Servus, könnt ihr einem Physikstudiums-Abbrecher auf die Sprünge helfen, wo ich eine möglichst knappe und dabei halbwegs vollständige Beschreibung finde, welche mikroskopischen Prozesse im Inneren eines Transistors eine Rolle spielen? Da es um eine mikroskopische Beschreibung geht, denke ich dass diese erst einmal universell für bipolar- und FE-Transistoren gilt. Korrigiert mich, wenn nicht. Ich bin mit meinem halben Physikstudium hier sozusagen der Einäugige unter den Blinden und soll für unser Labor eine Simulation bestimmter Prozesse erstellen, die eng mit den Prozessen in Transistoren zusammenhängen. Dabei geht es nicht um Ersatzschaltbilder, wie sie in SPICE zur Anwendung kommen, sondern ausgehend von den Diffusionsgleichungen der Ladungsträger, ihrer Mobilität usw. sowie den makroskopischen Dimensionen der Halbleiter sollen Effekte wie Spannungsfestigkeit, Sperrströme, Frequenzgang usw. simuliert werden. Ich erwarte hier natürlich keine Lösung unseres sehr oberflächlich beschriebenen Problems. Aber kennt ihr zufällig ein Buch, das die benötigten Gleichungen beschreibt, insbesondere diejenigen, die z.B. für den Frequenzgang eines Transistors relevant sind?
Gunnar schrieb: (verknappt) > knappe und vollständige Beschreibung (der) > (detaillierten) Prozesse im Inneren eines Transistors Vergiss es! Füllt ganze Bibliotheken. knapp und vollständig schliesst sich per se gegenseitig aus! "komplex" statt "knapp" trifft es. Du willst ja eine "mikroskopische" (Grösseneinteilung der...) Betrachtungsweise. Hier nur jeweils ein paar Suchbegriffe: "Frequenzgang": Millerkapazität, Basis-Bahnwiderstand (komplex), dynamische Sperrschichtkapazität; im Schaltbetrieb: Sperrverzögerungszeit (lastabhängig, temperaturabhängig! ); trivial: "Ausräumzeit der Ladungsträger". "Mobilität der Ladungsträger": "High Electron Movability Transistors"=HEMT, im Gegensatz dazu die klassischen Transistoren herkömmlicher Bauart-en (Mehrzahl!). Da die Wirkungsweise des klassischen Bipolartransistors eine völlig andere ist, als die der HEMT-Transistoren (sitzen in jedem Satschüssel-LNB), hättest Du das Diplom für das erfolgreich absolvierte Physikstudium bereits dafür verdient, die "High Electron Movability" mal eben so knapp und trotzdem vollständig zu beschreiben. Ein Bayer gebürtigaus Krummennaab hat genau dafür einen Preis erhalten. "uralt": Annäherung an die theoretischen Vorgänge ... über die "Randschichttheorie" von Halbleiterdioden, hier: Dicke der Sperrschicht (ladungsträgerfreien Zone) in Abhängigkeit von der Sperrspannung, langsame, eingeschränkte Beweglichkeit der "Löcher"(Elektrondefekt) Sag mal, will Dich jemand "abschiessen"? Mit diesem Auftrag?
Gunnar schrieb: > Da es um eine mikroskopische Beschreibung geht, denke ich dass diese > erst einmal universell für bipolar- und FE-Transistoren gilt. Korrigiert > mich, wenn nicht. Die genutzten mikroskopischen und quantenmechanischen Effekt bei BJT und FET sind recht verschieden. FETs sind eher mit Röhren verwandt. Das sieht man schon an der ganz anderen Kennlinien, verglichen mit einem BJT.
Nichtverzweifelter schrieb: > Sag mal, will Dich jemand "abschiessen"? Mit diesem Auftrag? Scheint so...
Gunnar schrieb: > Dabei geht es nicht um Ersatzschaltbilder, wie sie in > SPICE zur Anwendung kommen, sondern ausgehend von den > Diffusionsgleichungen der Ladungsträger, ihrer Mobilität > usw. sowie den makroskopischen Dimensionen der Halbleiter > sollen Effekte wie Spannungsfestigkeit, Sperrströme, > Frequenzgang usw. simuliert werden. Das war ungefähr der Inhalt des neunsemestrigen Diplomstudiums "Physik/Mikroelektronik" in Chemnitz.
Egon D. schrieb: > Das war ungefähr der Inhalt des neunsemestrigen > Diplomstudiums "Physik/Mikroelektronik" in Chemnitz. So in etwa. Ich habe auch Richtung Halbleiterelektronik studiert. Wir haben bei der Schrödingergleichung angefangen und die Energiezustände in Metallen und HL-Kristallen berechnet. Dann kam man zu der Besetzungstatistik und zum Ferminiveau, dann mittels unterschiedlicher Dotierungen und Betriebsfällen zu Gleichgewichten und unterschiedlichen Arten der Injektion und so zu ersten Gleichtungen für die Beweglichkeit und die Lebensdauer von Ladungen - je nach Bandzustand und differentiellen Stromdichten. Irgendwann kamen dann mal später die Transistormodelle und der Aufbau von PMOS-Transistoren, FETs, Bipolar und Solarzellen, Fotozellen und Peltier. Ich erinnere mich noch, dass die Gleichungen für den MOS-Transistor über 5 Din A4 Seiten gingen. Noch später kamen die daraus abgeleiteten Transistorgleichungen, die die Normalos lernen, die keine Halbleiterelektronik hatten. Diese sind dann wieder überraschend kurz :-) Auf dem Weg zu diesen Gleichungen wird nämlich stetig vereinfacht, Restglieder weggelassen und linearisiert, um wieder was Berechenbares zu erhalten. Ein kompletter Transistor in einem 3D-Modell mit Dotierung ging damals mit einer Micro-VAX im Sekundentakt zu berechnen, d.h. man erhielt als Ergebnis alle 20-30 Sekunden einen Punkt in der Kennlinie. Das sogenannten SPICE-LEVEL 2 Modell des MOS ging so rund 4-5 Größenordnungen schneller (warum wohl :-) ) Ich habe vor einigen Jahren mal eine Berechnung angestellt, wie viel man Rechnen muss, um Transistoren in Echtzeit zu berechnen, als es darum ging, deren Verhalten in Echtzeit mitzumodellieren. Einen Auszug dazu hatte ich ja hier mal gepostet (mit Bezug zur Modellierung von Kennlinien mit FPGAs zur Nutzung in der Musik) siehe Modellierung analoger Schaltungen. Das Original kann ich aus rechtlichen Gründen nicht liefern. Daran kann man aber sehen, wie aussichtslos es ist, Elektronik aus Halbleitern in Echtzeit genau zu simulieren, wenn man wirklich die Parameter verwenden will, die die Physik uns gibt. Das waren in den damals verwendeten Modellen mindestens 30 und heute hat man sicher noch ein bischen mehr. Man muss das immer anwendungspezifisch vereinfachen, weglassen und sehr viel trimmen. Modelle in unterschiedlicher Konfiguration stecken u.a. hier drin: https://web.archive.org/web/20050319041625/http://home.arcor.de/juergen.schuhmacher/japarameters.html (in Form von ABM SPICE Blöcken) sowie hier: http://www.96khz.org/htm/ladderfiltermodul.htm (verbesserte Transistor- und Diodenmodelle in 2D) in einfacherer Form auch hier: http://www.96khz.org/htm/guitardistorsionvhdl.htm und in meinen Analogmodellen der Oszillatoren meines VA-Synths. Diese sind mehrfach angefasst worden, optimiert und getrimmt, damit wirklich ein OP-ähnliches Verstärkungsverhalten herauskommt, inklusive Sättigung und Verstärkungs-Bandbreite-Produkt, die in etwa der Realität entsprechen. In diesem Modellen steckt sehr viel Dynamik, was Rechenbedarf angeht, z.B. gibt es das Ladder-Filter mit kompletten Transistoren in einer Version mit Temperatur, Spannung und Ladungspumpen, welche den erwähnten FPGA komplett füllen. Und in Echtzeit geht das auch nur, weil ich mit 768kHz abtaste, filtere und alles Detailverhalten überhalb von 200kHz kille. Schon da wandert das Modell aber schon in dem HF-Verhalten 20%-30% von dem Ideal weg. Gehe ich weiter runter, wie das bei Audio eigentlich gemacht wird, also auf 192kHz summieren sich die kleinen Restdifferentiale in Richtung 50%-70%. D.h. man hat überwiegend schon ein abweichendes Verhalten. Man kann sich überlegen, wie genau die noch viel stärker vereinfachten Modelle in SPICE oder den Software-Audio-Plugins sind. :-)
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Sehr interessant! Mich "gruselt" gerade für den Gunnar (TO), weil er etwas weniger vom leitenden Zustand, mehr aber vom Sperrzustand geschrieben hat: - Spannungsfestigkeit - Sperrströme. Letztere stark temperaturabhängig. Daher schliesse ich für mich ab mit der Behauptung:"Unmöglich" Freilich kann er mit der Einfachstgleichung Ic zu Ib anfangen, aber gerade das soll er ja nicht. Die Forderung, geradezu beliebige Nebenschauplätze (Sperrströme), beliebige Transistoren (Bipolar, MOSFET, J-FET, anreicherungstyp, verarmungstyp, H.E.M.T...) in ein einziges Universalmodell zu quetschen, kurz und knapp, MUSS erfolglos bleiben.
Gunnar hat aber auch nicht geschrieben, worauf "sie" eigentlich hinauswollen, in ihrem Projekt... Ein wenig mehr Info könnte helfen.
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Gunnar schrieb: > Aber kennt ihr zufällig ein Buch, das die > benötigten Gleichungen beschreibt, insbesondere diejenigen, die z.B. für > den Frequenzgang eines Transistors relevant sind? Ich würde mal bei Möschwitzer und andere Literatur zur Halbkeiterphysik anfangen. https://www.google.com/search?q=M%C3%B6schwitzer+Buch&source=lnms&tbm=isch&sa=X&ved=2ahUKEwig2OWAk6TsAhVB_aQKHTL4B5AQ_AUoA3oECBMQBQ&biw=2560&bih=1336 Helmholtz-Zentrum Dresden-Rossendorf hat sich meines Wissens mit der Ermittlung von Eigenschaften aus Dotierungsprofilen befasst, ansosnten mal beim Institut für Materialwissenschaft in Darmstadt nachfragen. Anbei ein Auszug vom Halbleiterhersteller, als Fingerzeig, was die wie berechnen.
Mit dieser kindgerechten Beschreibung wurde mir um 1967 die Funktion des (Germanium-)Transistors erklärt: http://ee.old.no/library/EE20-split-de.pdf Seiten 13-18 jeweils obere Hälfte, es fängt an mit Löchern und Elektronen. knapp aber alles andere als vollständig.
Nichtverzweifelter schrieb: > Gunnar schrieb: (verknappt) >> knappe und vollständige Beschreibung (der) >> (detaillierten) Prozesse im Inneren eines Transistors Nein, das schrieb ich nicht, sondern: "*möglichst* knappe und dabei halbwegs vollständige Beschreibung finde, welche mikroskopischen Prozesse" > "Frequenzgang": Millerkapazität, Basis-Bahnwiderstand (komplex), > dynamische Sperrschichtkapazität; im Schaltbetrieb: > Sperrverzögerungszeit (lastabhängig, temperaturabhängig! ); trivial: > "Ausräumzeit der Ladungsträger". Kannst du mir ein Buch empfehlen, das erklärt, woraus sich diese Parameter quantitativ ergeben? Wir können uns auf Bipolartransistoren beschränken, da unsere Untersuchungen diesem Aufbau am Ähnlichsten sind. Details zum Forschungsprojekt darf ich natürlich nicht bekanntgeben. (Wer damit ein Problem hat, möge sich einfach aus der Diskussion heraushalten, sorry). Sagen wir einfach, Ziel ist, die genannten Eigenschaften eines Bipolartransistors aus seinem Aufbau (chemische Elemente, Dotierungsgrad, Ladungsträgerdichte, Abbessungen der Schichten, ...) herzuleiten. Mein Fehler, wenn FETs auch auf mikroskopischer Ebene deutlich anders aufgebaut sind als BJTs. > Sag mal, will Dich jemand "abschiessen"? Mit diesem Auftrag? Das kann ich nich ausschließen. Ich denke einfach, hier möchten sich einige nicht die Blöße geben zu sagen, sie wissen nicht, wie es weiter gehen soll. Vielleicht soll ich als Sündenbock herhalten, was mir dann aber auch am Allerwertesten vorbei geht, weil ich Alternativen habe. Trotzdem interessiert mich das Thema sehr, würde mich also über zielführende Literaturangaben freuen. Danke Gunnar
Das klingt leider wirklich arg naiv. Sagt Dir TCAD etwas? Z.B. von Silvaco? Das macht in etwa was Du willst aber man muss die Grenzen kennen. Preis: lass mal den Vertreter kommen, Einarbeitungszeit: >>6 Monate je nach Vorkenntnissen.
Noch eins zur Klarstellung, es geht nicht darum, irgendwelche parametrisierten Ib-Ic Kennlinien oder andere an Messungen zu fitten und daraus die Parameter des Fits zu bestimmen. Sondern die Parameter dieser Kurven sollen anhand der physik-basierten Simulation der Halbleiter vorhergesagt werden (unter anderem). Es geht auch nicht darum, ganze elektronische Schaltungen mit 3, 10 oder 100 Bauteilen zu simulieren, die dieses Element enthalten. Einzig und allein das Verhalten des Halbleiterelements abhängig von zeitabhängigen Potentialen soll vorhergesagt werden.
physicist schrieb: > Das klingt leider wirklich arg naiv. Sagt Dir TCAD etwas? Z.B. von > Silvaco? Das macht in etwa was Du willst aber man muss die Grenzen > kennen. Preis: lass mal den Vertreter kommen, Einarbeitungszeit: >>6 > Monate je nach Vorkenntnissen. Danke. TCAD ist hier nicht bekannt, soweit ich weiß. Du hast recht, die Aufgabe deckt den Bereich Device<->Process Simulation der TCAD-Beschreibung ab. Wir sollen aber eher die zugrundeliegenden Gleichungen validieren, also keine fertig implementierte Lösung einsetzen. Es soll vermutlich auf Ansys Workbench hinauslaufen, wo ich die Prozesse implementieren soll.
Gunnar schrieb: > Wir sollen aber eher die zugrundeliegenden > Gleichungen validieren, also keine fertig implementierte Lösung > einsetzen. Das klingt jetzt so, als ob ihr in die Halbleiter-Grundlagenforschung einsteigen wollt (so ne Art bells lab in neu?). Vielleicht solltet ihr dann erstmal ein Rudel Halbleiter-Physiker nach dem ersten oder zweiten Post-Doc einstellen...
Guten Morgen Gunnar, ja ich hatte auch ausdrücklich vermerkt, dass ich Dein Zitat verknappt, verkürzt wiedergebe. For dramatization purposes ;-) , wie im Film. Also, bitte nicht böse nehmen. Gunnar schrieb: > Ziel ist, die genannten Eigenschaften eines Bipolartransistors aus > seinem Aufbau (chemische Elemente, Dotierungsgrad, Ladungsträgerdichte, > Abbessungen der Schichten, ...) herzuleiten und genau den, den "internen" Aufbau verraten Dir heutige Hersteller kaum "detailliert". Daher mal eine eingrenzende Frage: Nützt in diesem Zusammenhang die Betrachtung historischer Transistoren? Beispiel: Auf die uralten Germaniumtransistoren OC71 im Glasröhrchen, aussen mattschwarz lackiert, war "Valvo" ganz stolz, beschrieb in bebilderten Propagandaschriften den Herstellungsprozess (Legierungstransistor), die Indiumkügelchen, den Formierstrom, den Lacküberzug, Passivierung, Prüfverfahren. Transistorgenerationen später gab es, 2. Beispiel MESA Transistoren, schnell, "hot", angesagt, UHF-tauglich, auch wieder ausführlich beschrieben. Wieder Generationen später HEXFETs, auch schon 2, 3 Jahrzehnte her. Schnell und kräftig gleichzeitig, zwei gern gegenläufige Eigenschaften. Also was Neues, verlustarm, schnell, sehr niederohmig. Vorteil: kaum HotSpot-Bildung. Damals gerne ausführlich propagiert, in Fachzeitschriften behandelt, am Markt gut eingeführt. Heute habe ich den Eindruck, dass sich die Hersteller (wegen Chinaplagiaten) nicht mehr so gern in die Karten schauen lassen. Müssen es also "neue", zeitgemässe, lieferbare, "übliche" Transistoren sein, oder nicht? Oder genügt gar eine rein theoretische Betrachtung ohne jeden apparativen Messaufbau a la "Legierungstransistor ist langsam, weil..." oder "Diffusionstypen sind schneller, weil die zu durchlaufende Basiszone konstruktiv dünner ist als bei..."
physicist schrieb: > Gunnar schrieb: >> Wir sollen aber eher die zugrundeliegenden >> Gleichungen validieren, also keine fertig implementierte Lösung >> einsetzen. > > Das klingt jetzt so, als ob ihr in die Halbleiter-Grundlagenforschung > einsteigen wollt (so ne Art bells lab in neu?). Vielleicht solltet ihr > dann erstmal ein Rudel Halbleiter-Physiker nach dem ersten oder zweiten > Post-Doc einstellen... Ja, danke für die strategische Hilfestellung. Das ist aber nicht mein Aufgabenbereich. Ist dir eventuell Literatur bekannt, mit der sich das Rudel Halbleiter-Physiker beschäftigt hat?
Nichtverzweifelter schrieb: (verkürzt) > Guten Morgen Gunnar, ja ich hatte auch ausdrücklich vermerkt, dass > ich > Dein Zitat verfälscht wiedergebe. > Also, bitte nicht böse nehmen. Schon ok, hilft nur kein Stück weiter. > > Gunnar schrieb: >> Ziel ist, die genannten Eigenschaften eines Bipolartransistors aus >> seinem Aufbau (chemische Elemente, Dotierungsgrad, Ladungsträgerdichte, >> Abbessungen der Schichten, ...) herzuleiten > > und genau den, den "internen" Aufbau verraten Dir heutige Hersteller > kaum "detailliert". Wir brauchen auch nicht den Aufbau irgendwelcher kommerziellen Halbleiter. Die von uns verwendeten Elemente werden nach unseren Vorgaben gefertigt. > Daher mal eine eingrenzende Frage: Nützt in diesem Zusammenhang die > Betrachtung historischer Transistoren? ja > Müssen es also "neue", zeitgemässe, lieferbare, "übliche" Transistoren > sein, oder nicht? Es geht überhaupt nicht um bereits vorhandene Transistoren, sondern nur um die zugrundeliegenden Prozesse. > Oder genügt gar eine rein theoretische Betrachtung ohne jeden > apparativen Messaufbau a la "Legierungstransistor ist langsam, weil..." > oder "Diffusionstypen sind schneller, weil die zu durchlaufende > Basiszone konstruktiv dünner ist als bei..." ja, allerdings brauchen wir Gleichungen (quantitativ!), mit denen wir unsere Elemente simulieren können. Konzeptionelle oder vergleichende Beschreibungen allein helfen kaum, wenn sich daraus keine Bewegungs- oder Transportgleichungen formulieren lassen.
Mir ist noch der Begriff Gummel-Poon eingefallen, aber das ist eher eine "makroskopische" oder verhaltensbeschreibende Modellierung. https://de.wikipedia.org/wiki/Ersatzschaltungen_des_Bipolartransistors#Gummel-Poon-Modell
physicist schrieb: > https://tcadcentral.com/Software.html > > --> Bibliography Danke, TCAD ist anscheinend ein gutes Stichwort. Die existierenden Open-Source Implementierungen klären hoffentlich etliche meiner Fragen. Soweit ich sehe, werden die Prozesse hauptsächlich als Diffusion beschrieben. Was ist mit Frequenzen, bei denen sich die Ladungsträger um weniger als die freie Weglänge schwingen? Werden diese in irgendwelchen TCAD-Produkten berücksichtigt (wenn ja, welche)?
Literatur: Reisch: Elektronische Bauelemente Sze: Physics of Semiconductor Devices Sze: Semiconductor Devices: Physics and Technology Kwok Ng: Complete Guide to Semiconductor Devices Die meisten konzentrieren sich eher auf den MOSFET, da dieser die letzten Jahrzehnte der Standard in der Mikroelektronik war. Auch empfehlenswert ein Blick auf das BSIM3v3 Modell für integrierte planare MOSFETs. Dafür gibt es die Doku online. Für die neueren Modelle nicht mehr. Die Gleichungen in dem Modell orientieren sich an den physikalischen Vorgängen.
Elias K. schrieb: > Sze: Physics of Semiconductor Devices Das Buch kann ich auch empfehlen, auch wenn es technisch nicht mehr auf dem aktuellen Stand ist. > Sze: Semiconductor Devices: Physics and Technology > Kwok Ng: Complete Guide to Semiconductor Devices Das scheinen wohl die entsprechend aktualisierten Versionen des obigen Buches zu sein. Wie steht auch so schön in der Beschreibung: "This classic reference provides detailed information on the underlying physics and operational characteristics of all major bipolar, unipolar, special microwave, and optoelectronic devices. It integrates nearly 1,000 references to important original research papers and review articles, and includes more than 650 high-quality technical illustrations and 25 tables of material parameters for device analysis." Übersetzt heißt das natürlich: "Wenn Du dieses Buch durchgelesen hast und meinst, die Inhalte auch nur ansatzweise verstanden zu haben, täuschst Du Dich. Erst nach dem Lesen und Verstehen der 23.000 Seiten an Primärliteratur darfst Du ganz vorsichtig Deinen Status von 'Anfänger' auf 'Fortgeschrittener" wechseln."
Christoph db1uq K. schrieb: > Mit dieser kindgerechten Beschreibung wurde mir um 1967 die Funktion des > (Germanium-)Transistors erklärt: > http://ee.old.no/library/EE20-split-de.pdf Ist doch eine gute kind/jugendgerechte Erklärung. Auch tolle Titelseite: Flugzeuge, Raumschiffe, ... Erinnert mich an den Kosmos 'Radiomann', den ich Mitte der 60er bekam. Transistor war ein OC612. Mit diesem Kasten (und folgenden) war meine Leidenschaft zu Elektronik und Funktechnik geweckt - die bis heute andauert! In dem Moment wo ich im Kopfhörer das erste Mal mit einem selbstgebauten Radio Stimmen und Musik hörte war mein Schicksal besiegelt ...
Gunnar schrieb: > "*möglichst* knappe und dabei halbwegs vollständige > Beschreibung finde, welche mikroskopischen Prozesse" Das sind aber sich widersprechende Forderungen. Z.b. zeigt das von Küchle gelinkte Dokument eben schon eine recht übersichtliche Darstellung von Formeln, bei denen ich aber 2 direkt als stark vereinfacht identifiziere. Das ist weit weg von "mikroskopisch". Man muss sich vor Augen halten, dass Silizium ein eigentlich schlechter Leiter ist und bei Leitungsvorgängen einen Haufen an kapazitiven Feldeffekten aufwirft und das schon im gleichmäig dotierten Gebiet. Daher gibt es da Stromverdrängung, Oberflächeneffekte, Feldreflektionen die stark von der 3D-Geometrie abhängen. Selbst bei einer scheinbar konstanten Stromdichte führt das schon zu Gleichungen die nur noch numerisch lösbar sind. Und die Stromdichten sind nicht gleich, weil die Dotierung nicht gleich ist und schnell ändernde Ströme noch zu Moden- und Welleneffekten führen. Ab 10 MHz/mm wird es spannend. Ja und dann haben wir noch die Übergänge von Leiter zu Halbleiter und den dort auftretenden Generations- Rekombinationseffekten. Christoph db1uq K. schrieb: > Mit dieser kindgerechten Beschreibung wurde mir um 1967 die Funktion des > (Germanium-)Transistors erklärt: Garagenmodell? Ich bevorzuge ein von mir erdachtes Theatermodell. Die Gänge ausserhalb des Saals sind die Leitungen mit den Elektronen (Menschen). Der Saal selber mit seinen Sitzplätzen ist der Halbleiter. Stehende Personen (Elektronen im Leitungsband) können durch die Reihen laufen und sitzende Personen (im Valenzband) rücken langsam von Platz zu Platz und geben das "Loch" weiter. Damit erklärt sich die bessere Leitungsfähigkeit, wenn Personen aufstehen und den Quantenzustand wechseln und es erklärt die erforderliche Generationsrate an der Seite zum Gang, wenn Elektron-Loch-Paare erzeugt werden, indem sich Personen hinsetzen bzw alle sitzenen aufstehen müssen, nachdem sie durchgerückt sind. Christoph db1uq K. schrieb: > Gummel-Poon Ja, der hier in der Tat einfach und parametrisch. Den habe ich hier verwurstet: http://www.96khz.org/htm/ladderfiltermodul.htm
Gunnar schrieb: > Ist dir eventuell Literatur bekannt, mit der sich das Rudel > Halbleiter-Physiker beschäftigt hat? Wenn das halbwegs aktuell sein soll, wird das als Firmen Know How eher nicht in einem dicken Wälzer nachzulesen sein, sondern in firmeninternen Berichten.
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Andreas S. schrieb: > Erst nach dem Lesen und Verstehen der 23.000 Seiten an > Primärliteratur darfst Du ganz vorsichtig Deinen Status von 'Anfänger' > auf 'Fortgeschrittener" wechseln." Naja, es kommt wohl am Ende darauf an, wie genau die Modelle sein müssen. Wenn man sich auf den jeweiligen HL-Typ und Anwendungsfall beschränkt, reduziert sich das Ganze wahrscheinlich auf 1% und die paar 100 Seiten kann man sicher mal lesen. Habe ich auch schon machen müssen. Sind halt jedesmal andere. Es kommt auch sehr darauf an, welche Effekte man simulieren will. Beispiel Diodenmodell, da kommt es sehr auf Erwärmung und Sättingung im Grenzbereich an, sofern der bei der konkreten Schaltung erreicht wird. Wenn man das für den Zweck "Audio" berechnen will, kann man mit einem sehr einfachen Modell auskommen, dessen Funktion sich mit nur zwei Multiplizierern bauen lässt und stückweise / ausschnittweise verlängern verwenden lässt, z.B. mit fortgesetztem linearen Verhalten ab dem Punkt, wo die Steigung = 1 ist, (also der Gradient stimmt) oder mit Sättigung (Steigung geht exakt auf Null). Das Modell erzeugt in der Tat die typischen Halbleiter-spezifischen starken Verzerrungen in der 3.Oberwelle und die relativ hohen Verzerrungen bei geringer Aussteuerung.
Jürgen S. schrieb: > Andreas S. schrieb: >> Erst nach dem Lesen und Verstehen der 23.000 Seiten an >> Primärliteratur darfst Du ganz vorsichtig Deinen Status von 'Anfänger' >> auf 'Fortgeschrittener" wechseln." > > Naja, es kommt wohl am Ende darauf an, wie genau die Modelle sein > müssen. Wenn man sich auf den jeweiligen HL-Typ und Anwendungsfall > beschränkt, reduziert sich das Ganze wahrscheinlich auf 1% und die paar > 100 Seiten kann man sicher mal lesen. Habe ich auch schon machen müssen. > Sind halt jedesmal andere. Es ging bei meiner Formulierung nicht um die Anforderungen des TE, sondern um eine Übersetzung der Inhaltsbeschreibung eines der genannten Lehrbücher. Und dort wird ja ausdrücklich auf die nahezu 1.000 zitierten Quellen hingewiesen. Der Anspruch des TEs bestand ja aber auch darin, dank reduzierter physikalischer Vorkenntnisse ein um so vollständigeres einheitliches Modell für alle Halbleiterbauelemente zu erstellen. Wenn ich als Medizinstudent schon Probleme hätte, mir den Citratzyklus zu verinnerlichen, könnte ich genauso sagen: "Ach, dann breche ich eben mein Medizinstudium ab und arbeite künftig als Endokrinologe."
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