Hi, siehe angehängt Schaltung, sofern der Schalter geöffnet und wieder geschlossen wird, ist das Gate hochohmig, da aber Transistoren anders als MOSFETs stromgesteuert sind, müsste doch dennoch Strom an GE fließen und das Gate somit auf GND gezogen werden oder? Mir wurde hier aber ein PullDown empfohlen, weil es ansonsten durch auftretendes Rauschen dazu kommen könnte, das der Transitor schaltet, was ungewollt auf keinen fall passieren darf. Ist das gerechtfertigt? Gruß
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*....der Schalter geschlossen und wieder geöffnet wird...
Welches Gate? Ich sehe Basis, Kollektor, Emitter. Luca schrieb: > Ist das gerechtfertigt? Nein, sowas aber auch.
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Also, wenn man die paar Striche da als Schaltung erkennen soll....?` Sieht eher aus wie ein Male-Versuch einer Schaltung, oder was sollen da die 1 ... 4 bedeuten? Die Kollektoren der beiden Transen schalten was direkt auf Masse? Male einfach ne Skizze auf Papier und häng sie vollständig an, deine Fantasie -Schaltung hat am Rest sicher noch mehr Hänger oder Würger.
Jörg R. schrieb: > Welches Gate? Ich sehe Basis, Kollektor, Emitter. Sorry hast recht, war mit den Gedanken wo anders, denke es wird aber klar sein was ich meinte. Jörg R. schrieb: > Nein, sowas aber auch. Was meinst du damit?
Niemand schrieb: > Also, wenn man die paar Striche da als Schaltung erkennen soll....?` > Sieht eher aus wie ein Male-Versuch einer Schaltung, oder was sollen da > die 1 ... 4 bedeuten? > Die Kollektoren der beiden Transen schalten was direkt auf Masse? > Male einfach ne Skizze auf Papier und häng sie vollständig an, deine > Fantasie -Schaltung hat am Rest sicher noch mehr Hänger oder Würger. Darum gehts doch aber gar nicht, sondern um die von mir gestellte, grundsätzliche Frage, brauch man am Transistor wie beim MOSFET einen pulldown oder nicht?
> Ist ein pulldown am Transistor Gate erfoderlich? Da ein Transistor kein Gate hat: ganz klar Nein Luca schrieb: > siehe angehängt Schaltung, sofern der Schalter geöffnet und wieder > geschlossen wird, ist das Gate hochohmig, da aber Transistoren anders > als MOSFETs stromgesteuert sind, müsste doch dennoch Strom an GE fließen Was nennst du "GE"? > und das Gate somit auf GND gezogen werden oder? Da ist kein Gate! > Mir wurde hier aber ein > PullDown empfohlen, weil es ansonsten durch auftretendes Rauschen dazu > kommen könnte, das der Transitor schaltet An diesem Satz ist so gut wie alles falsch. An der Schaltung auch. Man kann Bipolartransistoren basis-emitterseitig nicht direkt parallel schalten. Die Stromaufteilung wird vollkommen willkürlich sein.
Luca schrieb: > Mir wurde hier aber ein > PullDown empfohlen, weil es ansonsten durch auftretendes Rauschen dazu > kommen könnte, das der Transitor schaltet, was ungewollt auf keinen fall > passieren darf. Wo wurde das empfohlen? Nehmen wir mal an Du meinst tatsächlich einen Mosfet... Dann lässt sich die Frage nach dem Pulldown nicht pauschal beantworten. Am Ausgang eines uC angeschlossen ist ein Pulldown ratsam. Bei anderer Ansteuerung kommt es auf die Schaltung an. Und da hier keine vernünftige Schaltung vorliegt lässt sich die Frage nicht weiter beantworten. Auf keinen Fall aber darf das Gate in der Luft schweben. Und was heißt Pulldown? Bei einem P-Channel setzt man eher einen Pullup ans Gate. Luca schrieb: > Jörg R. schrieb: >> Welches Gate? Ich sehe Basis, Kollektor, Emitter. > > Sorry hast recht, war mit den Gedanken wo anders, denke es wird aber > klar sein was ich meinte. Darauf was Du meintest kommt es aber nicht an. Du erwartest präzise Antworten, dann liefere auch präzise Informationen was das Problem angeht. Du solltest für zukünftige Anfragen das Zeichnen und beschreiben um was es geht. Das Forum ist ja keine Rätselbude.
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Luca schrieb: > siehe angehängt Schaltung, sofern der Schalter geöffnet und wieder > geschlossen wird, ist das Gate hochohmig, da aber Transistoren anders > als MOSFETs stromgesteuert sind, müsste doch dennoch Strom an GE fließen > und das Gate somit auf GND gezogen werden oder? sinnvoll wäre es schon, 1K bis 100 K an die Basen zu hängen... Teste es mal selbst aus...
Luca schrieb: > siehe angehängt Schaltung Die funktioniert sowieso nicht. Einer der beiden Bipolartransistoren leitet mehr als der andere weil seine UBE (wegen Herstellungsschwankungen) geringer ist, dann wird der durch ihn hindurchfliessende Strom ihn wärmer machen wodurch er noch weniger UBE bekommt und allen Strom vom Schalter übernimmt. Du brauchst schon 1k vom Schalter für jeden. Aber vielleicht waren es ja auch MOSFETs deren Schaltezichen du nicht kennst. Die haben ein Gate. Da ist das Gate bei offenem Schalter einfach offen, das darf nicht sein , da müssten die 1k nach Masse. In die uleitung vom Schalter brauchen bei denen keine 1k.
So wie ich das weiß sollte man ein pull down verbauen. Aus emv gründen ja aber auch weil bei einem mosfet eine parasitäre kapazität umgeladen werden muss damit der mosfet schaltet, deswegen ist es ratsam auch einen vorwiderstand zu nutzen obwohl mosfets spannungsgesteuert sind. Über den pull down kann sich die kapazität entladen damit der mosfet wieder ausschaltet.
Luca schrieb: > ....da aber Transistoren anders > als MOSFETs stromgesteuert sind, müsste doch dennoch Strom an GE fließen > und das Gate somit auf GND gezogen werden oder? .... Basiswissen über Transistoren: https://www.elektroniktutor.de/bauteilkunde/transi.html https://www.elektroniktutor.de/bauteilkunde/transkl.html Durcharbeiten, mindestens eine Nacht drüber schlafen und danach (wenn noch Fragen offen sind) mit einer neue Schaltung wieder melden...
Luca schrieb: > [...] da aber Transistoren anders als MOSFETs > stromgesteuert sind, [...] <Gebetsmühle> Wofür steht eigentlich das "T" in MOSFET? </Gebetsmühle>
Luca schrieb: > Darum gehts doch aber gar nicht, sondern um die von mir gestellte, > grundsätzliche Frage, brauch man am Transistor wie beim MOSFET einen > pulldown oder nicht? Ja, ein gemeinsamer Pulldown ist ausreichend. Jeder Transistor bekommt aber seinen eigenen Basisvorwiderstand.
Grundsätzlich leitet ein Si-Transistor bei offener Basis nur nA durch die CE-Strecke. So gesehen wäre es kein Problem, auf einen Pulldown zu verzichten, wenn nicht gerade der Kollektorarbeitswiderstand auch extrem hoch ist. Aber: - es gibt Transistoren mit sehr großem hFE, bis zu 1000. Damit steigt die Empfindlichkeit, sich was einzufangen (Einstrahlung). Es reicht dann schon, mit dem Finger die Basis zu berühren, um sich Netzbrumm einzufangen. Ähnliches Problem bei langen Leitungen zu der Ansteuerquelle. - Transistoren werden auch im Schaltbetrieb an Logikgatterausgänge (oder µC) angeschlossen. Ein Pulldown direkt an der Basis wird den Störabstand verbessern. Ab ca. 0.5V ... 06V beginnt der zu leiten, während das Logiksignal z.B. einen Hub von 5V hat. Hier ist es z.B. sinnvoll, einen Spannungsteiler davor zu machen, so dass diese Spannung erst ab etwa dem halben Logikpegel erreicht werden. Zu deiner Schaltung oben: Die beiden Basen direkt zusammenschalten ist nicht sinnvoll. Das geht einigermaßen gut, wenn die beiden Transistoren z.B. auf einem Chip sind und damit gut thermisch gekoppelt; meist hat man das aber nicht. Also: direkt vor die Basis jeweils 1k-10k legen (je nach Last am Kollektor) und entweder einen Pulldown an den Schalter oder besser, nach meinen obigen Ausführungen, nochmals 1k-10k direkt zwischen B und E (bei 3.3V). Also so:
1 | o o |
2 | | | |
3 | .-. .-. |
4 | | | | | |
5 | | | v | | |
6 | '-' | '-' |
7 | | | | |
8 | | | | |
9 | \| __ | ___ |/ |
10 | |-o-|___|-o-|___|-o-| |
11 | <| | | |> |
12 | | .-. .-. | |
13 | | | | | | | |
14 | | | | | | | |
15 | | '-' '-' | |
16 | | | | | |
17 | -o---o---------------o---o- |
18 | (created by AACircuit v1.28.6 beta 04/19/05 www.tech-chat.de) |
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