Hallo, habe ein Problem mit einem S-82B1B single cell protection ic. Dieser erkennt Überstrom beim Laden. Laut Datenblatt ist die Überstromerkennung durch 30mV am Pin VM definiert. Leider gibt das Datenblatt nichts her, wie diese Spannung zustande kommt. Ich würde jetzt vermuten, dass ein Zusammenhang zum RDSon der externen MOSFETs besteht. Ich nutze einen Doppelmosfet FDS6890A. Dieser ist mit ca. 20mOhm angegeben. Bei 1,2A Ladestrom würde ich über die Schwelle kommen. Es gibt jedoch keinen Hinweis auf diesen Zusammenhang. Kann jemand weiterhelfen? Gruß Matthias
Matthias schrieb: > Kann jemand weiterhelfen? Das hängt doch total von der konkreten Schaltung ab. Ohne Schaltplan kann man nur wild raten, dazu habe ich keine Lust.
Die Testschaltung zeigt eine variable Spannungsquelle. Ich denke sie dazu, zu untersuchen, wie die Spannung an VM auf die MOSFET-Ausgänge wirkt. Mir fehlt trotzdem der Zusammenhang zwischen Ladestrom und der Spannung an VM.
Dieter D. schrieb: > Datenblatt Seite 13 Figure 8 Die Machart des Datenblattes kommt mir bekannt vor, hat Seiko-Epson den Kram verkauft oder baut Ablic nach? Matthias schrieb: > der Zusammenhang zwischen Ladestrom und der Spannung Wie auch bei anderen üblich, wird der Spannungsabfall über DS des FETs gemessen.
Das wäre so, wie ich es vermutet hatte. Schade, dass es dazu keinen Dimensionierungshinweis gibt. Dann werde ich mal einen FET mit geringerem RDSon suchen. Danke
Matthias schrieb: > Dann werde ich mal einen FET mit geringerem RDSon suchen. ... und vergiss die im Datenblatt angegebenen Widerstände zum ESD-Schutz nicht (Fig. 15, Tab. 11)
Danke Wolfgang, die Schaltung ist genau danach aufgebaut. Als Ersatz für den FET habe ich den SI4204DY gefunden. Der ist sogar pinkompatibel und ich brauche das Layout nicht ändern. Gruß Matthias
Alternativ einen kleinen Shunt einsetzen? Dann liegt Source des FET zwar nicht mehr auf Masse, aber die (maximal) 30mV wird der FET sicherlich verschmerzen können (ob das für die Gesamtschaltung passt - dazu müsste man mehr über die Gesamtschaltung wissen) - und bist mit der Ladestrombegrenzung nicht von Exemplarstreuungen der FETs abhängig. MfG, Arno
Hat ein bisschen gedauert aber mit dem SI4204DY tut die Sache :) Danke an alle
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