Hallo Liebe Forengemeinde, Aktuell beschäftige ich mit Schaltwandlern die mit GAN Fets realisiert sind. Bei meinen Recherchen bin ich auf folgendes Demo board gestoßen: https://epc-co.com/epc/Products/DemoBoards/DrGaNPLUS.aspx Was ich daran jetzt etwas wundert ist, dass das high side FET deutlich kleiner ist als das low side FET ist. Sie unterscheiden sich auch deutlich im Innenwiderstand und Strom den sie leiten können. Es hat offensichtlich einen praktischen Nutzen, leider sehe ich ihn nicht so wirklich. Kann hier jemand eine Erklärung geben? Schonmal Danke!
Der mittlere Strom durch das untere FET ist je nach Verhältnis zwischen Ein- und Ausgangsspannung deutlich höher als der durch das obere FET. Daher kann man dort ein kleineres FET verbauen. Die Gründe dafür sind mannigfaltig, einer ist natürlich das die kleineren FETs mit weniger Strom teilweise billiger sind. Natürlich spart man sich auch Platz auf dem PCB, grade für hochintegrierte Wandler ist das interessant. Außerdem sind die Kapazitäten (Gate, input, output, etc.) auch teilweise deutlich kleiner bei den kleineren FETs was schalt Verluste einspart. Die sind bei den hohen Frequenzen der GAN FETs je nach Anwendung ausschlaggebender als die Verluste durch den höheren Innenwiederstand. Wenn man damit einen mehr Phasen Konverter baut kommt man gut und gerne mal auf 97% Effizienz und mehr.
Gute Frage. Ähnliches war mir früher auch schon bei Computermainboards aufgefallen. Das warum hatte ich aber nirgends nachgefragt.
Guest schrieb: > ... das untere FET ... https://de.wikipedia.org/wiki/Feldeffekttransistor Transistor Substantiv, maskulin – Joshi schrieb: > GAN Fets Hast die überhaupt irgendeine Idee, was diese Buchstabenkombinationen bedeuten?
Danke an Guest für die ausführliche Erklärung. Das Ganze macht doch Sinn, wenn man so darüber nachdenkt. Natürlich muss man den Überblick über die ganzen Einzelheiten haben. An die Kapazitäten hätte ich so nie gedacht. Macht aber natürlich Sinn, wenn man im MHz Bereich schaltet. Das mit dem Strom hatte ich mir gedacht da der Eingangsstrom ja niedriger als der Ausgangsstrom ist. Armin X. schrieb: > Gute Frage. > Ähnliches war mir früher auch schon bei Computermainboards aufgefallen. > Das warum hatte ich aber nirgends nachgefragt. Dann hast du ja jetzt eine Erklärung bekommen :D omg schrieb: > Guest schrieb: >> ... das untere FET ... > https://de.wikipedia.org/wiki/Feldeffekttransistor > Transistor Substantiv, maskulin – Klugscheißer mag niemand…. Erst recht keine die nichts Sinnvolles beitragen. omg schrieb: > Hast die überhaupt irgendeine Idee, was diese Buchstabenkombinationen > bedeuten? Stell dir vor das weiß ich. Soll ich es dir richtig aufschreiben? GaN-FET -> Galliumnitrid-FET Ich weiß das sie deutlich geringere Kapazitäten als Silizium FETs haben und dadurch erheblich weniger schalt Verluste. Die genauen technischen gründe kenne ich darum geht es mir im ersten Ansatz aber auch nicht. Ich meine auch gelesen zu haben das sie keine Body-Dioden haben.
Joshi schrieb: > Die genauen technischen > gründe kenne ich * darum geht es mir im ersten Ansatz aber auch nicht. da fehlt ein *nicht :O
Joshi (Gast) schrieb: >omg schrieb: >> Guest schrieb: >>> ... das untere FET ... >> https://de.wikipedia.org/wiki/Feldeffekttransistor >> Transistor Substantiv, maskulin – >Klugscheißer mag niemand…. >Erst recht keine die nichts Sinnvolles beitragen. Das ist was Sinnvolles, denn es hat ja nichts mit Fett zu tun. Genauso wie es sinnvoll ist, die Leute auch drauf hinzuweisen, daß auch ein FET ein Transistor ist, weswegen FET auf T endet.
Ich entschuldige mich in aller Form dafür das ich in Deutsch nie so gut war. Dafür verstehe ich etwas von meinem Fachgebiet in dem es relativ egal ist ob es der oder das FET ist solange die Schaltung funktioniert. Dass es sich bei einem FET um einen Transistor handelt ist mir bekannt und auch das es DER Transistor heißt. Leider habe ich mir in Ungedanken irgendwann mal dieses „DAS“ angewöhnt und werde es nicht mehr los. Ich denke das ist auf jeden Fall eine schlechte Angewohnheit. Ich sollte mir lieber angewöhnen hochnäsig und beleidigend zu sein wie es oftmals in diesem Forum gewünscht ist. Natürlich tut es mir leid, wenn aufgrund dieses Grammatikalischen Patzers der Lerneffekt bei meinen meist Hilfreichen Antworten ausbleibt. Ich kann verstehen, wenn das lesen eines solch missgestalteten Satzes Unwohlsein hervorruft. Ich hoffe nur das ich dem TO damit nicht die Lust an der Elektronik geraubt habe und er sich trotz meiner Unfähigkeit weiterhin mit diesem Interessanten Thema auseinandersetzt. Ich für meinen Teil werde denke ich das Fachgebiet wechseln, anscheinend bin ich dafür ungeeignet.
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