Forum: Analoge Elektronik und Schaltungstechnik MOSFET Power Dissipation


von 00Z (Gast)


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Hallo.

Was bedeutet eigentlich im Datenblatt "Power Dissipation" steht das für 
die
maximale Leistung die ein Mosfet verbrät wenn die angegebenen 
Leistungswerte
ausgereizt werden, oder ist das die Leistung, die das Gehäuse des FET´s 
abführen kann?

: Verschoben durch Moderator
von foobar (Gast)


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Das ist die Verlustleistung, die das Teil verkraftet.  Üblicherweise 
gibt es dazu aber Fußnoten, unter welchen Bedingungen das gilt 
(Umgebungstemperatur, Kühlkörper, etc).  Einige sind sogar so frech, die 
Leistung anzugeben, die der Die verkraftet und in den Fußnoten steht 
dann, dass das Gehäuse aber nur 50% davon zulässt.  Sieh den Wert 
einfach als Hausmarke, für welchen Leistungsbereich das Teil ausgelegt 
ist.  Was wirklich geht, siehst du besser im SOA (Save Operating Area) 
Diagramm.

von 00Z (Gast)


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Nein, was mich interessiert, wenn ich z.B. dieses Mosfet:
https://de.rs-online.com/web/p/mosfet/1811899/
Mit 222 Ampere belaste, verbrät es dann 214W an Wärmeenergie?

von Guest (Gast)


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Die grundlegenden Formeln wie U=R*I und P=U*I sind dir bekannt?

Nach etwas einsetzen und umformen kommt man auf P=R*I^2

Ein Blick ins Datenblatt verrät, das der Innenwiderstand bei optimaler 
Ansteuerung 2,3mOhm ist. Oben zusammen mit deinem Strom von 222A 
eingesetzt komme ich auf gut 113W. Hinzu kommen ggf. Schalterluste 
sofern das FET mit PWM angesteuert wird.

Dann gibt es noch eine Angabe zum Thermischen Widerstand. In dem Fall 
0,7°C/W von der junction zur Metallfahne. Wenn die auf einem 
entsprechenden Kühlkörper montiert ist, der die Wärme ausreichend 
anführen kann. Hast du überschlägig eine Temperaturerhöhung von knapp 
80°C bei 25°C Raumtemperatur hat dein FET dann gesunde 105°C.

Ohne Kühlkörper gilt der Wert Junction to Ambient. Also 62,5°C/W was in 
dem Fall magischen Rauch und eventuell schön anzusehende optische 
Effekte hat.

von foobar (Gast)


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Kommt drauf an, wie du ihn an-/aussteuerst.  Bei Dauer-voll-an kämen 
z.B. Anfangs 222A² * 2.3mΩ = 113W zusammen - je wärmer er aber wird, 
desto höher werden die 2.3mΩ und die Verluste steigen.  Bei häufigem 
Ein-/Ausschalten (z.B. PWM) wird es generell mehr.

Allerdings solltest du wirklich einen Blick ins Datenblatt werfen: dann 
wäre dir nämlich auffallen, dass an den 222A ein Sternchen hängt: 
Package Limit is 120A.  Kannst dir die 222A also eh abschminken.

von 00Z (Gast)


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Das mit den 222A war nur theoretisch, ich weiß natürlich dass ein TO220 
das niemals aushällt, schon wegen den Beinchen nicht.

von Arno H. (arno_h)


Angehängte Dateien:

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Im DB gibt es die Fussnote 3. Da steht, die Werte wurden errechnet. Den 
Bezug zur Realität darf der Anwender selbst herstellen. Schaltbetrieb 
ist eine andere Welt, aber dass schon 50W Dauerlast an einem TO220 ne 
Menge Holz sind, lernt man mit der Zeit.
Die erste Seite eines DB ist wie die Schlagzeile der Bild, die Wahrheit 
steht auf den folgenden Seiten. Deswegen gibt es aus China häufig nur 
Seite 1.
ON hat von Motorola die AN1040 geerbt, da kannst du dir Werte der 
Wärmewiderstände von TO220 und anderen Gehäusen anschauen.

Arno

von Axel S. (a-za-z0-9)


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00Z schrieb:
> Was bedeutet eigentlich im Datenblatt "Power Dissipation"

Das kommt auf die Worte an, die drum herum stehen. Für sich allein steht 
das nicht im Datenblatt. Z.B. könnte "maximum" davor stehen. Oder es 
steht in der Überschrift über der entsprechenden Tabelle.

00Z schrieb:
> Nein, was mich interessiert, wenn ich z.B. dieses Mosfet:
> https://de.rs-online.com/web/p/mosfet/1811899/
> Mit 222 Ampere belaste, verbrät es dann 214W an Wärmeenergie?

Nein. Schon allein deswegen, weil Watt die Einheit der Leistung ist 
und nicht der Energie.

Die angegebene maximale Verlustleistung ist ein theoretischer Wert. Als 
Meßbedingung findet sich nämlich "T_c = 25°C", was bedeutet, daß das 
Gehäuse (sprich: die Kühlfahne des TO-220) auf einer Temperatur von 25°C 
gehalten werden muß. Das ist praktisch unmöglich.

Die 214W ergeben sich dann gerade aus der maximalen Chiptemperatur
T_j = 175°C und dem thermischen Widerstand zwischen Chip und Gehäuse 
R_th_jc = 0.7K/W

Ansonsten steht alles wesentliche im Beitrag von foobar (Gast) oben:
Beitrag "Re: MOSFET Power Dissipation"

von Jens G. (jensig)


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foobar (Gast) schrieb:

>(Umgebungstemperatur, Kühlkörper, etc).  Einige sind sogar so frech, die
>Leistung anzugeben, die der Die verkraftet und in den Fußnoten steht
>dann, dass das Gehäuse aber nur 50% davon zulässt.  Sieh den Wert

Guck an, ist mir noch gar nicht aufgefallen. Bisher kannte ich das nur 
für die Strombelastbarkeit.
Hast Du ein Beispiel dafür, daß auch für's Package die Leistung extra 
spezifiziert wird?


00Z (Gast)

>Nein, was mich interessiert, wenn ich z.B. dieses Mosfet:
>https://de.rs-online.com/web/p/mosfet/1811899/
>Mit 222 Ampere belaste, verbrät es dann 214W an Wärmeenergie?

Jain.
Es besteht üblichrweise tatsächlich ein Zusammenhang zw. max. Strom und 
max. Leistung Ptot.
Das erkennt man vielleicht nicht auf den ersten Blick.
Der max Strom des Die (ohne Rücksicht auf Package oder sonstiges) ist 
üblicherweise der Strom, der eine Tj von Tj_max ergibt bei thermisch zur 
Umwelt kurzgeschlossenem Gehäuse (als Tc=25°C).
Anhand des angegebenen Rds_on_max kommt man aber bei diesem Strom nicht 
auf die Leistung, die Tj_max erzeugen würde. Liegt daran, weil 
Rds_on_max bei Tj=25°C spezifiziert wird. Bei Ids_max isses aber 
deutlich wärmer im Kristall, und damit ist er auch deutlich hochohmiger, 
nämlich fast/um Faktor zwei bei Tj_max gegenüber 25°C. Damit auch die 
Leistung, die beim genannten Exemplar bei 222A bei genannten 
Testbedingungen ungefähr bei 214W liegt (oder genau).

: Bearbeitet durch User
von Carlo (Gast)


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von Carlo (Gast)


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