Battery protection IC

[Matthias (Gast)]

Hallo,

habe ein Problem mit einem S-82B1B single cell protection ic.
Dieser erkennt Überstrom beim Laden. Laut Datenblatt ist die 
Überstromerkennung durch 30mV am Pin VM definiert. Leider gibt das 
Datenblatt nichts her, wie diese Spannung zustande kommt.
Ich würde jetzt vermuten, dass ein Zusammenhang zum RDSon der externen 
MOSFETs besteht. Ich nutze einen Doppelmosfet FDS6890A. Dieser ist mit 
ca. 20mOhm angegeben. Bei 1,2A Ladestrom würde ich über die Schwelle 
kommen. Es gibt jedoch keinen Hinweis auf diesen Zusammenhang.
Kann jemand weiterhelfen?

Gruß Matthias

[Stefan F. (Gast)]

Matthias schrieb:
> Kann jemand weiterhelfen?

Das hängt doch total von der konkreten Schaltung ab. Ohne Schaltplan 
kann man nur wild raten, dazu habe ich keine Lust.

[Dieter D. (Firma: Hobbytheoretiker) (dieter_1234)]

Datenblatt Seite 13 Figure 8 Test Circuit 5 könnte Dir das beantworten.

[Matthias (Gast)]

Die Testschaltung zeigt eine variable Spannungsquelle. Ich denke sie 
dazu, zu untersuchen, wie die Spannung an VM auf die MOSFET-Ausgänge 
wirkt.
Mir fehlt trotzdem der Zusammenhang zwischen Ladestrom und der Spannung 
an VM.

[Manfred (Gast)]

Dieter D. schrieb:
> Datenblatt Seite 13 Figure 8

Die Machart des Datenblattes kommt mir bekannt vor, hat Seiko-Epson den 
Kram verkauft oder baut Ablic nach?

Matthias schrieb:
> der Zusammenhang zwischen Ladestrom und der Spannung

Wie auch bei anderen üblich, wird der Spannungsabfall über DS des FETs 
gemessen.

[Matthias (Gast)]

Das wäre so, wie ich es vermutet hatte. Schade, dass es dazu keinen 
Dimensionierungshinweis gibt.
Dann werde ich mal einen FET mit geringerem RDSon suchen.

Danke

[Wolfgang (Gast)]

Matthias schrieb:
> Dann werde ich mal einen FET mit geringerem RDSon suchen.
... und vergiss die im Datenblatt angegebenen Widerstände zum ESD-Schutz 
nicht (Fig. 15, Tab. 11)

[Matthias (Gast)]

Danke Wolfgang,

die Schaltung ist genau danach aufgebaut.
Als Ersatz für den FET habe ich den SI4204DY gefunden.
Der ist sogar pinkompatibel und ich brauche das Layout nicht ändern.

Gruß Matthias

[Arno (Gast)]

Alternativ einen kleinen Shunt einsetzen? Dann liegt Source des FET zwar 
nicht mehr auf Masse, aber die (maximal) 30mV wird der FET sicherlich 
verschmerzen können (ob das für die Gesamtschaltung passt - dazu müsste 
man mehr über die Gesamtschaltung wissen) - und bist mit der 
Ladestrombegrenzung nicht von Exemplarstreuungen der FETs abhängig.

MfG, Arno

[Matthias (Gast)]

Hat ein bisschen gedauert aber mit dem SI4204DY tut die Sache :)

Danke an alle