Hey, ich habe eine Funktionsgleichung gegeben. Daraus folgt in CMOS Schaltungstechnik ein Gatter. Meine Frage ist nun, wieso in dem p block ein nKnaal Transistor vorkommt und dem n Block ein pKanal GTransistor? Und vor allem, woher weiss ich, welche der Transistor einer der entgegegen gesetzen ist? Bitte siehe Anhang (es geht um die rotmakierten Mosfets).
Das sieht nach einem Fehler aus. Da hat wohl einer beim Bildklöppeln nicht richtig aufgepasst.
ok gehen wir mal davon aus das es ein Fehler ist, kannst du mir dann bitte nur noch sagen wie man das best case szenario (alle leitend ) das worst- case szenario( alle sperrend) ermittelt ? Also mich würde nur interessierren wie ich von Vdd bzw Masse aus den Pfad zum Potential an C_L ermittel.
ok hab es, ist eigentlich einfach, ich glaube die anzahl der mosfets soll bei worst case maximal sein und best case minimal oder
Die Frage macht so keinen Sinn oder ich verstehe sie nicht. Was soll in einem Gatter der Best-Case und was der Worst-Case sein? Wenn du es schaffst, dass alle Transistoren im Gatter leiten oder alle sperren hast du ein Problem.
hmm hier ist die rede von best bzw worst case. Es geht darum die Transistoren zu dimensionieren (Weite z.b) und Anstiegs bzw Abstiegszeit der Schaltung .. z.b. ist für die weite in der Aufgabenstellung das worst case szenario relevant. Für die Anstiegs bzw Abstegszeit das best case szenario (alle schalten durch steht hier noch einmal in klasmmer).
Wenn das so definiert ist, dann sind nur die längsten Pfade leitend jeweils der Worst Case, so wie es eingefärbt ist. BesCase ist dann wie du schon sagtest, wenn alle Transistoren eines Blocks leiten.
hmm vielen dank. Ich verstehe aber zb nicht wieso genau der Grüne Pfad in der Aufgabenstellung ,,worst-case" nicht durch A-B verlüft, sondern durch C? Soll eine reihenschaltung aus mehreren mosfets verhindert werden?
Weil durch "AB leitend" auch der rechte A-Pfad leitend wäre. Das würde der Stromfluss deutlich erhöhen.
Mag ja als Aufgabe geeignet sein. Ansonsten sollte erstmal die Logik stimmig sein, bevor man an die elektrischen Parameter geht. B ist ohne Funktion, fliegt beim Minimieren raus - und damit das zweite A ebenfalls. 3 x P, 3 x N, das wars.
Und wer hat hat in der Handskizze an die P-Gates Kringel gezeichnet? P- und korrespondierende N-FETs werden Gate-seitig gleichphasig angesteuert, so dass eine Seite sperrt, die andere leitet.
Samuel C. schrieb: > Die Frage macht so keinen Sinn oder ich verstehe sie nicht. Was soll in > einem Gatter der Best-Case und was der Worst-Case sein? Wenn die Gatter so angesteuert werden, wie es bei CMOS vorgesehen ist, dann leiten die nicht alle gleichzeitig. Das tun sie teilweise während des Umschaltens, je nachdem, wie stark sich die einzelnen Kurven der Transistoren überlappen. Dies wiederum hängt u.a. von der Dotierung ab. Damit z.B. stellt man ja schnelle bzw stromsparende Technologien ein.
Jürgen S. schrieb: > Samuel C. schrieb: >> Die Frage macht so keinen Sinn oder ich verstehe sie nicht. Was soll in >> einem Gatter der Best-Case und was der Worst-Case sein? > > Wenn die Gatter so angesteuert werden, wie es bei CMOS vorgesehen ist, > dann leiten die nicht alle gleichzeitig. Das tun sie teilweise während > des Umschaltens, je nachdem, wie stark sich die einzelnen Kurven der > Transistoren überlappen. Dies wiederum hängt u.a. von der Dotierung ab. > Damit z.B. stellt man ja schnelle bzw stromsparende Technologien ein. Hier geht es noch einen Schritt weiter in die analoge Welt, in der parallele Transistoren besser leiten und serielle schlechter und so das Timing beim Umladen beeinflussen. Dann aber die Logik nicht zu minimieren, ist schon ein gewisser Widerspruch.
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