MosFET über PWM ansteuerbar?

[I. E. (hexfet)]

Hallo zusammen,
für eine Projektarbeit in der Uni baue ich einen DC-Steller für einen 
Motor. Die dazu verwendete Vollbrücke ist die Infineon BTM 7810K. Das 
Ansteuersignal wird von einem Arduino Uno Rev.3 über PWM bereitgestellt. 
Frequenz beträgt 490 Hz. Zur Benutzung der Brücke verwende ich eine 
Logik um jeweils den passenden MosFET anzusteuern, ist für das Problem 
jedoch nicht wichtig. Jetzt habe ich aber festgestellt das die 
High-Side-Mosfets in der Brücke laut Datenblatt eine Rise-Time von 220 
us und eine Fall-Time von 250 us haben. Wenn ich das korrekt sehe muss 
also mein PWM-Signal mindestens eine Pulslänge von 220 us haben damit 
der FET einschaltet und gleich wieder ausgeht. Das ist bei 11% der 
Pulslänge der Fall(rechnerisch). Was mich verwirrt ist das die 
Low-Side-FET's im Datenblatt mit 20 und 60 ns als Rise- und Falltime 
angegeben sind.
Meine Frage dazu lautet woher dieser Unterschied kommt(interpretiere ich 
das Datenblatt richtig?) und ob es wahrscheinlich ist das eine 
PWM-Ansteuerung bei genannten Daten trotzdem funktioniert, da es ja 
offensichtlicher Weise eine beliebte Methode ist um Brücken anzusteuern 
und eine Taktlänge von 490 Hz ist ja auch nicht wirklich schnell aus 
Halbleitersicht?

[MaWin (Gast)]

Luca S. schrieb:
> woher dieser Unterschied kommt(i

Die high side haben eine Ladungspumpe  die muss das Gate erst aufladen.
Treibe PWM nur mit den unteren.

[H. B. (Gast)]

Den Baustein solltest du nicht mehr für Neuentwicklungen verwenden.
Ist bereits abgekündigt, bei Infineon hat man nicht mal mehr Zugriff auf 
das Datenblatt.

Aber solche H-Brücken Motortreiber gibts von vielen Herstellern.

Besser ist es die oberen MOSFET´s statisch anzusteuern (Laufrichtung 
vorgeben) und die unteren mit PWM.