst mal hast du dann die Body Diode in Flussrichtung drin, Nein, er will Ein- und Ausgang vertauschen. Das ist bei einem Verstärker recht sinnfrei.
Jonas schrieb: > warum kann ich jetzt t4 bzw t5 nicht vertauschen? Schon alleine wegen der Bodydiode, die dann ständig in Durchlassrichtung geschaltet wäre.
hinz schrieb: > er will Ein- und Ausgang vertauschen. Das ist bei einem Verstärker > recht sinnfrei. Ich glaube eher, er will Drain und Source vertauschen?
Elektrofurz schrieb: > hinz schrieb: >> er will Ein- und Ausgang vertauschen. Das ist bei einem Verstärker >> recht sinnfrei. > > Ich glaube eher, er will Drain und Source vertauschen? Sieht nicht so aus. Lies nochmal.
hinz schrieb: > MOSFETs sind nicht symmetrisch gebaut. > Hat ja auch niemand behauptet. In der Tat gibt es m.W. aber tatsächlich keine symmetrischen Leistungs-MOSFETs, zu kaufen. Bei den Kleinleistungs-Typen gibt es schon symmetrische (mit separat herausgeführtem Substrat-Anschluss), und wenn man mit ihren Eigenschaften experimentieren will, kauft man sich am einfachsten den CD4007. http://cva.stanford.edu/classes/cs99s/datasheets/CD4007C.pdf hinz schrieb: > Und das hier verwendete Schaltzeichen gibts nicht. Aber fast: https://en.wikipedia.org/wiki/MOSFET#Circuit_symbols
Jonas schrieb: > Ja das zeichen ist falsch ist ja auch egal soll eben ein N-Mosfet > sein aber warum kann ich jetzt t4 bzw t5 nicht vertauschen? Weil es dann nicht funktioniert, weil Source negativer als Drain sein muß. Baue es auf und beobachte, was passiert. Mfg
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Er will den FET "invers" betreiben, das soll tatsächlich möglich sein, hier eine Fundstelle aus einem Lehrbuch von 2010. Bipolare Transistoren haben im Inversbetrieb wenn überhaupt eine miserable Stromverstärkung.
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Christian S. schrieb: > Weil es dann nicht funktioniert, weil Source negativer als Drain sein > muß. Das ist keine Begründung. Je nach Dimensionierung des Basisspannungsteiler und der S- und D- Widerstände kann das sehr wohl funktionieren. Der negativste Anschluss verhält sich dann automatisch als Source. Ob eine solche Schaltung sinnvoll ist, steht auf einem anderen Blatt. Gelegentlich gibt es aber tatsächlich Anwendungen, in denen solche scheinbar verqueren Betriebsmodi sinnvoll sind.
Christoph db1uq K. schrieb: > Er will den FET "invers" betreiben Mit JFET ist das möglich zu vertauschen. Mit Mosfets geht das nicht. Das kommt daher, weil Viele schlampigerweise (to lazy for all 5 letters) oft FET, statt MOSFET schreiben.
Christoph db1uq K. schrieb: > Er will den FET "invers" betreiben, das soll tatsächlich möglich sein, > hier eine Fundstelle aus einem Lehrbuch von 2010. Das wichtigste steht im letzten Satz: es geht um JFET. Der TO sprach explizit von MOSFET. Äpfel =/= Birnen!
Hp M. schrieb: > Der negativste Anschluss verhält sich dann automatisch > als Source. ... und die G-Spannung muss dann entprechend passen (nämlich in Bezug auf S) > Ob eine solche Schaltung sinnvoll ist, steht auf einem anderen Blatt. Unterstreiche ich.
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hinz schrieb: > Lies nochmal An den Pfeilen, die der TO selber eingezeichnet hat, kann man es sogar erkennnen, dass er Drain und Source vertauschen wollte.
Elektrofurz schrieb: > hinz schrieb: >> Lies nochmal > > An den Pfeilen, die der TO selber eingezeichnet hat, kann man es sogar > erkennnen, dass er Drain und Source vertauschen wollte. Er hat aber was anderes geschrieben.
Christoph db1uq K. schrieb: > hier eine Fundstelle aus einem Lehrbuch von 2010. Dort geht es aber um JFEts und davon sind tatsächlich die Mehrzahl der Typen symmetrisch. Ganz einfach, weil dort das Gate auch das Substrat ist. Christoph db1uq K. schrieb: > Bipolare Transistoren haben im Inversbetrieb wenn überhaupt eine > miserable Stromverstärkung. Trotzdem können sie in dieser "verqueren" Betriebsart ein besseres HF-Verhalten haben, als in der regulären Beschaltung. Weil die Fläche des Emitters und damit die E-B-Kapazität kleiner ist als die des Kollektors. Die Stromverstärkung des Transistors in Emitterschaltung ist in der Basisschaltung sowieso von untergeordneter Bedeutung, weil sie in der Basisschaltung stets < 1 ist.
Elektrofurz schrieb: > hinz schrieb: >> Lies nochmal > > An den Pfeilen, die der TO selber eingezeichnet hat, kann man es sogar > erkennnen, dass er Drain und Source vertauschen wollte. Und wenn ich mir das nochmal ansehe: Nein, das gibt das Bild eben nicht her.
hinz schrieb: > Er hat aber was anderes geschrieben. Jonas schrieb: > t4 an Drain und t5 an Source an zu schließen? Er hat es sogar noch genau so geschrieben!
Elektrofurz schrieb: > hinz schrieb: >> Er hat aber was anderes geschrieben. > > Jonas schrieb: >> t4 an Drain und t5 an Source an zu schließen? > > Er hat es sogar noch genau so geschrieben! Eben dass er Ein- und Ausgang vertauschen will.
Betrieb mit vertauschtem D und S: https://link.springer.com/content/pdf/bbm%3A978-1-4419-7560-7%2F1.pdf
Hp M. schrieb: > Das ist keine Begründung. Je nach Dimensionierung des > Basisspannungsteiler und der S- und D- Widerstände kann das sehr wohl > funktionieren. Der negativste Anschluss verhält sich dann automatisch > als Source. 1. Das wurde schon begründet mit der Body-Diode, dass dies nicht geht. 2. Bei nichtverbundenen Body-Dioden (sowas gab es auch) ist zwar nur sehr schwacher Effekt im Bereich der Leckströme (nA) zu erkennen, befindet sich aber dann mit der Gatespannung schon kurz vor dem Durchschlagen des Gates.
Jonas schrieb: > Ja das zeichen ist falsch ist ja auch egal soll eben ein N-Mosfet sein > aber warum kann ich jetzt t4 bzw t5 nicht vertauschen? Wenn man am Drain das Signal einspeist, dann kommt da praktisch nichts an der Source heraus da Id und damit Is fast unabhängig von Uds ist. Für einen Verstärker mit Null-Verstärkung gibt es leider keine Annwendung und man bekäme auch keine Punkte. Das fehlende Bauteil in der Lösung dürfte der Abblockkondensator zwischen Versorgungsspannung und Masse sein.
hinz schrieb: > Eben dass er Ein- und Ausgang vertauschen will. Nochmal! Auch wenn es im übertragenem Sinne effektiv eine Basisschaltung ist, bleibt der Signal-Einspeisepunkt bei t4. Der Ausgang bleibt auch t5. Es werden lediglich nur die beiden Anschlüsse vertauscht und NEIN der TO will den Einspeisepunkt nicht nach t5 verlagern!
hinz schrieb: > Eben dass er Ein- und Ausgang vertauschen will. Was soll die Aufregung? Bei den CMOS-Analogschaltern ist das doch üblich. Manche davon kann man sogar als Verstärker benutzen.
Hp M. schrieb: > hinz schrieb: >> Eben dass er Ein- und Ausgang vertauschen will. > > Was soll die Aufregung? > Bei den CMOS-Analogschaltern ist das doch üblich. > Manche davon kann man sogar als Verstärker benutzen. Hier geht nicht um einen CMOS-Schalter sondern um die Basisischaltung mit einem NMOS-Transistor.
Elektrofurz schrieb: > hinz schrieb: >> Eben dass er Ein- und Ausgang vertauschen will. > > Nochmal! > Auch wenn es im übertragenem Sinne effektiv eine Basisschaltung ist, > bleibt der Signal-Einspeisepunkt bei t4. Der Ausgang bleibt auch t5. Es > werden lediglich nur die beiden Anschlüsse vertauscht und NEIN der TO > will den Einspeisepunkt nicht nach t5 verlagern! Eben, er will T4 und T5 vertauschen, nicht Drain und Source.
Helmut S. schrieb: > Hier geht nicht um einen CMOS-Schalter sondern um die Basisischaltung > mit einem NMOS-Transistor. Da muss ich etwas übersehen haben. Eine Basisschaltung mit einem MOSFET gibt es tatsächlich nicht.
Helmut S. schrieb: > Das fehlende Bauteil in der Lösung dürfte der Abblockkondensator > zwischen Versorgungsspannung und Masse sein. Bei einer Schulaufgabe? Kann ich mir nicht vorstellen, insbesondere da in der Aufgabebstellung nicht erwähnt. Den Abzug wirds wegen des fehlerhaften MOSFET-Symbols gegeben haben.
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hinz schrieb: > Eben, er will T4 und T5 vertauschen, nicht Drain und Source. Wenn das wirklich so wäre, dann hätte er ein anderes Bild hochgeladen und Vin und Vout vertauscht gezeichnet. Siehe grüne Pfeile!
Ist doch eh egal, er kennt jetzt alle möglichen Gründe dagegen, egal was er machen wollte.
hinz schrieb: > Ist doch eh egal, er kennt jetzt alle möglichen Gründe dagegen, > egal was er machen wollte. Genau ?
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Beitrag #6252877 wurde von einem Moderator gelöscht.
Danke nochmal für die Antworten leider bin ich jetzt maximal verwirrt und habe immer noch keine Ahnung haha. in der Lösung wurde ja t5 an Drain und t4 an Source angeschlossen. Meine Frage ist eben ob ich t5 an S anschließen und t4 an Drain anschließen kann wenn man später das AC Signal einkoppelt. Es Handel sich um einen N-Mosfet! Ich hätte ja mit meiner Vertauschung von t4 und t5 immer noch eine Common Gate Schaltung jedoch verändert sich mein KleinSignal ESB und die Aufgabe wäre mit vertauschten Klemmen komplett falsch :( .
Jonas schrieb: > in der Lösung wurde ja t5 an Drain und t4 an Source angeschlossen. Weil es dann eine sinnvolle Schaltung ist: ein Verstärker. > Meine > Frage ist eben ob ich t5 an S anschließen und t4 an Drain anschließen > kann wenn man später das AC Signal einkoppelt. Es Handel sich um einen > N-Mosfet! Ich hätte ja mit meiner Vertauschung von t4 und t5 immer noch > eine Common Gate Schaltung Aber eine sinnlose halt. > jedoch verändert sich mein KleinSignal ESB > und die Aufgabe wäre mit vertauschten Klemmen komplett falsch :( . Es gäbe sicherlich erheblichen Punktabzug.
hinz schrieb: > Aber eine sinnlose halt. Genau aber warum will ich wissen dann bin ich ja schon zufrieden haha
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Jonas schrieb: > hinz schrieb: >> Aber eine sinnlose halt. > > Genau aber warum will ich wissen dann bin ich ja schon zufrieden haha Weil kein nenneswertes Signal an Ausgang ankommt.
Beitrag #6253644 wurde von einem Moderator gelöscht.
> Meine Frage ist eben ob ich t5 an S anschließen und t4 an Drain anschließen kann
wenn man später das AC Signal einkoppelt. Es Handelt sich um einen N-Mosfet!
Eindeutiges nein.
Bei der Common-Gate-Schaltung wird das Signal an der Source eingespeist.
Das Potential an Drain muss bei NMOS immer höher sein als das Potential
an der Source um einen sinnvollen Verstärker zu bauen.
Da Source und Substrat miteinander verbunden sind, kann man die Source
auf keinen Fall an ein höheres Potential anschließen als das Potential
an Drain.
Vergiss alle Antworten die über JFet, Schalter und CMOS hier verbreitet
wurden. Die tragen überhaupt nichts zu deiner Aufgabe mit dem NMOS bei.
Jonas schrieb: > Genau aber warum will ich wissen dann bin ich ja schon zufrieden haha Die korrekte Schaltung erfüllt eine bestimmte Funktion. Z.B. eine Spannungsverstärkung und ggf. eine Potentialverschiebung (was bei deinem AC-gekoppelten Ausgang aber keine Rolle spielt). Die falsche Schaltung mit vertauschtem Anschluss von t4 und t5 erfüllt diese Funktion halt nicht. Reicht das nicht als Begründung?
Jonas schrieb: > hinz schrieb: >> Aber eine sinnlose halt. > > Genau aber warum will ich wissen dann bin ich ja schon zufrieden Du kannst Drain und Source des MOSFET nicht vertauschen, weil ein MOSFET nicht symmetrisch ist. Was ist daran unklar? Das Brotmesser schneidet ja auch nicht, wenn man es umdreht und versucht, mit dem Messerrücken zu schneiden. Source ist mit dem Substrat verbunden, Drain nicht. Die Steuerspannung eines MOSFET bezieht sich eigentlich auf das Substrat. Durch die Verbindung des Substrats mit Source dann aber eben auf Source. Wenn du Drain und Source vertauschst, bekommt der MOSFET seine Steuerspannung nicht mehr vom Eingang der Schaltung. Als zweiten Nebeneffekt dieser Verbindung gibt es die Bodydiode zwischen Drain und Source. Wenn du den MOSFET verkehrt herum einbaust, dann schließt die Diode die Drain-Source Strecke des MOSFET praktisch kurz.
Mein erstes Verständnis der Frage war tatsächlich falsch, er will Ein- und Ausgang vertauschen. Das kenne ich nur aus der Messtechnik, wenn ich am Netzwerkanalysator S12 (und S22) messe. S12 ist für einen Verstärker immer negativ, also eine Dämpfung. Die Summe von Vorwärts- und Rückwärtsverstärkung muss <0dB sein, sonst kann er schwingen. Aber die Dämpfung ist nicht unendlich groß, man kann in den Ausgang etwas einspeisen und am Eingang messen.
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Axel S. schrieb: > Du kannst Drain und Source des MOSFET nicht vertauschen, weil ein MOSFET > nicht symmetrisch ist. @Jonas: wie wäre es denn mal endlich zu klären, wie deine Frage gemeint war. Sollte in deiner Schaltung Drain und Source vertauscht werden (wie einige hier es verstehen). Oder wolltest du Drain und Source an der selben Stelle lassen (so dass der Arbeitspunkt des Transistors gleich bleibt) und wolltest du nur den Punkt der Signaleinspeisung und den Abgriff des Ausgangssignals tauschen (wie einige andere es verstehen). Ein kurzes Statement von dir könnte das endgültig klären und hätte den völlig unnützen Streit zu der Frage vermieden.
Christoph db1uq K. schrieb: > Mein erstes Verständnis der Frage war tatsächlich falsch, er will Ein- > und Ausgang vertauschen. > Das kenne ich nur aus der Messtechnik, wenn ich am Netzwerkanalysator > S12 (und S22) messe. > S12 ist für einen Verstärker immer negativ, also eine Dämpfung. Die > Summe von Vorwärts- und Rückwärtsverstärkung muss <0dB sein, sonst kann > er schwingen. > > Aber die Dämpfung ist nicht unendlich groß, man kann in den Ausgang > etwas einspeisen und am Eingang messen. Nicht schon wieder am Thema vorbei reden. Es geht hier nicht um Messtechnik sondern darum wie ein NMOS-Transistor in einer Common-Gate-Schaltung anzuschließen ist. Bitte die Aufgabe lesen.
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Achim S. schrieb: > Sollte in deiner Schaltung Drain und Source vertauscht werden? > > Oder wolltest du Drain und Source an der selben Stelle lassen (so dass > der Arbeitspunkt des Transistors gleich bleibt) und wolltest du nur den > Punkt der Signaleinspeisung und den Abgriff des Ausgangssignals tauschen? Das ist jetzt genau die richtige Frage, um endlich Klarheit zu schaffen. ?
Elektrofurz schrieb: >> Sollte in deiner Schaltung Drain und Source vertauscht werden? >> >> Oder wolltest du Drain und Source an der selben Stelle lassen (so dass >> der Arbeitspunkt des Transistors gleich bleibt) und wolltest du nur den >> Punkt der Signaleinspeisung und den Abgriff des Ausgangssignals tauschen? Ja genau das D und S sollen an Ort und stelle bleiben nur die Signaleinspeisung soll vertauscht werden
Jonas schrieb: > Ja genau das D und S sollen an Ort und stelle bleiben nur die > Signaleinspeisung soll vertauscht werden Danke für die Klärung (so einfach lassen sich manchmal unnütze Streitfälle aus der Welt schaffen ;-)
>warum wäre es nicht möglich hier t4 an Drain und t5 an Source an zu schließen?
t4 ist der Ausgang der Signalquelle und t5 der Eingang eines
Lastwiderstands RL, ersatzweise auch eine Folgestufe oder ein
Lautsprecher. Also will er die Rückwärtsverstärkung der Verstärkerstufe
wissen. Möglich ist die Vertauschung natürlich, nur eben sinnlos, da die
Verstärkung <1 ist.
Christoph db1uq K. schrieb: >>warum wäre es nicht möglich hier t4 an Drain und t5 an Source an > zu schließen? > > t4 ist der Ausgang der Signalquelle und t5 der Eingang eines > Lastwiderstands RL, ersatzweise auch eine Folgestufe oder ein > Lautsprecher. Also will er die Rückwärtsverstärkung der Verstärkerstufe > wissen. Möglich ist die Vertauschung natürlich, nur eben sinnlos, da die > Verstärkung <1 ist. Ist wie beim Auto: Benzin nicht in den Auspuff füllen! ;-)
Okay also merke ich mir einfach Quellen immer an Source anschließen und Ausgang an Drain anschließen fertig. Jetzt macht das Drain und Source als Bezeichnung auch sinn haha
Jonas schrieb: > Jetzt macht das Drain und Source > als Bezeichnung auch sinn Denk an Kollektor und Emitter.
Jonas schrieb: > Okay also merke ich mir einfach Quellen immer an Source anschließen und > Ausgang an Drain anschließen fertig In der Gateschaltung: ja. Ansosnten merk dir lieber: Quelle und Last immer so anschließen, dass die gewünschte Schaltungsfunktion erreicht wird.
hinz schrieb: > Eben, er will T4 und T5 vertauschen, nicht Drain und Source. OK. Dann hat der Herr Hinz mit seiner Vermutung also doch recht gehabt und ich entschuldige mich für die obige Diskussion. ?
Jonas schrieb: > Okay also merke ich mir einfach Quellen immer an Source anschließen Hmm, dann schaffst Du es aber nicht mehr zu merkenn, dass ein Eingangssignal an Gate anzuschließen auch ginge ("haha" Zitat von Dir). ;) ;o). Hatte auch gedacht, Du wolltest den Umdrehen, t2 bleibt ja dran. Die Dämpfung (Verstarkung kleiner 1) kann aus dem Diagramm I-Drain über U_Drain_Source (Kennlienfeld), siehe Link, abgelesen werden. https://de.wikipedia.org/wiki/Datei:MOSFET-Kennlinie.svg
Dieter (Gast) >Jonas schrieb: <> Okay also merke ich mir einfach Quellen immer an Source anschließen >Hmm, dann schaffst Du es aber nicht mehr zu merkenn, dass ein >Eingangssignal an Gate anzuschließen auch ginge ("haha" Zitat von Dir). ;) ;o). Eben. Eigentlich isses doch ganz einfach: bei einem Mosfet üblicher Bauart* möchte das Eingangssignal immer zw. Gate undd Source haben, weil die Spannungsdifferenz zw. G und S das macht, was D steuert. Dabei isses egal, ob S festliegt, und am G das Signal eingespiesen wird (Drain- bzw. Sourceschaltung), oder ob G festliegt, und am S eingespiesen wird (Gateschaltung). Dabei ist G immer Teil des Eingangskreises, und D immer Teil des Ausgangskreises. S ist für beides da. Daselbe gilt auch äquivalent für BJT mit B, C, E. * übliche Bauart meint einen Mosfet, bei dem S ond B(ulk) intern miteinander verbunden sind, und intern eine Bodydiode existiert. Es gab/gibt auch Mosfets, bei denen zumindest S ond B nicht verbunden sind, und B separate herausgeführt wurde (z.B. SMY50 und Konsorten für die DDR-Kundigen)
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Ja in der Common Gate gilt meine Merkregel natürlich nur... dann lern ich die Schaltungen auswendig mir ist allerdings immer noch nicht klar warum man das jetzt nicht vertauschen kann und warum dann die Verstärkung <1 ist. Also das wäre mal ganz cool wenn man das anhand von Gleichungen erklären könnte
>Verstärkung <1 ist. Also das wäre mal ganz cool wenn man das anhand von >Gleichungen erklären könnte Dann verstehst Du gar nix mehr ...
Verstehe ja sowieso nichts da wird auch nichts erklärt in der uni richtig traurig naja okay also was ich weiß ist das ich den verstärker mit den 4 widerst änden in den Arbeitspunkt fahre und dann schließe ich eben mein KleinSignal/AC signal an welches dann den Fet um den Arbeitspunkt aussteuert nur ist mir nicht klar warum man das jetzt nicht vertauschen kann es ist ja ein Ac Signal und somit egal wo ich mein Signal einspeise dachte ich ist aber einscheinend nicht so und ich weiß nicht warum.
Jonas schrieb: > Ja in der Common Gate gilt meine Merkregel natürlich nur... dann lern > ich die Schaltungen auswendig mir ist allerdings immer noch nicht klar > warum man das jetzt nicht vertauschen kann und warum dann die > Verstärkung <1 ist. Also das wäre mal ganz cool wenn man das anhand von > Gleichungen erklären könnte Nimm das Kleinsignalersatzschaltbild. Da hast du von Drain nach Source rds(z. B. 100kOhm). Der bildet mit Rs(z. B. 1kOhm) einen Spannungsteiler. Da kommt dann nur nach 1/100 der Spannung die du an Drain anlegst an der Source heraus.
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Helmut S. schrieb: > Nimm das Kleinsignalersatzschaltbild. Da hast du von Drain nach Source > rds(z. B. 100kOhm). Der bildet mit Rs(z. B. 1kOhm) einen > Spannungsteiler. Da kommt dann nur nach 1/100 der Spannung die du an > Drain anlegst an der Source heraus. Ah Danke mir rds meinst du den Widerstand der parallel zur gesteurten Stromquelle hängt?
Jonas schrieb: > Helmut S. schrieb: >> Nimm das Kleinsignalersatzschaltbild. Da hast du von Drain nach Source >> rds(z. B. 100kOhm). Der bildet mit Rs(z. B. 1kOhm) einen >> Spannungsteiler. Da kommt dann nur nach 1/100 der Spannung die du an >> Drain anlegst an der Source heraus. > > Ah Danke mir rds meinst du den Widerstand der parallel zur gesteurten > Stromquelle hängt? Ja. Genaugenommen hängt Us auch noch von der Steilheit Gm ab. Us = Ud * (Rs||(1/Gm))/(rds+Rs||(1/Gm)) Wenn man im vorherigen Beispiel Gm=1mA/V annimmt, dann kommt noch 1/200 der Drainspannung an der Source heraus.
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Jonas schrieb: > Verstehejasowiesonichtsdawirdauchnichtserklärt > inderunirichtigtraurignajaokayalsowasichweißist > dasichdenverstärkermitden4widerständeninden > Arbeitspunktfahreunddannschließeichebenmein > KleinSignal/ACsignalanwelchesdanndenFetumden > Arbeitspunktaussteuertnuristmirnichtklar > warummandasjetztnichtvertauschenkannesist > jaeinAcSignalundsomitegalwoichmeinSignal > einspeisedachteichistabereinscheinendnicht > soundichweißnichtwarum. DAS ist auch höchst traurig bzw. armselig und eine ZUMUTUNG (um mal bei der allgemeinen Etiquette zu bleiben) für die Menschen, die du hier um Hilfe bittest. Die gehen sogar auf deine Probleme ein und tun so, als wenn das der normale Sprachgebrauch wäre. Nein, ich persönlich finde es zum Abk..zen. :-/
Jonas schrieb: > Ja das zeichen ist falsch ist ja auch egal soll eben ein N-Mosfet sein Es ist nicht falsch, sondern es ist völlig richtig das Zeichen für einen selbstsperrenden N-Kanal-MOSFET. Falls das der Grund für den Punktabzug sein sollte, würde ich es reklamieren. hinz schrieb: > Und das hier verwendete Schaltzeichen gibts nicht. Nur weil du und manch anderer hier es noch nicht gesehen hat, bedeutet das noch lange nicht, dass dieses Symbol falsch oder sogar nicht existent wäre. Immerhin handelt es sich dabei um ein vom IEEE abgesegnetes Symbol, das jedem Fachmann (aber vllt nicht jedem Berufsschullehrer) verständlich ist: http://highered.mcgraw-hill.com/sites/dl/free/0073191639/366537/Chapter_4.pdf#page=19 Seite 19, Bild 4.15, Symbol e
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Hp M. schrieb: > Immerhin handelt es sich dabei um ein vom IEEE abgesegnetes Symbol, Du kannst sicherlich die entsprechende Norm nennen.
hinz schrieb: > Du kannst sicherlich die entsprechende Norm nennen. Wo bleibt deine Eigeninitiative? Wenn du es dem Autor des oben verlinkten Dokument nicht glaubst, dann musst du eben selbst danach suchen. Wahrscheinlich steht es in einer der Revisionen der ANSI Y32.2 bzw. IEEE Std 315. In der Ausgabe von 1975, die man kostenlos an verschiedenen Stellen im Internet findet, ist diese spezielle Darstellung leider nicht zu finden, und um andere Revisionen zu durchsuchen, müsste man tief in die Tasche greifen. https://kicad-info.s3-us-west-2.amazonaws.com/original/2X/4/4dba6d30023f4e5c8c7bfb4785563202d6cf6174.pdf Trotzdem lohnt es sich ein bischen in dem verlinkten Dokument zu blättern, denn bestimmt wirst du darin noch etliche andere Symbole finden, die du noch nie gesehen hast, sogar nicht einmal wusstest, dass es sie gibt. Was stört dich eigentlich an dem verwendeten Symbol? Ist es die Kurzschreibweise für den gemeinsamen S,B-Anschluss? So etwas gab es doch schon zu Röhrenzeiten, als man anstelle der umständlichen Malerei einer indirekt geheizten Kathode einfach einen Knödel gezeichnet hat. Und die das Gehäuse darstellenden Kreise, die wir früher fleissig um das Transistor-Symbol gezeichnet haben, sind auch verschwunden, je mehr die Transistoren zu einem Schüttgut verkamen. Am einfachsten könnten wir ja mal Jonas fragen, wo er das Symbol gefunden hat.
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Hp M. schrieb: > http://highered.mcgraw-hill.com/sites/dl/free/0073191639/366537/Chapter_4.pdf#page=19 > Seite 19, Bild 4.15, Symbol e Hallo Hp M., das Kapitel sieht interessant aus. Aus welchem Buch ist das? Helmut
Hp M. schrieb: > Was stört dich eigentlich an dem verwendeten Symbol? Mich stört daran gar nichts. Es wurde nach dem Grund für den Punktabzug gefragt.
Helmut S. schrieb: > das Kapitel sieht interessant aus. Aus welchem Buch ist das? Hier kannst du das komplette Buch runterladen: https://epdf.pub/queue/microelectronic-circuit-design-4th-edition.html Danach kannst du sogar dieses "falsche" und "nicht existente" Symbol auf dem Titelbild sehen.
Nachtmix schrieb: > Helmut S. schrieb: >> das Kapitel sieht interessant aus. Aus welchem Buch ist das? > ...microelectronic-circuit-design-4th-edition... Danke, der Titel des Buches reicht mir. Microelectronic Circuit Design 4th Edition
Nachtmix schrieb: > Helmut S. schrieb: >> das Kapitel sieht interessant aus. Aus welchem Buch ist das? > > Hier kannst du das komplette Buch runterladen: > https://epdf.pub/queue/microelectronic-circuit-design-4th-edition.html > > Danach kannst du sogar dieses "falsche" und "nicht existente" Symbol auf > dem Titelbild sehen. Die Autoren haben Phantasie. Im IEEE Standard 315 gibts diese Darstellung nicht.
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hinz schrieb: > Die Autoren haben Phantasie. Im IEEE Standard 315 gibts diese > Darstellung nicht. Mit der Phantasie der Autoren ist es gar nicht so weit her. https://epdf.pub/ansi-ieee-std-315a.html Seite 34 zum Beispiel. Es gibt noch eine Norm für die Schaltzeichen (MOS)FETs, die es als diskrete Bauelement nicht zu kaufen gibt, aber auf Chipschaltungen integriert sind. Den Mosfet mit 4 Polen (Substratanschluss herausgeführt) gab es sogar, wurde aber vom Markt nicht angenommen. Naja, keines der aufkommenden Treiberchips unterstützte diesen Anschluss, auch der Treiberchip des Herstellers des Mosfet nicht.
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